PD - 96894
IRFB4310
IRFS4310
IRFSL4310
应用
l
高效率同步整流开关电源
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频电路
好处
l
在全球最佳R
DS （ ON）
在TO- 220
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
G
S
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
100V
5.6m
:
7.0m
:
140A
g DS的
TO-220AB
IRFB4310
g DS的
D
2
PAK
IRFS4310
g DS的
TO-262
IRFSL4310
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
d
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
f
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
140c
97
c
550
330
2.2
± 20
14
-55 + 175
300
10lbxin （ 1.1Nxm ）
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
雪崩特性
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
e
雪崩电流
c
重复性雪崩能量
g
980
参见图。 14，15， 22A，22B，
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
参数
结到外壳
k
外壳到散热器，平板油脂润滑表面， TO- 220
结到环境， TO- 220
k
结到环境（ PCB安装） ，D
2
PAK
jk
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.45
–––
62
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
11/3/04
IRF/B/S/SL4310
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏极至源极击穿电压
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.064
5.6
–––
–––
–––
–––
–––
1.4
–––
–––
7.0
4.0
20
250
200
-200
–––
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
门输入电阻
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1mAd
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
g
V
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
F = 1MHz时，漏极开路
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
160
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
170
46
62
26
110
68
78
7670
540
280
650
720.1
–––
250
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
S
nC
I
D
= 75A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
g
V
DD
= 65V
I
D
= 75A
R
G
= 2.6
V
GS
= 10V
g
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
条件
V
DS
= 50V ，我
D
= 75A
C
OSS
EFF 。 （ ER ）的有效输出电容（能源相关） I ---
C
OSS
EFF 。 （ TR ）有效输出电容（时间相关）H
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
j,
参见图11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
h,
参见图。五
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
di
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 140c
–––
–––
45
55
82
120
3.3
550
1.3
68
83
120
180
–––
A
nC
V
ns
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
g
V
R
= 85V,
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
I
F
= 75A
的di / dt = 100A / μs的
g
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。套餐限制电流为75A
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.35mH
R
G
= 25, I
AS
= 75A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
75A ， di / dt的
≤
550A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
约90℃的
2
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IRF/B/S/SL4310
1000
顶部
1000
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
100
10
4.5V
1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
10
100
0.1
1
4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
3.0
图2 。
典型的输出特性
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 75A
2.5
ID ，漏 - 源电流
(Α)
VGS = 10V
100
TJ = 175℃
2.0
10
1.5
TJ = 25°C
VDS = 50V
1.0
≤
在60μs脉冲宽度
1
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
12000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 75A
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
10000
16
C，电容（pF ）
8000
西塞
12
6000
8
4000
4
2000
科斯
CRSS
1
10
100
0
0
0
40
80
120
160
200
240
280
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
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3
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1000.0
10000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
TJ = 175℃
ISD ，反向漏电流（ A）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.0
1000
100
100sec
10.0
TJ = 25°C
1.0
10
1
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
1msec
10msec
DC
100
1000
0.1
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
140
不限按包
120
ID ，漏电流（ A）
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压
120
图8 。
最大安全工作区
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
TC ，外壳温度（ ° C）
115
110
105
100
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
4.0
TJ ，结温（ ° C）
图10 。
漏极至源极击穿电压
2400
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
3.5
3.0
2000
12A
17A
底部
75A
顶部
ID
能量（ μJ ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100
120
1600
1200
800
400
0
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
4
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IRF/B/S/SL4310
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
τ
τ
2
0.01
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.1962 0.00117
0.2542
0.016569
τ
1
0.001
CI-
τi /日
次I /日
单脉冲
（热反应）
0.0001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
1000
占空比=单脉冲
雪崩电流（ A）
100
0.01
0.05
10
允许雪崩电流与
雪崩脉冲宽度， TAV
假设
-Tj
= 25°C ，由于
雪崩损失。注意：在无
本案应TJ被允许
超过TJMAX
0.10
1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
TAV （秒）
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
1000
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
800
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 ％占空比
ID = 75A
600
400
200
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
175
0
25
50
75
100
125
150
开始TJ ，结温（ ° C）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
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IRFS4310
IRFSL4310
应用
l
高效率同步整流开关电源
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频电路
好处
l
在全球最佳R
DS （ ON）
在TO- 220
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
G
S
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
100V
5.6m
:
7.0m
:
140A
g DS的
TO-220AB
IRFB4310
g DS的
D
2
PAK
IRFS4310
g DS的
TO-262
IRFSL4310
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
d
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
f
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
140c
97
c
550
330
2.2
± 20
14
-55 + 175
300
10lbxin （ 1.1Nxm ）
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
雪崩特性
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
e
雪崩电流
c
重复性雪崩能量
g
980
参见图。 14，15， 22A，22B，
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
参数
结到外壳
k
外壳到散热器，平板油脂润滑表面， TO- 220
结到环境， TO- 220
k
结到环境（ PCB安装） ，D
2
PAK
jk
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.45
–––
62
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
11/3/04
IRF/B/S/SL4310
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏极至源极击穿电压
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.064
5.6
–––
–––
–––
–––
–––
1.4
–––
–––
7.0
4.0
20
250
200
-200
–––
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
门输入电阻
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1mAd
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
g
V
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
F = 1MHz时，漏极开路
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
160
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
170
46
62
26
110
68
78
7670
540
280
650
720.1
–––
250
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
S
nC
I
D
= 75A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
g
V
DD
= 65V
I
D
= 75A
R
G
= 2.6
V
GS
= 10V
g
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
条件
V
DS
= 50V ，我
D
= 75A
C
OSS
EFF 。 （ ER ）的有效输出电容（能源相关） I ---
C
OSS
EFF 。 （ TR ）有效输出电容（时间相关）H
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
j,
参见图11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
h,
参见图。五
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
di
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 140c
–––
–––
45
55
82
120
3.3
550
1.3
68
83
120
180
–––
A
nC
V
ns
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
g
V
R
= 85V,
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
I
F
= 75A
的di / dt = 100A / μs的
g
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。套餐限制电流为75A
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.35mH
R
G
= 25, I
AS
= 75A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
75A ， di / dt的
≤
550A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
约90℃的
2
www.irf.com
IRF/B/S/SL4310
1000
顶部
1000
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
100
10
4.5V
1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
10
100
0.1
1
4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
3.0
图2 。
典型的输出特性
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 75A
2.5
ID ，漏 - 源电流
(Α)
VGS = 10V
100
TJ = 175℃
2.0
10
1.5
TJ = 25°C
VDS = 50V
1.0
≤
在60μs脉冲宽度
1
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
12000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 75A
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
10000
16
C，电容（pF ）
8000
西塞
12
6000
8
4000
4
2000
科斯
CRSS
1
10
100
0
0
0
40
80
120
160
200
240
280
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
www.irf.com
3
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1000.0
10000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
TJ = 175℃
ISD ，反向漏电流（ A）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.0
1000
100
100sec
10.0
TJ = 25°C
1.0
10
1
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
1msec
10msec
DC
100
1000
0.1
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
140
不限按包
120
ID ，漏电流（ A）
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压
120
图8 。
最大安全工作区
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
TC ，外壳温度（ ° C）
115
110
105
100
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
4.0
TJ ，结温（ ° C）
图10 。
漏极至源极击穿电压
2400
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
3.5
3.0
2000
12A
17A
底部
75A
顶部
ID
能量（ μJ ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100
120
1600
1200
800
400
0
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
4
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IRF/B/S/SL4310
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
τ
τ
2
0.01
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.1962 0.00117
0.2542
0.016569
τ
1
0.001
CI-
τi /日
次I /日
单脉冲
（热反应）
0.0001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
1000
占空比=单脉冲
雪崩电流（ A）
100
0.01
0.05
10
允许雪崩电流与
雪崩脉冲宽度， TAV
假设
-Tj
= 25°C ，由于
雪崩损失。注意：在无
本案应TJ被允许
超过TJMAX
0.10
1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
TAV （秒）
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
1000
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
800
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 ％占空比
ID = 75A
600
400
200
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
175
0
25
50
75
100
125
150
开始TJ ，结温（ ° C）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
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5
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应用
l
高效率同步整流开关电源
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频电路
好处
l
在全球最佳R
DS （ ON）
在TO- 220
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
G
S
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
7.0m
:
140A
100V
5.6m
:
GDS
TO-220AB
IRFB4310
GDS
D
2
PAK
IRFS4310
GDS
TO-262
IRFSL4310
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
140
d
97
550
330
2.2
± 20
14
单位
A
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
f
-55 + 175
300
10磅在（ 1.1N M）
x
x
雪崩特性
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
e
980
参见图。 14，15， 22A，22B，
mJ
A
mJ
重复性雪崩能量
g
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
k
参数
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.45
–––
62
40
单位
° C / W
外壳到散热器，平板油脂润滑表面， TO- 220
结到环境， TO- 220
k
结到环境（ PCB安装） ，D
2
PAK
jk
1 / 11
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静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏极至源极击穿电压
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.064
5.6
–––
–––
–––
–––
–––
1.4
–––
–––
7.0
4.0
20
250
200
-200
–––
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
门输入电阻
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V
A
g
d
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
F = 1MHz时，漏极开路
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
160
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
170
46
62
26
110
68
78
7670
540
280
650
720.1
–––
250
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
S
nC
I
D
= 75A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 65V
I
D
= 75A
R
G
= 2.6
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
条件
V
DS
= 50V ，我
D
= 75A
g
g
j
，参见图11
= 0V至80V
h
，参照图五
条件
D
C
OSS
EFF 。 （ ER ）的有效输出电容（能源相关）
C
OSS
EFF 。 （ TR ）有效输出电容（时间相关）
h
i
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 140
–––
–––
45
55
82
120
3.3
A
MOSFET符号
展示
整体反转
G
-dI
550
1.3
68
83
120
180
–––
A
nC
V
ns
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
V
R
= 85V,
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
S
g
g
I
F
= 75A
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。套餐限制电流为75A
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.35mH
R
G
= 25, I
AS
= 75A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
75A ， di / dt的
≤
550A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
约90℃的
2 / 11
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1000
顶部
1000
IRF/B/S/SL4310
顶部
底部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
100
10
4.5V
1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
10
100
0.1
1
4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
3.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
ID = 75A
VGS = 10V
2.5
100
TJ = 175℃
2.0
1.5
10
TJ = 25°C
VDS = 50V
1.0
≤
在60μs脉冲宽度
1
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
12000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
8000
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 75A
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
10000
16
C，电容（pF ）
西塞
12
6000
8
4000
4
2000
科斯
CRSS
1
10
100
0
0
0
40
80
120
160
200
240
280
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
3 / 11
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1000.0
10000
TJ = 175℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1000
100.0
100
100sec
10.0
TJ = 25°C
1.0
10
1
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
1msec
10msec
DC
100
1000
0.1
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
140
不限按包
120
ID ，漏电流（ A）
图8 。
最大安全工作区
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
TC ，外壳温度（ ° C）
115
110
105
100
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
4.0
3.5
3.0
图10 。
漏极至源极击穿电压
2400
2000
I D
顶部
12A
17A
底部
75A
1600
能量（ μJ ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100
120
1200
800
400
0
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
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1
IRF/B/S/SL4310
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
τ
1
τ
2
τ
热响应（ ZthJC ）
0.1
0.01
0.02
0.01
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.1962 0.00117
0.2542
0.016569
0.001
CI-
τi /日
CI = I /日
单脉冲
（热反应）
0.0001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
100
占空比=单脉冲
雪崩电流（ A）
0.01
0.05
0.10
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
TJ = 150℃
和T开始= 25°C （单脉冲）
10
1
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
Τ
J = 25 ℃，并
T开始= 150℃。
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
TAV （秒）
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
1000
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
800
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 ％占空比
ID = 75A
600
400
200
0
25
50
75
100
125
150
175
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要没有牛逼
JMAX
NOR
IAV （最大）超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
开始TJ ，结温（ ° C）
图15 。
最大雪崩能量比。温度
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