添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第645页 > IRFU5305
PD - 91402A
IRFR/U5305
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
超低导通电阻
表面贴装( IRFR5305 )
直铅( IRFU5305 )
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= -55V
R
DS ( ON)
= 0.065
G
I
D
= -31A
S
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用
先进的加工技术,以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处,并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计,
HEXFET
功率MOSFET是众所周知的,提供了
设计师用一个非常有效和可靠的设备
用于在多种应用中使用。
在D- Pak是专为使用蒸汽表面安装
相,红外,或波焊工艺。直
铅版( IRFU系列)是通孔安装
应用程序。功耗水平达到1.5瓦特是
有可能在典型的表面贴装应用。
D- PAK
IRFR5305
I- PAK
IRFU5305
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ -10V
连续漏电流, V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3 srew
马克斯。
-31
-22
-110
110
0.71
± 20
280
-16
11
-5.0
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅在( 1.1N m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) *
结到环境**
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.4
50
110
单位
° C / W
10/23/00
IRFR/U5305
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
V
( BR ) DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
-55
––– –––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
--- -0.034 --- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA
–––
––– 0.065
V
GS
= -10V ,我
D
= -16A
-2.0
––– -4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
8.0
––– –––
S
V
DS
= -25V ,我
D
= -16A
–––
––– -25
V
DS
= -55V, V
GS
= 0V
A
–––
––– -250
V
DS
= -44V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
–––
––– 100
V
GS
= 20V
nA
–––
––– -100
V
GS
= -20V
–––
–––
63
I
D
= -16A
–––
–––
13
nC
V
DS
= -44V
–––
–––
29
V
GS
= -10V ,见图。 6和13
–––
14
–––
V
DD
= -28V
–––
66
–––
I
D
= -16A
ns
–––
39
–––
R
G
= 6.8
–––
63
–––
R
D
= 1.6Ω ,见图。 10
D
铅之间,
4.5 –––
–––
6毫米(0.25英寸)。
nH
G
从包
–––
7.5 –––
而中心的模具接触
S
––– 1200 –––
V
GS
= 0V
–––
520 –––
pF
V
DS
= -25V
–––
250 –––
= 1.0MHz的,见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项:
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
71
170
-31
A
-110
-1.3
110
250
V
ns
nC
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
S
T
J
= 25 ° C,I
S
= -16A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= -16A
的di / dt = -100A / μs的
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
这个被施加用于I -PAK ,L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具联络中心。
使用IRF5305数据和试验条件。
V
DD
= -25V ,起始物为
J
= 25℃时,L = 2.1mH
R
G
= 25, I
AS
= -16A 。 (参见图12)
I
SD
-16A , di / dt的
-280A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
175°C
*当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料) 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994 。
**采用典型的插座安装。
2
www.irf.com
IRFR/U5305
1000
VGS
- 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOT汤姆 - 4.5V
以P
1000
-ID ,D雨来-S OU RC式C urre NT (A )
-ID ,D雨来-S ourc式C光凭目前( A)
VGS
- 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
顶部
100
100
10
10
-4.5 V
2 0μ S·P ü LS东西TH ID
T C = 2 5℃
J
A
0.1
1
10
100
-4 .5 V
20 μ S·P ü L南东西ID牛逼
T
C
= 17 5°C
J
0.1
1
10
1
1
A
100
-VD S,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
-V
S
,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
T
J
= 2 5°C
T
J
= 17 5 °C
R
S(上)
,漏到-S环境允许 n个电阻
(N ORM alized )
I
D
= -27 A
-I
D
,D雨来 - SO URC式C urre NT (A )
1.5
10
1.0
0.5
1
4
5
6
7
V
DS
= -2 5 V
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
8
9
10
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= -10 V
100 120 140 160 180
A
-V
的s
,G吃-to -来源沃尔特GE ( V)
T
J
,结牛逼EM perature ( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFR/U5305
2500
2000
C
国际空间站
C
OSS
1500
1000
-V
的s
,G吃-to -S OU RC V oltage ( V)
V
GS
C
国际空间站
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1MHz的
C
的s
+ C
, C
S
中文 TE
C
gd
C
ds
+ C
20
I
D
= -1 6A
V
S
= -4 4V
V
S
= -2 8V
16
C,C apacitanc E( pF)的
12
8
C
RSS
500
4
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
FO 释T C IR ú IT
性S E ê图ú 1 3
40
50
60
A
-V
S
,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
Q
G
,共有摹吃哈耶( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
-I
S.D。
,R EVERSE漏光凭目前 (A )
P·E R A TIO N IN TH IS A R ê A L IM ITE
B Y形
S(O N)
-I
D
,D雨光凭目前 (A )
100
100
100 s
T
J
= 17 5 °C
T
J
= 25 °C
10
1米s
10
0.4
0.8
1.2
1.6
V
的s
= 0V
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
10
10米s
2.0
100
A
-V
S.D。
,S ourc E-到-D雨V oltage ( V)
-V
S
,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRFR/U5305
V
DS
35
R
D
V
GS
30
D.U.T.
+
-I
D
,漏电流( A)
25
-10V
20
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
15
图10A 。
开关时间测试电路
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
10
V
GS
5
10%
0
25
50
75
100
125
150
175
90%
V
DS
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
热响应(Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
P
DM
t
1
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
www.irf.com
-
R
G
V
DD
5
PD - 91402A
IRFR/U5305
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
超低导通电阻
表面贴装( IRFR5305 )
直铅( IRFU5305 )
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= -55V
R
DS ( ON)
= 0.065
G
I
D
= -31A
S
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用
先进的加工技术,以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处,并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计,
HEXFET
功率MOSFET是众所周知的,提供了
设计师用一个非常有效和可靠的设备
用于在多种应用中使用。
在D- Pak是专为使用蒸汽表面安装
相,红外,或波焊工艺。直
铅版( IRFU系列)是通孔安装
应用程序。功耗水平达到1.5瓦特是
有可能在典型的表面贴装应用。
D- PAK
IRFR5305
I- PAK
IRFU5305
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ -10V
连续漏电流, V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3 srew
马克斯。
-31
-22
-110
110
0.71
± 20
280
-16
11
-5.0
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅在( 1.1N m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) *
结到环境**
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.4
50
110
单位
° C / W
10/23/00
IRFR/U5305
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
V
( BR ) DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
-55
––– –––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
--- -0.034 --- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA
–––
––– 0.065
V
GS
= -10V ,我
D
= -16A
-2.0
––– -4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
8.0
––– –––
S
V
DS
= -25V ,我
D
= -16A
–––
––– -25
V
DS
= -55V, V
GS
= 0V
A
–––
––– -250
V
DS
= -44V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
–––
––– 100
V
GS
= 20V
nA
–––
––– -100
V
GS
= -20V
–––
–––
63
I
D
= -16A
–––
–––
13
nC
V
DS
= -44V
–––
–––
29
V
GS
= -10V ,见图。 6和13
–––
14
–––
V
DD
= -28V
–––
66
–––
I
D
= -16A
ns
–––
39
–––
R
G
= 6.8
–––
63
–––
R
D
= 1.6Ω ,见图。 10
D
铅之间,
4.5 –––
–––
6毫米(0.25英寸)。
nH
G
从包
–––
7.5 –––
而中心的模具接触
S
––– 1200 –––
V
GS
= 0V
–––
520 –––
pF
V
DS
= -25V
–––
250 –––
= 1.0MHz的,见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项:
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
71
170
-31
A
-110
-1.3
110
250
V
ns
nC
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
S
T
J
= 25 ° C,I
S
= -16A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= -16A
的di / dt = -100A / μs的
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
这个被施加用于I -PAK ,L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具联络中心。
使用IRF5305数据和试验条件。
V
DD
= -25V ,起始物为
J
= 25℃时,L = 2.1mH
R
G
= 25, I
AS
= -16A 。 (参见图12)
I
SD
-16A , di / dt的
-280A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
175°C
2
www.kersemi.com
IRFR/U5305
1000
VGS
- 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOT汤姆 - 4.5V
以P
1000
-ID ,D雨来-S OU RC式C urre NT (A )
-ID ,D雨来-S ourc式C光凭目前( A)
VGS
- 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
顶部
100
100
10
10
-4.5 V
2 0μ S·P ü LS东西TH ID
T C = 2 5℃
J
A
0.1
1
10
100
-4 .5 V
20 μ S·P ü L南东西ID牛逼
T
C
= 17 5°C
J
0.1
1
10
1
1
A
100
-VD S,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
-V
S
,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
T
J
= 2 5°C
T
J
= 17 5 °C
R
S(上)
,漏到-S环境允许 n个电阻
(N ORM alized )
I
D
= -27 A
-I
D
,D雨来 - SO URC式C urre NT (A )
1.5
10
1.0
0.5
1
4
5
6
7
V
DS
= -2 5 V
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
8
9
10
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= -10 V
100 120 140 160 180
A
-V
的s
,G吃-to -来源沃尔特GE ( V)
T
J
,结牛逼EM perature ( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.kersemi.com
3
IRFR/U5305
2500
2000
C
国际空间站
C
OSS
1500
1000
-V
的s
,G吃-to -S OU RC V oltage ( V)
V
GS
C
国际空间站
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1MHz的
C
的s
+ C
, C
S
中文 TE
C
gd
C
ds
+ C
20
I
D
= -1 6A
V
S
= -4 4V
V
S
= -2 8V
16
C,C apacitanc E( pF)的
12
8
C
RSS
500
4
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
FO 释T C IR ú IT
性S E ê图ú 1 3
40
50
60
A
-V
S
,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
Q
G
,共有摹吃哈耶( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
-I
S.D。
,R EVERSE漏光凭目前 (A )
P·E R A TIO N IN TH IS A R ê A L IM ITE
B Y形
S(O N)
-I
D
,D雨光凭目前 (A )
100
100
100 s
T
J
= 17 5 °C
T
J
= 25 °C
10
1米s
10
0.4
0.8
1.2
1.6
V
的s
= 0V
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
10
10米s
2.0
100
A
-V
S.D。
,S ourc E-到-D雨V oltage ( V)
-V
S
,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.kersemi.com
IRFR/U5305
V
DS
35
R
D
V
GS
30
D.U.T.
+
-I
D
,漏电流( A)
25
-10V
20
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
15
图10A 。
开关时间测试电路
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
10
V
GS
5
10%
0
25
50
75
100
125
150
175
90%
V
DS
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
热响应(Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
P
DM
t
1
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
www.kersemi.com
-
R
G
V
DD
5
查看更多IRFU5305PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRFU5305
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IRFU5305
Infineon Technologies
24+
5000
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
IRFU5305
IR
24+
32000
TO-251
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2394092314 复制 点击这里给我发消息 QQ:792179102 复制 点击这里给我发消息 QQ:841523240 复制

电话:021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务
联系人:李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票
地址:上海公司:上海市静安区海宁路1399号金城大厦 北京公司:海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼 青岛公司:城阳区正阳路205号海都国际A座805
IRFU5305
IR
25+热销
8000新到货
TO-251
专业代理全新正品特价热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3065848471 复制 点击这里给我发消息 QQ:1391615788 复制 点击这里给我发消息 QQ:2319599090 复制
电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
IRFU5305
IR
22+
35620
I-Pak
原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:12979146271572952678 复制 点击这里给我发消息 QQ:1693854995 复制

电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
IRFU5305
IR
21+
2000
TO-251
强调自己全新现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制

电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
IRFU5305
IR
24+
15372
TO-251
全新原装正品现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2850388359 复制 点击这里给我发消息 QQ:2850388357 复制
电话:0755-83035161
联系人:肖先生
地址:福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
IRFU5305
INTERNATIONAL RECTIFIER
5400
原装正品热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
IRFU5305
√ 欧美㊣品
▲10/11+
7969
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2850388352 复制 点击这里给我发消息 QQ:2850388354 复制
电话:0755-83035139
联系人:陈小姐
地址:深圳市福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
IRFU5305
INTERNATIONAL RECTIFIER
5400¥/片,原装正品热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97877805 复制

电话:171-4729-0036(微信同号)
联系人:卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
IRFU5305
INFINEON
24+
3000
TO-251
★体验愉快问购元件!!就找我吧!《停产物料》
查询更多IRFU5305供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!