PD - 96131A
PDP开关
特点
l
先进的工艺技术
l
优化的PDP延的关键参数,
能量回收和旁路开关的应用
l
低辐射
脉冲
等级达到降低功耗
耗散PDP延,能量回收
并通过开关应用
l
低Q
G
快速响应
l
高重复峰值电流能力
可靠运行
l
短期回落&上升时间的快速切换
l
175 ° C的工作结温
提高耐用性
l
重复雪崩能力的
鲁棒性和可靠性
IRFS4227PbF
IRFSL4227PbF
主要参数
200
240
22
130
175
D
D
D
V
DS
最大
V
DS (雪崩)
典型值。
R
DS ( ON)
(典型值) 。 @ 10V
I
RP
最大@ T
C
= 100°C
T
J
最大
V
V
m
:
A
°C
G
S
S
D
G
D
2
PAK
IRFS4227PbF
S
D
G
TO-262
IRFSL4227PbF
G
D
S
门
漏
来源
描述
这
HEXFET
功率MOSFET
是专门为延设计,能源回收&旁路开关
应用在等离子显示面板。这
MOSFET
采用最新的加工技术,以
实现低导通电阻每硅片面积和低辐射
脉冲
投资评级。这个额外的功能
MOSFET
是
175 ° C的工作结温高重复峰值电流能力。这些功能
结合起来,使这
MOSFET
一个高效,强大和可靠的设备,用于PDP驱动程序
绝对最大额定值
参数
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
I
RP
@ T
C
= 100°C
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
重复峰值电流
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
马克斯。
±30
62
44
260
130
330
190
2.2
-40 + 175
单位
V
c
A
g
W
W / ℃,
°C
300
10lbf在( 1.1N M)
x
x
N
单位
热阻
R
θJC
R
θJA
结到外壳
f
参数
结到环境( PCB安装)D
2
PAK
h
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.45*
40
* R
θJC
(寿命终止)程序D
2
白和TO -262 = 0.65 ° C / W 。这是经过1000温度最大测量值
周期从-55到150℃ ,并通过模头的物理耗损占附加平台。
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
12/06/08
IRFS/SL4227PbF
1000
顶部
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
底部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
顶部
底部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
7.0V
100
7.0V
10
10
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
1
10
1
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
1
10
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
1000.0
图2 。
典型的输出特性
4.0
ID ,漏 - 源电流
(Α)
VDS = 25V
≤
在60μs脉冲宽度
100.0
RDS ( ON)时,漏 - 源极导通电阻
(归一化)
ID = 46A
3.0
VGS = 10V
10.0
TJ = 175℃
2.0
1.0
TJ = 25°C
1.0
0.1
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.0
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ,栅 - 源极电压( V)
TJ ,结温( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
1000
1000
900
800
每个脉冲的能量( μJ )
700
600
500
400
300
200
100
110
120
130
140
150
160
170
每个脉冲的能量( μJ )
L = 220nH
C = 0.4μF
100°C
25°C
800
L = 220nH
C =变量
100°C
25°C
600
400
200
0
130
140
150
160
170
180
190
VDS ,漏到-source电压(V )
ID ,峰值漏极电流( A)
图5 。
典型ê
脉冲
与漏 - 源极电压
图6 。
典型ê
脉冲
与漏电流
www.irf.com
3
IRFS/SL4227PbF
1400
L = 220nH
1200
1000.0
每个脉冲的能量( μJ )
1000
800
600
400
200
0
25
C = 0.4μF
C = 0.3μF
C = 0.2μF
ISD ,反向漏电流( A)
100.0
TJ = 175℃
10.0
1.0
TJ = 25°C
VGS = 0V
50
75
100
125
150
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
温度(℃)
VSD ,源极到漏极电压(V )
图7 。
典型ê
脉冲
vs.Temperature
8000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的,光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图8 。
典型的源漏二极管正向电压
20
VGS ,栅 - 源极电压( V)
ID = 46A
VDS = 160V
VDS = 100V
VDS = 40V
16
6000
C,电容(pF )
西塞
4000
12
8
2000
科斯
4
CRSS
0
1
10
100
1000
0
0
20
40
60
80
100
120
QG总栅极电荷( NC)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图9 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图10 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
1000
70
60
ID ,漏极 - 源极电流(A )
在这一领域
限于由R DS ( ON)
100sec
1sec
ID ,漏电流( A)
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10sec
10
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
100
1000
TC , CaseTemperature ( ° C)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图11 。
最大漏极电流与外壳温度
图12 。
最大安全工作区
4
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