StrongIRFET ？
应用
l
l
l
l
l
l
l
l
l
有刷电机驱动应用
BLDC电机驱动应用
电池供电的电路
半桥和全桥拓扑结构
同步整流应用
谐振式电源
OR- ING和冗余电源开关
DC / DC和AC / DC转换
DC / AC逆变器
IRFS7440PbF
IRFSL7440PbF
HEXFET
功率MOSFET
D
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
I
D（包装有限公司）
D
40V
2.0m
2.5m
208A
120A
c
好处
l
l
l
l
l
D
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
充分界定电容和雪崩
SOA
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
LEAD -FREE
不含铅符合RoHS ，无溴，
无卤素
S
G
G
D
S
D
2
PAK
IRFS7440PbF
G
D
TO-262
IRFSL7440PbF
S
门
漏
来源
订购信息
基本零件编号
IRFS7440PbF
IRFS7440PbF
IRFSL7440PbF
套餐类型
D2-Pak
D2-Pak
TO-262
标准包装
形式
管
磁带和卷轴左
管
完整型号
QUANTITY
50
800
50
IRFS7440PbF
IRFS7440TRLPbF
IRFSL7440PbF
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M
)
7.0
ID = 100A
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
T J = 25°C
1.0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J = 125°C
ID ，漏电流（ A）
240
200
160
120
80
40
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
不限按包
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
图2 。
最大漏极电流与外壳温度
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1
2012年10月10日
IRFS/SL7440PbF
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V （焊线有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
单脉冲雪崩能量
马克斯。
208
147
120
单位
A
d
772
208
1.4
± 20
-55 + 175
300
238
298
参见图。 14，15， 22a和22b的
W
W / ℃，
V
°C
雪崩特性
E
AS （限热）
E
AS （测试）
I
AR
E
AR
e
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
d
k
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
d
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
j
参数
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.72
40
单位
° C / W
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
分钟。
40
–––
–––
–––
2.2
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.035
2.0
3.0
3.0
–––
–––
–––
–––
2.6
MAX 。单位
–––
–––
2.5
–––
3.9
1.0
150
100
-100
–––
V
V /°C的
m
m
V
μA
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
参考至25℃ ，我
D
= 5.0毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 100A
V
GS
= 6.0V ，我
D
= 50A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
g
g
d
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。键合线限流是120A 。需要注意的是电流
从可能发生的设备引线加热所产生的局限性
一些导致安装布置。
（参见AN- 1140 ）
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.048mH
R
G
= 50, I
AS
= 100A ，V
GS
=10V.
I
SD
100A ， di / dt的
1330A / μs的，V
DD
V
（ BR ） DSS
, T
J
175°C.
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
R
测定在T
J
大约90℃。
从样品失效的人口决定了这个值，
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.048mH中，R
G
= 50, I
AS
= 100A ，V
GS
=10V.
2
2012年10月10日
www.irf.com
IRFS/SL7440PbF
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
1
4.5V
10
4.5V
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图3 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
图4 。
典型的输出特性
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
ID = 100A
VGS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
VDS = 10V
在60μs脉冲宽度
1.0
3
4
5
6
7
8
9
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图5 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图6 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
ID = 100A
VDS = 32V
VDS = 20V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
20
40
60
80
100
120
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图8 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
4
2012年10月10日
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IRFS/SL7440PbF
1000
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1000
100μsec
100
1msec
10
受
包
10msec
1
DC
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
100
100
10
T J = 25°C
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD ，源极到漏极电压（V ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
T J = 175℃
0.1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
图9 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，温度（° C）
ID = 5.0毫安
图10 。
最大安全工作区
0.8
VDS = 0V至32V
0.6
能量（ μJ ）
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
图11 。
漏极至源极击穿电压
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图12 。
典型的C
OSS
储能
VGS = 5.5V
VGS = 6.0V
40
30
VGS = 7.0V
VGS = 8.0V
VGS = 10V
20
10
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
ID ，漏电流（ A）
图13 。
典型导通电阻与漏电流
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2012年10月10日
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