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PD - 95353A

开关电源MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

l

LEAD -FREE

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

HEXFET

功率MOSFET

IRFR12N25DPbF

IRFU12N25DPbF

I

D

14A

V

DSS

250V

R

DS （ ON）

最大

0.26

D- PAK

IRFR12N25D

I- PAK

IRFU12N25D

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

14

9.7

56

144

0.96

± 30

9.3

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

典型值。

–––

–––

–––

马克斯。

1.04

50

110

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

12/2/04

IRFR/U12N25DPbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

250

–––

–––

3.0

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.29

–––

–––

–––

–––

–––

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.26

V

GS

= 10V ，我

D

= 8.4A

5.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

25

V

DS

= 200V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 160V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 30V

nA

-100

V

GS

= -30V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

6.8

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

23

5.8

12

9.1

25

16

9.2

810

130

22

1100

50

130

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 8.4A

35

I

D

= 8.4A

8.7

NC V

DS

= 200V

19

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 125V

–––

I

D

= 8.4A

ns

–––

R

G

= 6.8

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 200V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至200V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

–––

–––

马克斯。

250

8.4

14

单位

mJ

A

mJ

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

14

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– –––

56

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.5

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 8.4A ，V

GS

= 0V

––– 140 –––

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 8.4A

––– 710 –––

nC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

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IRFR/U12N25DPbF

100

VGS

顶部

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

10

1

0.1

5.0V

1

5.0V

0.01

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.001

0.1

1

10

100

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

0.1

0.1

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100.00

3.5

I

D

= 14A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

TJ = 175℃

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

3.0

10.00

2.5

（归一化）

2.0

1.00

T J = 25°C

0.10

1.5

1.0

0.01

5.0

7.0

9.0

VDS = 15V

20μs的脉冲宽度

11.0

13.0

15.0

0.5

V

GS

= 10V

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温

(

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRFR/U12N25DPbF

10000

12

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + Cgd的

ds

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

I

D

=

8.4A

V

DS

= 200V

V

DS

= 125V

V

DS

= 50V

10

C，电容（pF ）

1000

西塞

7

5

100

科斯

2

CRSS

10

1

10

100

1000

0

0

5

10

15

20

25

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100.00

T J = 175℃

10.00

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

10

100sec

1.00

T J = 25°C

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0.1

1

10

100

1msec

VGS = 0V

0.10

0.0

1.0

2.0

3.0

VSD ，源toDrain电压（ V）

10msec

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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15

V

DS

V

GS

R

D

12

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

D.U.T.

+

-

V

DD

I

D

，漏电流（ A）

9

6

图10A 。

开关时间测试电路

3

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( °C)

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

(Z

thJC

)

1

D = 0.50

热响应

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

t

1

/ t

2

+T

C

1

P

DM

t

1

t

2

J

= P

DM

X Z

thJC

0.1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

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全新原装现货，原厂代理。

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原装正品

深圳市芯福林电子科技有限公司

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