【PD - 93887B开关电源MOSFET应用l高频DC-DC隔离转换器的同步整流对于电信和工业应用】,IC型号IRFU3704,IRFU3704 PDF资料,IRFU3704经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 93887B

开关电源MOSFET

应用

高频DC-DC隔离

转换器的同步整流

对于电信和工业应用

IRFR3704

IRFU3704

HEXFET

功率MOSFET

DSS

20V

DS （ ON）

最大

9.5m

75A

高频降压转换器的

计算机处理器电源

好处

超低R

DS （ ON）

非常低栅极阻抗

充分界定雪崩电压

和电流

D- PAK

IRFR3704

I- PAK

IRFU3704

绝对最大额定值

符号

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

, T

英镑

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

结温和存储温度范围

马克斯。

± 20

300

0.58

-55 + 175

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.7

110

单位

° C / W

*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994

笔记

通过

9页

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8/22/00

IRFR/U3704

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

分钟。

–––

静态漏 - 源极导通电阻

–––

栅极阈值电压

1.0

–––

漏极至源极漏电流

–––

栅 - 源正向漏

–––

栅 - 源反向漏

–––

典型值。

–––

0.021

7.3

–––

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

9.5

= 10V ，我

= 15A

= 4.5V ，我

= 12A

3.0

= V

, I

= 250A

= 16V, V

= 0V

100

= 16V, V

= 0V ，T

= 125°C

200

= 16V

-200

= -16V

动态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

OSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

输出栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

–––

典型值。

–––

8.1

6.4

8.4

5.0

1996

1085

155

MAX 。单位

条件

–––

= 10V ，我

= 57A

–––

= 28.4A

–––

NC V

= 10V

–––

= 4.5V

= 0V, V

= 10V

–––

= 10V

–––

= 28.4A

–––

= 1.8

–––

= 4.5V

–––

= 0V

–––

= 10V

–––

= 1.0MHz的

雪崩特性

符号

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

216

单位

二极管的特性

符号

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向

恢复

时间

收费

时间

收费

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

0.88

0.82

300

1.3

–––

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 35.5A ，V

= 0V

≤ 125 ° C，I

= 35.5A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= 35.5A ，V

=20V

的di / dt = 100A / μs的

≤ 125 ° C，I

= 35.5A ，V

=20V

的di / dt = 100A / μs的

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IRFR/U3704

1000

VGS

顶部

10.0V

9.0V

8.0V

7.0V

6.0V

5.0V

4.5V

BOTTOM 3.5V

1000

VGS

10.0V

9.00V

8.0V

7.0V

6.0V

5.0V

4.5V

BOTTOM 3.5V

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

3.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

100

0.1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= 75A

，漏极 - 源极电流（A ）

= 25

= 175

1.5

100

1.0

0.5

3.0

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

6.0

7.0

4.0

5.0

8.0

0.0

-60 -40 -20

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3000

2500

，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

GD ，

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

28.4A

= 10V

C，电容（pF ）

2000

西塞

1500

OSS

1000

500

RSS

100

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10us

100

，漏电流（ A）

= 175

100

100us

= 25

1ms

10ms

0.1

0.2

= 0 V

0.5

0.8

1.1

1.4

1.7

2.0

0.1

= 25 ° C

= 175 ° C

单脉冲

100

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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不限按包

D.U.T.

，漏电流（ A）

10V

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

90%

100

125

150

175

，外壳温度

( ° C)

10%

D（上）

D（关闭）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.01

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.1

0.0001

0.001

0.01

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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