【以前的数据表指数下一页数据表临时数据表号PD 9.1287BHEXFET功率MOSFETIRFY14】,IC型号IRFY140CM,IRFY140CM PDF资料,IRFY140CM经销商,ic,电子元器件-51电子网

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指数

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临时数据表号PD 9.1287B

HEXFET

功率MOSFET

IRFY140CM

N沟道

100伏， 0.077Ω HEXFET

HEXFET技术是关键，国际整流器公司

先进的线路功率MOSFET晶体管。该艾菲

cient几何设计实现的状态非常低的重

sistance结合高跨导。

HEXFET晶体管还具有所有的良好基础，

MOSFET的lished优点，如电压的转换

控制，非常快速的切换，方便并联和电气的

校准参数的温度稳定性。它们很适合

的应用，如开关电源，钼

器控制，逆变器，砍砸器，音频放大器，高

电能脉冲电路，以及几乎任何应用程序，其中

高可靠性是必需的。

该HEXFET晶体管的完全隔离的包消除

止数据的必要性之间的附加绝缘材料

该装置和散热器。这提高了热艾菲

效率和降低漏电容。

产品概述

产品型号

IRFY140CM

DSS

100V

DS （ ON）

0.077

16*A

特点

密封式

电气隔离

简单的驱动要求

易于并联的

陶瓷鸡眼

绝对最大额定值

参数

ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C

ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃

IDM

PD @ TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv / dt的

TSTG

连续漏电流

漏电流脉冲

马克斯。功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

RepetitiveAvalanche能源

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度

重量

* ID电流受销直径

IRFY140CM

16*

100

0.8

±20

230

16*

5.5

-55到150

300 （ 0.063在（ 1.6毫米）从

情况下为10秒）

4.3 （典型值）

单位

W / K ？

V / ns的

°C

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IRFY140CM设备

指数

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电气特性

@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）

参数

BVDSS

漏极至源极击穿电压

ΔBV

细数DSS / ΔTJ温度系数

电压

RDS （ ON）

静态漏 - 源

导通状态电阻

VGS （ TH）

栅极阈值电压

政府飞行服务队

正向跨导

IDSS

零栅极电压漏极电流

分钟。

100

—

2.0

9.1

—

2.4

—

TYP 。 MAX 。单位

—

0.1

—

8.7

—

0.077

4.0

—

250

100

-100

30.7

145

105

—

测试条件

VGS = 0V ，ID = 1.0毫安

V / ℃参考至25℃ ， n = 1.0毫安

V GS = 10V ， ID = 16A

IGSS

QGS

QGD

TD （上）

TD （关闭）

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

VDS = VGS ，ID = 250μA

S（） VDS

≥

15V ， IDS = 16A

= 0.8×最大值。评级，V

= 0V

VDS = 0.8×最大值。等级

VGS = 0V ， TJ = 25°C

VGS = 20V

VGS = -20V

VGS = 10V ，ID = 16A

VDS =最大。评分×0.5

参见图6和图13

VDD = 50V ， ID = 16A ， RG = 9.1Ω

VGS = 10V

见图10

测量从排水

铅的6mm （ 0.25英寸）的距离

包到中心管芯。

测量从

源铅的6mm （ 0.25

英寸）从包

源焊盘。

修改MOSFET符号

显示内部

电感。

西塞

科斯

CRSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

1660

550

120

—

VGS = 0V ， VDS = 25V

F = 1.0MHz的。

参见图5

源极 - 漏极二极管额定值和特性

参数

ISM

VSD

TRR

QRR

吨

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

—

100

1.5

400

2.4

测试条件

示出了修改后的MOSFET符号

积分反向p-n结整流器。

= 25 ℃， IS = 16A ，V GS = 0V

TJ = 25°C ， IF = 16A ， di / dt的

≤

100 A / μs的

VDD

≤

50 V

固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。

热阻

参数

RthJC结到外壳

RthJA结到环境

RthCS壳到散热器

分钟。典型值。马克斯。单位

—

0.21

1.25

80 K / W ？

—

测试条件

典型的插座安装

安装表面平整，光滑

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指数

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IRFY140CM设备

图。 1 - 典型的输出特性

= 25°C

图。 2 - 典型的输出特性

= 150°C

ID = 25A

图。 3 - 典型的传输特性

图。 4 - 归通电阻与温度的关系

ID = 16A

图。 5 - 典型的电容比。漏 - 源

电压

图。 6 - 典型栅极电荷比。栅极 - 源

电压

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IRFY140CM设备

指数

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1000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

ID ，漏电流（ A）

100

10us

100us

1ms

= 25 C

= 150 C

单脉冲

10ms

100

1000

，漏极至源极电压（ V）

图。 7 - 典型的源极到漏极二极管

正向电压

图。 8 - 最高安全工作区

不限按包

ID ，

漏电流（安培）

100

125

150

，外壳温度

(°C)

TC ，外壳温度

(°C)

图。 9 - 最大漏极电流比。外壳温度

图。 10A - 开关时间测试电路

图。 10B - 开关时间波形

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IRFY140CM设备

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

注意事项：

1. D

UTY因子D = T 1 / T 2

2.峰值T = PDMx thJC + TC

0.1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳比。脉冲持续时间

（ BR ） DSS

VDS

司机

D.U.T

我AS

0.01

- VDD

图。 12A - 非钳位感应测试电路

图。 12B - 松开电感的波形

，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

250

200

150

100

= 28A

D D

= 25V

100

125

150

175

开始T，结温（ ° C）

图。 12C - 马克斯。雪崩能量与电流

图。 13A - 栅极电荷测试电路

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