IRFB/S/SL3607PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
75
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
––– –––
0.096 –––
7.34 9.0
–––
4.0
–––
20
––– 250
––– 100
––– -100
V
V /°C的
m
V
μA
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
参考至25℃ ，我
D
= 5毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 46A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
g
d
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
R
G（ INT ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（能源相关）
有效的输出电容（时间相关）
分钟。典型值。马克斯。单位
115
–––
–––
–––
–––
–––
条件
V
DS
= 50V ，我
D
= 46A
I
D
= 46A
V
DS
= 38V
V
GS
= 10V
I
D
= 46A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
h
j
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
56
13
16
40
0.55
16
110
43
96
3070
280
130
380
610
–––
84
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
g
ns
pF
V
DD
= 49V
I
D
= 46A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
g
j
h
D
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv / dt的
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
80
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
A
d
310
S
p-n结二极管。
––– –––
1.3
V T，
J
= 25 ° C，I
S
= 46A ，V
GS
= 0V
–––
27
--- V / ns的牛逼
J
= 175 ° C，I
S
= 46A ，V
DS
= 75V
–––
33
50
NS牛逼
J
= 25°C
V
R
= 64V,
I
F
= 46A
–––
39
59
T
J
= 125°C
的di / dt = 100A / μs的
–––
32
48
NC牛逼
J
= 25°C
–––
47
71
T
J
= 125°C
–––
1.9
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
g
f
g
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。注意，从加热所引起的电流限制
器件引脚可与一些领先的安装布置发生。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.12mH
R
G
= 25, I
AS
= 46A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
46A ， di / dt的
1920A / μs的，V
DD
V
（ BR ） DSS
, T
J
175°C.
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于recom-
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
测定在T
J
大约90℃。
2
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1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
100
10
4.5V
4.5V
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
10
0.1
1
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
图2 。
典型的输出特性
3.0
ID = 80A
2.5
VGS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
T J = 175℃
T J = 25°C
（归一化）
2.0
1.5
1
VDS = 25V
在60μs脉冲宽度
0.1
2
3
4
5
6
7
8
1.0
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，C DS短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
12.0
ID = 46A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
C，电容（pF ）
VDS = 24V
VDS = 15V
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
10
20
30
40
50
60
Q G，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
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3
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1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100μsec
1msec
ISD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
100
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
1
10msec
DC
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
图7 。
典型的源漏二极管正向电压
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
80
70
60
ID ，漏电流（ A）
图8 。
最大安全工作区
100
ID = 5毫安
95
90
85
80
75
70
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，温度（° C）
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流与外壳温度
1.20
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
图10 。
漏极至源极击穿电压
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
ID
顶部
5.6A
11A
BOTTOM 46A
1.00
0.80
能量（ μJ ）
0.60
0.40
0.20
0.00
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
4
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
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10.00
热响应（Z thJC ）° C / W
1.00
D = 0.50
0.20
0.10
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
J
R
1
R
1
J
1
2
R
2
R
2
R
3
R
3
3
R
4
R
4
C
4
RI（ ° C / W）
i
（秒）
0.01109
0.26925
0.49731
0.26766
0.000003
0.000130
0.001301
0.008693
1
2
3
4
0.01
CI-
iRi
次iRi
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
0.00
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
1000
占空比=单脉冲
雪崩电流（ A）
100
0.01
10
0.05
0.10
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
环境温度为150 ℃，并
T开始= 25 ° C（单脉冲）
1
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
J = 25 ℃，并
T开始= 150℃。
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
TAV （秒）
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
150
125
100
75
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ，结温（ ° C）
顶部
单脉冲
BOTTOM 1.0 ％占空比
ID = 46A
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
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EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
5
QQ：2880707522 复制
