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PD- 94080
IRFB4710
IRFS4710
IRFSL4710
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
l
电机控制
l
Uninterrutible电源
好处
l
低栅极 - 漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计， （见
应用程序。注AN1001 ）
l
充分界定雪崩电压
和电流
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装torqe ， 6-32或M3螺丝？
V
DSS
100V
R
DS （ ON）
最大
0.014
I
D
75A
TO-220AB
IRFB4710
D
2
PAK
IRFS4710
TO-262
IRFSL4710
马克斯。
75
53
300
3.8
200
1.4
± 20
8.2
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
笔记
通过
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结至环境？
结至环境？
在第11页
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.74
–––
62
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
3/16/01
IRFB/IRFS/IRFL4710
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
100
–––
–––
3.5
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.11
0.011
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.014
V
GS
= 10V ，我
D
= 45A
5.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
1.0
V
DS
= 95V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
35
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
110
43
40
35
130
41
38
6160
440
250
1580
280
430
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 45A
170
I
D
= 45A
–––
nC
V
DS
= 50V
–––
V
GS
= 10V,
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= 45A
ns
–––
R
G
= 4.5
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
190
45
20
单位
mJ
A
mJ
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
75
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– ––– 300
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 45A ，V
GS
= 0V
––– 74 110
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 45A
––– 180 260
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
2
www.irf.com
IRFB/IRFS/IRFL4710
1000
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.5V
7.0V
6.5V
BOTTOM 6.0V
顶部
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
1
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.5V
7.0V
6.5V
BOTTOM 6.0V
顶部
100
10
6.0V
6.0V
0.1
0.01
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
I
D
= 75A
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 175
°
C
2.5
100
2.0
10
1.5
T
J
= 25
°
C
1
1.0
0.5
0.1
6.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
7.0
8.0
9.0
10.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFB/IRFS/IRFL4710
10000
20
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + C ，C
gs
gd
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + C
DS GD
I
D
= 45A
V
DS
= 80V
V
DS
= 50V
V
DS
= 20V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
8000
16
C，电容（pF ）
西塞
6000
12
4000
8
2000
4
科斯
0
1
CRSS
0
10
100
0
40
80
测试电路
见图13
120
160
200
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
T
J
= 175
°
C
10
100sec
10
1
T
J
= 25
°
C
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
10msec
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
100
1000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRFB/IRFS/IRFL4710
80
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
60
R
G
-
V
DD
10V
40
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
20
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.irf.com
5
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