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PD - 96131A
PDP开关
特点
l
先进的工艺技术
l
优化的PDP延的关键参数,
能量回收和旁路开关的应用
l
低辐射
脉冲
等级达到降低功耗
耗散PDP延,能量回收
并通过开关应用
l
低Q
G
快速响应
l
高重复峰值电流能力
可靠运行
l
短期回落&上升时间的快速切换
l
175 ° C的工作结温
提高耐用性
l
重复雪崩能力的
鲁棒性和可靠性
IRFS4227PbF
IRFSL4227PbF
主要参数
200
240
22
130
175
D
D
D
V
DS
最大
V
DS (雪崩)
典型值。
R
DS ( ON)
(典型值) 。 @ 10V
I
RP
最大@ T
C
= 100°C
T
J
最大
V
V
m
:
A
°C
G
S
S
D
G
D
2
PAK
IRFS4227PbF
S
D
G
TO-262
IRFSL4227PbF
G
D
S
来源
描述
HEXFET
功率MOSFET
是专门为延设计,能源回收&旁路开关
应用在等离子显示面板。这
MOSFET
采用最新的加工技术,以
实现低导通电阻每硅片面积和低辐射
脉冲
投资评级。这个额外的功能
MOSFET
175 ° C的工作结温高重复峰值电流能力。这些功能
结合起来,使这
MOSFET
一个高效,强大和可靠的设备,用于PDP驱动程序
绝对最大额定值
参数
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
I
RP
@ T
C
= 100°C
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
重复峰值电流
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
马克斯。
±30
62
44
260
130
330
190
2.2
-40 + 175
单位
V
c
A
g
W
W / ℃,
°C
300
10lbf在( 1.1N M)
x
x
N
单位
热阻
R
θJC
R
θJA
结到外壳
f
参数
结到环境( PCB安装)D
2
PAK
h
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.45*
40
* R
θJC
(寿命终止)程序D
2
白和TO -262 = 0.65 ° C / W 。这是经过1000温度最大测量值
周期从-55到150℃ ,并通过模头的物理耗损占附加平台。
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
12/06/08
IRFS/SL4227PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
I
DSS
I
GSS
g
fs
Q
g
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
st
E
脉冲
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
射穿封锁时间
能源每脉冲
分钟。
200
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
49
–––
–––
–––
–––
–––
–––
100
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
170
22
–––
-13
–––
–––
–––
–––
–––
70
23
33
20
21
31
–––
570
910
4600
460
91
360
4.5
7.5
–––
–––
26
5.0
–––
20
200
100
-100
–––
98
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
pF
ns
J
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
毫伏/ ℃参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ,我
D
= 46A
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
e
毫伏/°C的
μA V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
μA V
DS
= 200V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
nA
S
nC
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 25V ,我
D
= 46A
V
DD
= 100V ,我
D
= 46A ,V
GS
= 10V
V
DD
= 100V, V
GS
= 10V
ns
I
D
= 46A
R
G
= 2.5
参见图。 22
V
DD
= 160V, V
GS
= 15V ,R
G
= 4.7
L = 220nH ,C = 0.4μF ,V
GS
= 15V
V
DS
= 160V ,R
G
= 4.7, T
J
= 25°C
L = 220nH ,C = 0.4μF ,V
GS
= 15V
V
DS
= 160V ,R
G
= 4.7, T
J
= 100°C
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的,
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至160V
铅之间,
6毫米(0.25英寸)。
从包
而中心的模具接触
G
S
D
e
e
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。
L
D
L
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容
内部排水电感
内部源极电感
–––
–––
–––
–––
–––
–––
雪崩特性
E
AS
E
AR
V
DS (雪崩)
I
AS
d
重复性雪崩能量
重复性雪崩电压
雪崩电流
d
单脉冲雪崩能量
参数
典型值。
马克斯。
单位
mJ
mJ
V
A
–––
–––
240
–––
140
46
–––
37
二极管的特性
参数
I
S
@ T
C
= 25 ° C连续源电流
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
–––
–––
100
430
62
260
1.3
150
640
V
ns
nC
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 46A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 46A ,V
DD
= 50V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
2
www.irf.com
IRFS/SL4227PbF
1000
顶部
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
底部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
顶部
底部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
7.0V
100
7.0V
10
10
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
1
10
1
0.1
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
1
10
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
1000.0
图2 。
典型的输出特性
4.0
ID ,漏 - 源电流
(Α)
VDS = 25V
在60μs脉冲宽度
100.0
RDS ( ON)时,漏 - 源极导通电阻
(归一化)
ID = 46A
3.0
VGS = 10V
10.0
TJ = 175℃
2.0
1.0
TJ = 25°C
1.0
0.1
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.0
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ,栅 - 源极电压( V)
TJ ,结温( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
1000
1000
900
800
每个脉冲的能量( μJ )
700
600
500
400
300
200
100
110
120
130
140
150
160
170
每个脉冲的能量( μJ )
L = 220nH
C = 0.4μF
100°C
25°C
800
L = 220nH
C =变量
100°C
25°C
600
400
200
0
130
140
150
160
170
180
190
VDS ,漏到-source电压(V )
ID ,峰值漏极电流( A)
图5 。
典型ê
脉冲
与漏 - 源极电压
图6 。
典型ê
脉冲
与漏电流
www.irf.com
3
IRFS/SL4227PbF
1400
L = 220nH
1200
1000.0
每个脉冲的能量( μJ )
1000
800
600
400
200
0
25
C = 0.4μF
C = 0.3μF
C = 0.2μF
ISD ,反向漏电流( A)
100.0
TJ = 175℃
10.0
1.0
TJ = 25°C
VGS = 0V
50
75
100
125
150
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
温度(℃)
VSD ,源极到漏极电压(V )
图7 。
典型ê
脉冲
vs.Temperature
8000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的,光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图8 。
典型的源漏二极管正向电压
20
VGS ,栅 - 源极电压( V)
ID = 46A
VDS = 160V
VDS = 100V
VDS = 40V
16
6000
C,电容(pF )
西塞
4000
12
8
2000
科斯
4
CRSS
0
1
10
100
1000
0
0
20
40
60
80
100
120
QG总栅极电荷( NC)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图9 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图10 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
1000
70
60
ID ,漏极 - 源极电流(A )
在这一领域
限于由R DS ( ON)
100sec
1sec
ID ,漏电流( A)
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10sec
10
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
100
1000
TC , CaseTemperature ( ° C)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图11 。
最大漏极电流与外壳温度
图12 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRFS/SL4227PbF
(
RDS ( ON)时,漏 - 源极到导通电阻
)
EAS ,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
0.16
600
ID = 46A
0.12
500
I D
顶部
8.5A
14A
底部
37A
400
0.08
300
TJ = 125°C
0.04
200
100
TJ = 25°C
0.00
5
6
7
8
9
10
0
25
50
75
100
125
150
175
VGS ,栅 - 源极电压( V)
开始TJ ,结温( ° C)
图13 。
导通电阻比。栅极电压
5.0
图14 。
最大雪崩能量比。温度
200
VGS ( TH)栅极阈值电压( V)
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
-75 -50 -25
0
25
50
75
100 125 150 175
0
25
50
75
100
ID = 250μA
重复峰值电流( A)
160
吨= 1μs的时间
占空比= 0.25
半正弦波
方波脉冲
120
80
40
125
150
175
TJ ,温度(° C)
外壳温度( ° C)
图15 。
阈值电压与温度的关系
1
图16 。
典型的重复峰值电流 -
外壳温度
热响应( ZthJC )
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
τ
J
τ
J
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
RI( ° C / W)
τi
(秒)
0.08698 0.000074
0.2112
0.1506
0.001316
0.009395
0.01
0.02
0.01
单脉冲
(热反应)
τ
1
τ
2
CI-
τi /日
次I /日
注意事项:
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.001
1E-006
1E-005
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图17 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
www.irf.com
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRFS4227TRLPBF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
IRFS4227TRLPBF
Infineon(英飞凌)
22+
32965
原装原厂公司现货
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电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
IRFS4227TRLPBF
Infineon(英飞凌)
24+
7800
TO-263-2
原装正品现货,可开增值税专用发票
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
IRFS4227TRLPBF
INFINEON/英飞凌
2418+
9000
TO-263
正规报关原装现货系列订货技术支持
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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
IRFS4227TRLPBF
IR国际整流器
15+
2560
D2Pak
绝对原装可开17点增值税
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:953787052 复制 点击这里给我发消息 QQ:849036869 复制

电话:15899765957 19573525995
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
IRFS4227TRLPBF
Infineon(英飞凌)
24+
9600
TO-263-2
原装正品热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRFS4227TRLPBF
Infineon Technologies
2414+
74220
D2PAK-3 (TO-263-3)
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IRFS4227TRLPBF
Infineon
24+
5000
原厂封装
原装正品
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联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
IRFS4227TRLPBF
IR
2016+
6523
TO-263
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联系人:小邹
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IR
22+
3841
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原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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