IRFY9130
机械数据
尺寸mm (英寸)
4.70
5.00
0.70
0.90
3.56
DIA 。
3.81
10.41
10.67
P- CHANNEL
功率MOSFET
FOR HI- REL
应用
V
DSS
I
D(续)
R
DS ( ON)
特点
0.89
1.14
16.38
16.89
13.39
13.64
1 2 3
12.70
19.05
-100V
-9.3A
0.31
10.41
10.92
2.54
BSC
2.65
2.75
密封TO -220金属
包
简单的驱动要求
TO- 220M - 金属封装
垫1 - 门
垫2 - 漏
垫3 - 来源
轻
筛选选项可用
所有引线分离CASE
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明)
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
θJC
R
θJA
栅 - 源电压
连续漏电流@ T
例
= 25°C
连续漏电流@ T
例
= 100°C
漏电流脉冲
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻结到外壳
热阻结到环境
±20V
-9.3A
-5.8A
-37A
45W
0.36W/°C
-55 ℃150℃
2.8 ° C / W最大。
80 ° C / W最大。
Semelab PLC 。
电话( 01455 ) 556565.电传: 341927.传真:( 01455 ) 552612 。
预赛。 4/97
IRFY9130
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
BV
DSS
T
J
R
DS ( ON)
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
击穿电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
正向跨导
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极( “米勒” )费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
V
DS
≥
15V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
V
GS
= –20V
V
GS
= 0
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
DS
= 0.5BV
DSS
I
D
= -9.3A
V
DS
= 0.5BV
DSS
V
DD
= -50V
I
D
= -9.3A
R
G
= 7.5
I
D
= -9.3A
I
D
= -5.8A
I
D
= -9.3A
I
D
= 250A
I
DS
= -5.8A
V
DS
= 0.8BV
DSS
T
J
= 125°C
I
D
= 1毫安
分钟。
-100
典型值。
马克斯。
单位
V
ΔBV
DSS
温度COEF网络cient
参考至25℃
-0.1
0.31
0.36
-2
2.5
-25
-250
-100
100
800
350
125
14.7
1
2
30
7.1
21
60
140
140
140
-9.3
-37
-4
V /°C的
V
S(
A
nA
)
(
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
L
D
L
S
pF
nC
nC
ns
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
封装特性
内部排水电感
内部源极电感
I
S
= -9.3A
V
GS
= 0
I
S
= -9.3A
T
J
= 25°C
d
i
/ d
t
≤
100A / μs的V
DD
≤
50V
(从6mm向下漏极引线焊盘到模具的中心)
A
V
ns
C
T
J
= 25°C
-4.7
250
3
8.7
8.7
nH
(从6mm下来源铅源焊盘中心)
Semelab PLC 。
电话( 01455 ) 556565.电传: 341927.传真:( 01455 ) 552612 。
预赛。 4/97