【PD - 94452HEXFET功率MOSFET应用l高频DC- DC转换器好处l低栅极 - 漏极电】,IC型号IRFU3418,IRFU3418 PDF资料,IRFU3418经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94452

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

IRFR3418

IRFU3418

I

D

30A

V

DSS

80V

R

DS （ ON）

最大

14m

:

D- PAK

IRFR3418

I- PAK

IRFU3418

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

A

= 25°C

dv / dt的

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

80

± 20

70

50

280

140

3.8

0.95

5.2

-55 + 175

单位

V

h

A

W

c

最大功率耗散

线性降额因子

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

e

W / ℃，

V / ns的

°C

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

300 （ 1.6毫米从案例）

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装） *

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.05

40

110

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

09/12/02

IRFR/U3418

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。典型值。马克斯。单位

80

–––

3.5

–––

0.08

11.5

–––

14

5.5

1.0

250

100

-100

nA

V

m

V

A

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 18A

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V

V

DS

= 64V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

f

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

66

–––

63

23

24

72

41

27

3510

330

190

1220

240

360

–––

94

–––

pF

ns

nC

S

I

D

= 18A

V

DS

= 40V

V

GS

= 10V

V

DD

= 40V

I

D

= 18A

R

G

= 6.8

V

GS

= 10V

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

条件

V

DS

= 25V ，我

D

= 18A

f

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 64V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至64V

e

雪崩特性

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

dh

典型值。

–––

马克斯。

260

18

单位

mJ

A

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

57

130

70

280

1.3

–––

V

ns

nC

A

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

h

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 18A ，V

GS

= 0V

f

T

J

= 150℃，我

F

= 18A ，V

DD

= 25V

的di / dt = 100A / μs的

f

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

2

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IRFR/U3418

1000

顶部

VGS

15V

10V

9.0V

8.0V

7.5V

7.0V

6.5V

6.0V

1000

顶部

VGS

15V

10V

9.0V

8.0V

7.5V

7.0V

6.5V

6.0V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

10

底部

1

10

6.0V

1

0.1

6.0V

0.01

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.001

0.1

1

10

100

1000

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

2.5

I

D

= 70A

100.00

T J = 175℃

10.00

1.00

T J = 25°C

0.10

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

0.01

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

°

T

J

，结温（ ° C）

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFR/U3418

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞=的Cgs + Cgd的，C DS短路

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

12.0

ID = 18A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

10.0

10000

VDS = 64V

VDS = 40V

VDS = 16V

C，电容（pF ）

西塞

1000

8.0

6.0

科斯

CRSS

100

4.0

2.0

10

1

10

100

0.0

0

10

20

30

40

50

60

70

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q g总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.00

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.00

T J = 175℃

10.00

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100

100sec

10

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0.1

10msec

1.00

T J = 25°C

VGS = 0V

0.10

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VSD ，源toDrain电压（ V）

1

10

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRFR/U3418

80

V

DS

不限按包

R

D

V

GS

R

G

V

GS

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

60

-

V

DD

40

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

20

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

P

DM

t

1

t

2

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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PD - 94452

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

IRFR3418

IRFU3418

I

D

30A

V

DSS

80V

R

DS （ ON）

最大

14m

:

D- PAK

IRFR3418

I- PAK

IRFU3418

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

A

= 25°C

dv / dt的

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

80

± 20

70

50

280

140

3.8

0.95

5.2

-55 + 175

单位

V

h

A

W

c

最大功率耗散

线性降额因子

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

e

W / ℃，

V / ns的

°C

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

300 （ 1.6毫米从案例）

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装） *

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.05

40

110

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

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IRFR/U3418

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。典型值。马克斯。单位

80

–––

3.5

–––

0.08

11.5

–––

14

5.5

1.0

250

100

-100

nA

V

m

V

A

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 18A

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V

V

DS

= 64V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

f

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

66

–––

63

23

24

72

41

27

3510

330

190

1220

240

360

–––

94

–––

pF

ns

nC

S

I

D

= 18A

V

DS

= 40V

V

GS

= 10V

V

DD

= 40V

I

D

= 18A

R

G

= 6.8

V

GS

= 10V

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

条件

V

DS

= 25V ，我

D

= 18A

f

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 64V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至64V

e

雪崩特性

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

dh

典型值。

–––

马克斯。

260

18

单位

mJ

A

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

57

130

70

280

1.3

–––

V

ns

nC

A

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

h

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 18A ，V

GS

= 0V

f

T

J

= 150℃，我

F

= 18A ，V

DD

= 25V

的di / dt = 100A / μs的

f

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

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1000

顶部

VGS

15V

10V

9.0V

8.0V

7.5V

7.0V

6.5V

6.0V

1000

顶部

VGS

15V

10V

9.0V

8.0V

7.5V

7.0V

6.5V

6.0V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

10

底部

1

10

6.0V

1

0.1

6.0V

0.01

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.001

0.1

1

10

100

1000

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

2.5

I

D

= 70A

100.00

T J = 175℃

10.00

1.00

T J = 25°C

0.10

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

0.01

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

°

T

J

，结温（ ° C）

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞=的Cgs + Cgd的，C DS短路

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

12.0

ID = 18A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

10.0

10000

VDS = 64V

VDS = 40V

VDS = 16V

C，电容（pF ）

西塞

1000

8.0

6.0

科斯

CRSS

100

4.0

2.0

10

1

10

100

0.0

0

10

20

30

40

50

60

70

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q g总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.00

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.00

T J = 175℃

10.00

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100

100sec

10

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0.1

10msec

1.00

T J = 25°C

VGS = 0V

0.10

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VSD ，源toDrain电压（ V）

1

10

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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80

V

DS

不限按包

R

D

V

GS

R

G

V

GS

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

60

-

V

DD

40

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

20

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

P

DM

t

1

t

2

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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