IRFZ14S ， IRFZ14L ， SiHFZ14S ， SiHFZ14L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
11
3.1
5.8
单身
D
特点
60
0.20
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
先进的工艺技术
表面贴装（ IRFZ14S ， SiHFZ14S ）
小尺寸通孔（ IRFZ14L ， SiHFZ14L ）
175 ° C的工作温度
快速开关
符合RoHS指令2002/95 / EC
Vishay的第三代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现extermely低
每硅片面积的阻力。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
在很宽的extermely高效reliabel deviece使用
各种应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通电阻
在任何现有的表面贴装封装。对D
2
Pak是
适合的，因为其低的高电流的应用
内部的连接电阻，并且可以消散到为2.0W
在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRFZ14L ， SiHFZ44L ）可
为低轮廓的应用程序。
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHFZ14STRL-GE3
a
IRFZ14STRLPbF
a
SiHFZ14STL-E3
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
SiHFZ14L-GE3
IRFZ14LPbF
SiHFZ14L-E3
描述
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK （ TO-263 ）
G
G
D
S
G
D
S
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
铅（Pb ） - 免费
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHFZ14S-GE3
IRFZ14SPbF
SiHFZ14S-E3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
最大功率耗散（ PCB安装）
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
60
± 20
10
7.2
40
0.29
47
43
3.7
4.5
- 55 + 175
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
笔记
B 。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 548 μH ，R
g
= 25
,
I
AS
= 10 A（见图12 ） 。
D.我
SD
10 A ， di / dt的
90 A / μs的，V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
F。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 90365
S11-1063 -REV 。 C， 30日， 11
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1
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本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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IRFZ14S ， IRFZ14L ， SiHFZ14S ， SiHFZ14L
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
40
3.5
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
V
GS
= 0, I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.0 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 6.0 A
b
60
-
2.0
-
-
-
-
2.4
-
0.063
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.2
-
V
V /°C的
V
nA
μA
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
300
160
29
-
-
-
10
50
13
19
7.5
-
-
-
11
3.1
5.8
-
-
-
-
-
nH
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 10 A,
R
g
= 24
,
R
D
= 2.7
,
参见图。 10
b
-
-
-
铅，模具联络中心之间
-
-
-
-
-
-
-
-
-
70
200
10
A
40
1.6
140
400
V
ns
μC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 10 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
300微秒;占空比
2 %.
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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V
DS
V
GS
R
g
R
D
D.U.T.
+
- V
DD
10 V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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