【PD- 93903开关电源MOSFETIRFB33N15DIRFS33N15DIRFSL33N15D】,IC型号IRFSL33N15D,IRFSL33N15D PDF资料,IRFSL33N15D经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD- 93903

开关电源MOSFET

IRFB33N15D

IRFS33N15D

IRFSL33N15D

HEXFET

功率MOSFET

应用

高频DC- DC转换器

好处

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

充分界定雪崩电压

和电流

DSS

150V

DS （ ON）

最大

0.056

33A

TO-220AB

IRFB33N15D

PAK

IRFS33N15D

TO-262

IRFSL33N15D

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装torqe ， 6-32或M3螺丝？

马克斯。

130

3.8

170

1.1

± 30

4.4

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

典型SMPS拓扑

电信48V输入有源钳位正激变换器

笔记

通过

在第11页

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6/29/00

IRFB/IRFS/IRFSL33N15D

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

GS （ TH）

栅极阈值电压

DSS

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

150 ––– –––

= 0V时，我

= 250A

--- 0.18 --- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

––– ––– 0.056

= 10V ，我

= 20A

3.0

––– 5.5

= V

, I

= 250A

––– ––– 25

= 150V, V

= 0V

––– ––– 250

= 120V, V

= 0V ，T

= 150°C

––– ––– 100

= 30V

––– ––– -100

= -30V

动态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

–––

典型值。

–––

2020

400

2440

180

320

MAX 。单位

条件

–––

= 50V ，我

= 20A

NC V

= 120V

= 10V,

–––

= 75V

–––

= 20A

–––

= 3.6

–––

= 10V

–––

= 0V

–––

= 25V

–––

= 1.0MHz的？

–––

= 0V, V

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

= 0V, V

= 120V ， = 1.0MHz的

–––

= 0V, V

= 0V至120V

雪崩特性

参数

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

马克斯。

330

单位

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结至环境？

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.90

–––

单位

° C / W

二极管的特性

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

––– –––

展示

整体反转

––– ––– 130

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

= 25 ° C，I

= 20A ，V

= 0V

––– 150 –––

= 25 ° C，I

= 20A

––– 920 –––

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

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1000

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1000

，漏极 - 源极电流（A ）

100

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

4.5V

20μs的脉冲宽度

= 175

100

4.5V

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.1

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

= 33A

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

100

= 175

2.0

1.5

= 25

1.0

0.5

0.1

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

0.0

-60 -40 -20

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

DS短路

CRSS = C

COSS = C + Cgd的

= 20A

= 120V

= 75V

= 30V

，栅 - 源极电压（ V）

10000

C，电容（pF ）

西塞

1000

科斯

100

CRSS

100

1000

测试电路

见图13

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

100

，漏电流（ A）

100

= 175

10us

100us

1ms

= 25

0.1

0.2

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

= 25 ° C

= 175 ° C

单脉冲

100

10ms

1000

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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D.U.T.

，漏电流（ A）

10V

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

90%

100

125

150

175

，外壳温度（ ° C）

10%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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