IRFR/U3710Z
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
39
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.088
15
–––
–––
–––
–––
–––
–––
69
15
25
14
43
53
42
4.5
7.5
2930
290
180
1200
180
430
–––
–––
18
4.0
–––
20
250
200
-200
100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 33A
e
V
S
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 33A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 33A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 33A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
e
e
D
G
S
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
35
41
56
A
220
1.3
53
62
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 33A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 33A ，V
DD
= 50V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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1000
顶部
VGS
15V
10V
6.0V
5.0V
4.8V
4.5V
4.3V
4.0V
1000
顶部
VGS
15V
10V
6.0V
5.0V
4.8V
4.5V
4.3V
4.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
4.0V
10
10
4.0V
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
1
10
100
1
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
1
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
100
政府飞行服务队，正向跨导（ S）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
T J = 175℃
100
80
T J = 25°C
60
T J = 175℃
40
10
TJ = 25°C
VDS = 25V
在60μs脉冲宽度
20
V DS = 10V
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1.0
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型正向跨导
与漏电流
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100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
12.0
ID = 33A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
10000
C，电容（pF ）
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
西塞
1000
8.0
6.0
科斯
CRSS
100
4.0
2.0
10
1
10
100
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
T J = 175℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10.00
10
100sec
1.00
T J = 25°C
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
10msec
VGS = 0V
0.10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
VSD ，源极到漏极电压（V ）
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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60
50
ID ，漏电流（ A）
3.0
不限按包
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 56A
VGS = 10V
2.5
40
30
2.0
1.5
20
10
1.0
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.1
0.01
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
τ
1
τ
2
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.576
0.000540
0.249
0.001424
0.224
0.007998
CI-
τi /日
次I /日
0.001
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.0001
1E-006
1E-005
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
39
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.088
15
–––
–––
–––
–––
–––
–––
69
15
25
14
43
53
42
4.5
7.5
2930
290
180
1200
180
430
–––
–––
18
4.0
–––
20
250
200
-200
100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 33A
e
V
S
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 33A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 33A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 33A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
e
e
D
G
S
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
35
41
56
A
220
1.3
53
62
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 33A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 33A ，V
DD
= 50V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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1000
顶部
VGS
15V
10V
6.0V
5.0V
4.8V
4.5V
4.3V
4.0V
1000
顶部
VGS
15V
10V
6.0V
5.0V
4.8V
4.5V
4.3V
4.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
4.0V
10
10
4.0V
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
1
10
100
1
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
1
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
100
政府飞行服务队，正向跨导（ S）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
T J = 175℃
100
80
T J = 25°C
60
T J = 175℃
40
10
TJ = 25°C
VDS = 25V
在60μs脉冲宽度
20
V DS = 10V
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1.0
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型正向跨导
与漏电流
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100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
12.0
ID = 33A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
10000
C，电容（pF ）
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
西塞
1000
8.0
6.0
科斯
CRSS
100
4.0
2.0
10
1
10
100
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
T J = 175℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10.00
10
100sec
1.00
T J = 25°C
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
10msec
VGS = 0V
0.10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
VSD ，源极到漏极电压（V ）
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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60
50
ID ，漏电流（ A）
3.0
不限按包
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 56A
VGS = 10V
2.5
40
30
2.0
1.5
20
10
1.0
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.1
0.01
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
τ
1
τ
2
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.576
0.000540
0.249
0.001424
0.224
0.007998
CI-
τi /日
次I /日
0.001
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.0001
1E-006
1E-005
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
39
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.088
15
–––
–––
–––
–––
–––
–––
69
15
25
14
43
53
42
4.5
7.5
2930
290
180
1200
180
430
–––
–––
18
4.0
–––
20
250
200
-200
100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 33A
V
S
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 33A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 33A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 33A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
e
e
e
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
G
D
S
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
35
41
56
A
220
1.3
53
62
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 33A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 33A ，V
DD
= 50V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
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1000
顶部
VGS
15V
10V
6.0V
5.0V
4.8V
4.5V
4.3V
4.0V
1000
顶部
VGS
15V
10V
6.0V
5.0V
4.8V
4.5V
4.3V
4.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
4.0V
10
10
4.0V
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
1
10
100
1
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
1
10
100
1
0.1
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
100
政府飞行服务队，正向跨导（ S）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
T J = 175℃
100
80
T J = 25°C
60
T J = 175℃
40
10
TJ = 25°C
VDS = 25V
在60μs脉冲宽度
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
20
V DS = 10V
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1.0
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型正向跨导
与漏电流
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100000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
12.0
ID = 33A
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
10000
C，电容（pF ）
西塞
1000
科斯
CRSS
100
10
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
T J = 175℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10.00
10
100sec
1.00
T J = 25°C
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
1msec
10msec
0.10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VGS = 0V
1.4
1.6
1.8
100
1000
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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60
50
ID ，漏电流（ A）
3.0
不限按包
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 56A
VGS = 10V
2.5
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
2.0
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.1
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
0.01
τ
1
τ
2
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.576
0.000540
0.249
0.001424
0.224
0.007998
0.001
单脉冲
（热反应）
CI-
τi /日
次I /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.0001
1E-006
1E-005
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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