PD - 9.890A
IRFZ14S/L
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
表面贴装（ IRFZ14S ）
通孔低调（ IRFZ14L ）
175 ° C工作温度
快速开关
D
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 0.20
G
I
D
= 10A
描述
国际整流器第三代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性，可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRFZ14L ）可用于低
配置文件的应用程序。
S
D 2白
T O服务-2 6 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
10
7.2
40
3.7
43
0.29
± 20
47
4.5
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
V / ns的
°C
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
3.5
40
单位
° C / W
8/25/97
IRFZ14S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
60
–––
–––
2.0
2.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.063
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
50
13
19
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
=1mA
0.20
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.0A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 6.0A
25
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
11
I
D
= 10A
3.1
NC V
DS
= 48V
5.8
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 30V
–––
I
D
= 10A
ns
–––
R
G
= 24
–––
R
D
= 2.7Ω ，参照图10
铅之间，
nH
7.5 –––
而中心的模具接触
300 –––
V
GS
= 0V
160 –––
pF
V
DS
= 25V
29 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– –––
10
展示
A
G
整体反转
––– ––– 40
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.6
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 10A ，V
GS
= 0V
––– 70 140
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 10A
––– 200 400
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRFZ14数据和测试条件
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 548μH
R
G
= 25, I
AS
= 10A 。 （参见图12）
I
SD
≤
图10A中， di / dt的
≤
90A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
QQ：2881677436 复制
