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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第143页 > IRFU5410
PD - 9.1533A
l
l
l
l
l
l
l
超低导通电阻
P沟道
表面贴装（ IRFR5410 ）
直铅（ IRFU5410 ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
HEXFET
功率MOSFET
D
IRFR/U5410
V
DSS
= -100V
R
DS （ ON）
= 0.205W
G
S
I
D
= -13A
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
在D- Pak是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU系列）是通孔安装
应用程序。功耗水平达到1.5瓦特是
有可能在典型的表面贴装应用。
D- PAK
TO-252AA
I- PAK
TO-251AA
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ -10V
连续漏电流， V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
-13
-8.2
-52
66
0.53
± 20
194
-8.4
6.3
-5.0
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
QJC
R
qJA
R
qJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
马克斯。
1.9
50
110
单位
° C / W
www.irf.com
1
5/3/99
IRFR/U5410
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
DV
（ BR ） DSS
/ DT
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-100
-2.0
3.2
典型值。
-0.12
15
58
45
46
4.5
7.5
760
260
170
MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1.0mA
0.205
W
V
GS
= -10V ，我
D
= -7.8A
-4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
S
V
DS
= -50V ，我
D
= -7.8A
-25
V
DS
= -100V, V
GS
= 0V
A
-250
V
DS
= -80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
58
I
D
= -8.4A
8.3
NC V
DS
= -80V
32
V
GS
= -10V ，见图。 6和13
V
DD
= 50V
I
D
= -8.4A
ns
R
G
= 9.1W
R
D
= 6.2W ，参照图10
D
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
与模具接触中心？
S
V
GS
= 0V
pF
V
DS
= -25V
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
-13
展示
A
G
整体反转
-52
p-n结二极管。
S
-1.6
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= -7.8A ，V
GS
= 0V
130 190
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= -8.4A
650 970
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 6.4mH
R
G
= 25W ，我
AS
= -7.8A 。 （参见图12）
I
SD
-7.8A ， di / dt的
200A / μs的，V
DD
V
（ BR ） DSS
,
T
J
150°C
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具呼叫中心
使用IRF9530N数据和试验条件。
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
2
www.irf.com
IRFR/U5410
100
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
顶部
100
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
顶部
10
1
-4.5V
0.1
1
-4.5V
0.01
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.5
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= -14A
2.0
10
T
J
= 150
°
C
1.5
1.0
1
0.5
0.1
4
5
6
7
V DS = 10V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFR/U5410
2000
1600
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= -8.4A
V
DS
=-80V
V
DS
=-50V
V
DS
=-20V
C，电容（pF ）
15
1200
C
国际空间站
10
800
C
OSS
C
RSS
5
400
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
测试电路
见图13
40
50
60
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
-I
SD
，反向漏电流（ A）
T
J
= 150
°
C
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10
-I
D
，漏电流（ A）
I
100
10us
T
J
= 25
°
C
1
10
100us
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.8
1.4
2.0
2.6
1
1
T
C
= 25° C
T
J
= 150° C
单脉冲
10
1ms
10ms
100
1000
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRFR/U5410
15
V
DS
V
GS
R
D
12
-I
D
，漏电流（ A）
9
-10V
脉冲宽度
1
s
占空比
0.1 %
6
图10A 。
开关时间测试电路
3
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
0
25
50
75
100
125
150
10%
T
C
，外壳温度（ ° C）
90%
V
DS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1 D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.irf.com
+
-
R
G
D.U.T.
V
DD
5
IRFR/U5410
l
l
l
l
l
l
l
超低导通电阻
P沟道
表面贴装（ IRFR5410 ）
直铅（ IRFU5410 ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= -100V
R
DS （ ON）
= 0.205W
G
S
I
D
= -13A
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
在D- Pak是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU系列）是通孔安装
应用程序。功耗水平达到1.5瓦特是
有可能在典型的表面贴装应用。
D- PAK
TO-252AA
I- PAK
TO-251AA
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ -10V
连续漏电流， V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
-13
-8.2
-52
66
0.53
± 20
194
-8.4
6.3
-5.0
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
QJC
R
qJA
R
qJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
马克斯。
1.9
50
110
单位
° C / W
1 / 10
www.freescale.net.cn
IRFR/U5410
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
DV
（ BR ） DSS
/ DT
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-100
-2.0
3.2
典型值。
-0.12
15
58
45
46
4.5
7.5
760
260
170
MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1.0mA
0.205
W
V
GS
= -10V ，我
D
= -7.8A
-4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
S
V
DS
= -50V ，我
D
= -7.8A
-25
V
DS
= -100V, V
GS
= 0V
A
-250
V
DS
= -80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
58
I
D
= -8.4A
8.3
nC
V
DS
= -80V
32
V
GS
= -10V ，见图。 6和13
V
DD
= 50V
I
D
= -8.4A
ns
R
G
= 9.1W
R
D
= 6.2W ，参照图10
D
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
与模具接触中心？
S
V
GS
= 0V
pF
V
DS
= -25V
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
-13
展示
A
G
整体反转
-52
p-n结二极管。
S
-1.6
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= -7.8A ，V
GS
= 0V
130 190
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= -8.4A
650 970
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 6.4mH
R
G
= 25W ，我
AS
= -7.8A 。 （参见图12）
I
SD
-7.8A ， di / dt的
200A / μs的，V
DD
V
（ BR ） DSS
,
T
J
150°C
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具呼叫中心
使用IRF9530N数据和试验条件。
2 / 10
www.freescale.net.cn
IRFR/U5410
100
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
顶部
100
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
顶部
10
1
-4.5V
0.1
1
-4.5V
0.01
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.5
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= -14A
2.0
10
T
J
= 150
°
C
1.5
1.0
1
0.5
0.1
4
5
6
7
V DS = 10V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
3 / 10
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2000
1600
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= -8.4A
V
DS
=-80V
V
DS
=-50V
V
DS
=-20V
C，电容（pF ）
15
1200
C
国际空间站
10
800
C
OSS
C
RSS
5
400
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
测试电路
见图13
40
50
60
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
-I
SD
，反向漏电流（ A）
T
J
= 150
°
C
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10
-I
D
，漏电流（ A）
I
100
10us
T
J
= 25
°
C
1
10
100us
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.8
1.4
2.0
2.6
1
1
T
C
= 25° C
T
J
= 150° C
单脉冲
10
1ms
10ms
100
1000
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4 / 10
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IRFR/U5410
15
V
DS
V
GS
R
D
12
-I
D
，漏电流（ A）
9
-10V
脉冲宽度
1
s
占空比
0.1 %
6
图10A 。
开关时间测试电路
3
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
0
25
50
75
100
125
150
10%
T
C
，外壳温度（ ° C）
90%
V
DS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1 D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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+
-
R
G
D.U.T.
V
DD
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