IRFR320 ， IRFU320
数据表
1999年7月
网络文件编号
2412.3
3.1A ， 400V ， 1.800 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关
变流器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高
功率双极开关需要高速的晶体管和
低栅极驱动电源。这些类型可以直接操作
从集成电路。
以前发育类型TA17404 。
特点
3.1A ， 400V
r
DS （ ON）
= 1.800
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRFR320
IRFU320
包
TO-252AA
TO-251AA
BRAND
IFR320
IFU320
符号
D
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得在磁带和卷轴，即IRFR3209A的TO- 252AA变种。
S
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
JEDEC TO- 252AA
门
漏
（法兰）
漏极（法兰）
漏
来源
4-395
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
IRFR320 ， IRFU320
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFR320 ， IRFU320
400
400
3.1
2.0
12
±20
50
0.4
190
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
测量从排水
铅， 6.0毫米（ 0.25英寸） ，从
包到中心
模具
测量从
源铅， 6.0毫米
（ 0.25英寸），从包装到
来源粘合垫
修改MOSFET
符号显示的
内部寄存器
电感
D
L
D
G
L
S
S
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V时， （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
J
= 125
o
C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V,
（图7）
V
GS
=
±20V
I
D
= 1.7A ，V
GS
= 10V， （图8,9 ）
V
DS
≥
10V ，我
D
= 2.0A ， （图12）
V
DD
=
200V ，我
D
≈
3.1A ，R
GS
= 18, R
L
= 63,
V
GS
= 10V
MOSFET开关时间基本上是Indepen-
工作温度的凹痕
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.1A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS ，
I
G（ REF ）
= 1.5毫安， （图14）
栅极电荷基本上是独立的Operat-
ING温度
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V中，f = 1MHz时， （图11）
民
400
2.0
-
-
3.1
-
-
1.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
1.600
2.6
10
14
30
13
13
2.2
7.2
350
64
8.1
4.5
最大
-
4.0
25
250
-
±100
1.800
-
15
21
45
20
20
3.3
11
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
内部源极电感
L
S
-
7.5
-
nH
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
R
θJC
R
θJA
典型的焊接安装
-
-
-
-
2.5
110
o
C / W
o
C / W
4-396
IRFR320 ， IRFU320
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示在 -
tegral反向P -N
结整流器
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
3.1
12
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 3.1A ，V
GS
= 0V,
（图13）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 3.1A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 3.1A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
120
0.64
-
270
1.4
1.6
600
3.0
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 3.1mH ，R
GS
= 25Ω ，峰值I
AS
= 3.1A.
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
除非另有规定编
4.0
I
D
，漏电流（ A）
125
50
75
100
T
C
，外壳温度（
o
C)
3.2
2.4
1.6
0.8
150
175
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
，瞬态热阻抗
10
0.5
1
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-4
10
-3
10
-2
0.1
1
10
10
-2
10
-5
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.最大瞬态热阻抗
4-397
IRFR320 ， IRFU320 ， SiHFR320 ， SiHFU320
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
20
3.3
11
单身
D
特点
400
1.8
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
表面贴装（ IRFR320 / SiHFR320 ）
直铅（ IRFU320 / SiHFU320 ）
可用磁带和卷轴
快速开关
易于并联的
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR320PbF
SiHFR320-E3
IRFR320
SiHFR320
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR320TRLPbF
a
SiHFR320TL-E3
a
IRFR320TRL
a
SiHFR320TL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR320TRPbF
a
SiHFR320T-E3
a
IRFR320TR
a
SiHFR320T
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR320TRRPbF
a
SiHFR320TR-E3
a
IRFR320TRR
a
SiHFR320TR
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU320PbF
SiHFU320-E3
IRFU320
SiHFU320
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
400
± 20
3.1
2.0
12
0.33
0.020
160
3.1
4.2
42
2.5
4.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
I
DM
脉冲漏
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
I
AR
重复性雪崩电流
a
E
AR
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
T
A
= 25 °C
最大功率耗散（ PCB安装）
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 29 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 3.1 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
3.1 A， di / dt的
≤
65 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91273
S- 81367 -REV 。 A， 21 -JUL- 08
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
www.vishay.com
1
IRFR320 ， IRFU320 ， SiHFR320 ， SiHFU320
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
110
50
3.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 320 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.9 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 1.9 A
400
-
2.0
-
-
-
-
1.7
-
0.51
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
1.8
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
350
120
47
-
-
-
10
14
30
13
4.5
7.5
-
-
-
20
3.3
11
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.3 A，V
DS
= 320 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 200 V，I
D
= 3.3 A,
R
G
= 18
Ω,
R
D
= 56
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
G
-
S
-
-
-
-
-
-
-
-
270
1.4
3.1
A
12
1.6
600
3.0
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 3.1 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91273
S- 81367 -REV 。 A， 21 -JUL- 08
IRFR320 ， IRFU320 ， SiHFR320 ， SiHFU320
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91273
S- 81367 -REV 。 A， 21 -JUL- 08
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3
IRFR320 ， IRFU320 ， SiHFR320 ， SiHFU320
Vishay Siliconix公司
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
文档编号： 91273
S- 81367 -REV 。 A， 21 -JUL- 08
IRFR320 ， IRFU320 ， SiHFR320 ， SiHFU320
Vishay Siliconix公司
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
文档编号： 91273
S- 81367 -REV 。 A， 21 -JUL- 08
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5
IRFR320 ， IRFU320 ， SiHFR320 ， SiHFU320
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
20
3.3
11
单身
D
特点
400
1.8
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
表面贴装（ IRFR320 / SiHFR320 ）
直铅（ IRFU320 / SiHFU320 ）
可用磁带和卷轴
快速开关
易于并联的
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR320PbF
SiHFR320-E3
IRFR320
SiHFR320
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR320TRLPbF
a
SiHFR320TL-E3
a
IRFR320TRL
a
SiHFR320TL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR320TRPbF
a
SiHFR320T-E3
a
IRFR320TR
a
SiHFR320T
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR320TRRPbF
a
SiHFR320TR-E3
a
IRFR320TRR
a
SiHFR320TR
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU320PbF
SiHFU320-E3
IRFU320
SiHFU320
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
400
± 20
3.1
2.0
12
0.33
0.020
160
3.1
4.2
42
2.5
4.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
I
DM
脉冲漏
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
I
AR
E
AR
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
T
A
= 25 °C
最大功率耗散（ PCB安装）
峰值二极管恢复的dv / dt
c
dv / dt的
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 29 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 3.1 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
3.1 A， di / dt的
≤
65 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
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1
IRFR320 ， IRFU320 ， SiHFR320 ， SiHFU320
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
110
50
3.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 320 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.9 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 1.9 A
400
-
2.0
-
-
-
-
1.7
-
0.51
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
1.8
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
350
120
47
-
-
-
10
14
30
13
4.5
7.5
-
-
-
20
3.3
11
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.3 A，V
DS
= 320 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 200 V，I
D
= 3.3 A,
R
G
= 18
Ω,
R
D
= 56
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
G
-
S
-
-
-
-
-
-
-
-
270
1.4
3.1
A
12
1.6
600
3.0
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 3.1 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
IRFR320 ， IRFU320 ， SiHFR320 ， SiHFU320
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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3
IRFR320 ， IRFU320 ， SiHFR320 ， SiHFU320
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
IRFR320 ， IRFU320 ， SiHFR320 ， SiHFU320
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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