【PD - 93804B应用l高频DC- DC转换器HEXFET功率MOSFETIRFB41N15DI】,IC型号IRFS41N15D,IRFS41N15D PDF资料,IRFS41N15D经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 93804B

应用

l

高频DC- DC转换器

HEXFET

功率MOSFET

IRFB41N15D

IRFIB41N15D

IRFS41N15D

IRFSL41N15D

V

DSS

R

DS （ ON）

最大

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

充分界定雪崩电压

和电流

150V

0.045

:

I

D

41A

TO- 220AB TO- 220 FULLPAK

D

2

PAK

TO-262

IRFB41N15D IRFIB41N15D IRFS41N15D IRFSL41N15D

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

I

D

@ T

C

= 100℃连续漏电流， V

GS

@ 10V

马克斯。

41

29

164

3.1

200

48

1.3

0.32

± 30

2.7

-55 + 175

单位

A

W

c

功耗，D白

功耗， TO- 220

功耗， FULLPAK

线性降额因子， TO- 220

线性降额因子， FULLPAK

2

W / ℃，

V

V / ns的

°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

e

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

300 （ 1.6毫米从案例）

1.1(10)

牛顿米（磅英寸）

热阻

参数

R

θJC

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到外壳， FULLPAK

案件到水槽，平面，脂表面

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.75

3.14

–––

62

40

65

单位

° C / W

h

结到环境，D白

i

结到环境， TO- 220

2

h

结到环境， FULLPAK

笔记

通过

12页

www.irf.com

1

07/16/03

IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。典型值。马克斯。单位

150

–––

3.0

–––

0.17

–––

0.045

5.5

25

250

100

-100

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

GS

= 10V ，我

D

= 25A

f

V

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 150V, V

GS

= 0V

V

DS

= 120V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

V

GS

= 30V

V

GS

= -30V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

分钟。典型值。马克斯。单位

18

–––

72

21

35

16

63

25

14

2520

510

110

3090

230

250

–––

110

31

52

–––

典型值。

–––

pF

ns

nC

S

条件

V

DS

= 50V ，我

D

= 25A

I

D

= 25A

V

DS

= 120V

V

GS

= 10V

V

DD

= 75V

I

D

= 25A

R

G

= 2.5

V

GS

= 10V

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 120V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至120V

马克斯。

470

25

20

f

g

雪崩特性

d

单位

mJ

A

mJ

重复性雪崩能量

–––

170

1.3

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

41

A

164

1.3

260

1.9

V

ns

C

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 25A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 25A

f

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

f

2

www.irf.com

IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D

1000

VGS

15V

10V

9.0V

8.0V

7.5V

7.0V

6.5V

BOTTOM 6.0V

顶部

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

9.0V

8.0V

7.5V

7.0V

6.5V

BOTTOM 6.0V

顶部

100

10

6.0V

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

10

100

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 41A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

100

2.0

T

J

= 175

°

C

1.5

T

J

= 25

°

C

10

1.0

0.5

1

6

7

8

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

9

10

11

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS

CRSS = C GD

COSS = C DS + Cgd的

20

I

D

= 25A

V

DS

= 120V

V

DS

= 75V

V

DS

= 30V

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

短

16

10000

C，电容（pF ）

西塞

1000

12

科斯

100

8

CRSS

4

10

1

10

100

1000

0

20

40

60

测试电路

见图13

80

100

120

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

T

J

= 175

°

C

I

D

，漏电流（ A）

100

10us

10

100us

T

J

= 25

°

C

1

10

1ms

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.6

1.0

1.4

1.8

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175 ° C

单脉冲

1

10

100

10ms

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D

50

V

DS

V

GS

R

D

40

I

D

，漏电流（ A）

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

D.U.T.

+

-

V

DD

30

20

图10A 。

开关时间测试电路

10

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.001

0.01

0.1

1

P

DM

t

1

t

2

0.01

0.00001

0.0001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

5

PD- 93804A

开关电源MOSFET

IRFB41N15D

IRFS41N15D

IRFSL41N15D

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

V

DSS

150V

R

DS （ ON）

最大

0.045

I

D

41A

TO-220AB

IRFB41N15D

D

2

PAK

IRFS41N15D

TO-262

IRFSL41N15D

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装torqe ， 6-32或M3螺丝？

马克斯。

41

29

164

3.1

200

1.3

± 30

2.7

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

典型SMPS拓扑

l

电信48V输入DC-DC有源钳位复位正激变换器

笔记

通过

在第11页

www.irf.com

1

2/14/00

IRFB/IRFS/IRFSL41N15D

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

150

–––

3.0

–––

典型值。

–––

0.17

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.045

V

GS

= 10V ，我

D

= 25A

5.5

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

25

V

DS

= 150V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 120V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 30V

nA

-100

V

GS

= -30V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

18

–––

典型值。

–––

72

21

35

16

63

25

14

2520

510

110

3090

230

250

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 25A

110

I

D

= 25A

31

nC

V

DS

= 120V

52

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 75V

–––

I

D

= 25A

ns

–––

R

G

= 2.5

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的？

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 120V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至120V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

马克斯。

470

25

20

单位

mJ

A

mJ

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结至环境？

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.75

–––

62

40

单位

° C / W

二极管的特性

分钟。典型值。马克斯。单位

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

条件

D

MOSFET符号

41

––– –––

展示

A

G

整体反转

164

––– –––

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 25A ，V

GS

= 0V

––– 170 260

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 25A

––– 1.3 1.9

μC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

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IRFB/IRFS/IRFSL41N15D

1000

VGS

15V

10V

9.0V

8.0V

7.5V

7.0V

6.5V

BOTTOM 6.0V

顶部

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

9.0V

8.0V

7.5V

7.0V

6.5V

BOTTOM 6.0V

顶部

100

10

6.0V

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

10

100

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 41A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

100

2.0

T

J

= 175

°

C

1.5

T

J

= 25

°

C

10

1.0

0.5

1

6

7

8

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

9

10

11

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFB/IRFS/IRFSL41N15D

100000

20

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + Cgd的

ds

I

D

= 25A

V

DS

= 120V

V

DS

= 75V

V

DS

= 30V

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

16

10000

C，电容（pF ）

西塞

1000

12

科斯

100

8

CRSS

4

10

1

10

100

1000

0

20

40

60

测试电路

见图13

80

100

120

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

100

T

J

= 175

°

C

I

D

，漏电流（ A）

100

10us

10

100us

T

J

= 25

°

C

1

10

1ms

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.6

1.0

1.4

1.8

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175 ° C

单脉冲

10

100

10ms

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRFB/IRFS/IRFSL41N15D

50

V

DS

V

GS

R

D

40

D.U.T.

+

R

G

I

D

，漏电流（ A）

-

V

DD

30

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

20

图10A 。

开关时间测试电路

10

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.001

0.01

0.1

1

P

DM

t

1

t

2

0.01

0.00001

0.0001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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