PD - 97378A
IRFS3004-7PPbF
应用
l
高效率同步整流开关电源
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频电路
G
D
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
（硅有限公司）
I
D
（包装有限公司）
D
40V
0.90m
1.25m
400A
240A
好处
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
l
LEAD -FREE
c
S
S
G
S
S
S
S
D
2
白7针
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （焊线有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
马克斯。
400
280
240
1610
380
单位
A
d
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
f
2.5
± 20
2.0
-55 + 175
300
290
参见图。 14，15， 22a和22b的
雪崩特性
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
d
e
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
d
j
mJ
A
mJ
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
kl
参数
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.40
40
单位
° C / W
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1
04/22/2010
IRFS3004-7PPbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
分钟。典型值。马克斯。单位
40
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
––– –––
0.038 –––
0.90 1.25
–––
4.0
–––
20
––– 250
––– 100
––– -100
2.0
–––
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 5毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 195A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
μA V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
g
d
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（能源相关）
有效的输出电容（时间相关）
分钟。典型值。马克斯。单位
1300
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
160
42
65
95
23
240
91
160
9130
2020
990
2590
2650
–––
240
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 195A
I
D
= 180A
V
DS
=20V
V
GS
= 10V
I
D
= 180A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 26V
I
D
= 240A
R
G
= 2.7
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0兆赫，参照图五
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V到32V ，参照图11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
g
ns
pF
g
h
i
i
h
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
––– 400
–––
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
A
A
d
1610
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
––– –––
1.3
V
–––
49
–––
ns
–––
51
–––
–––
37
–––
nC
T
J
= 125°C
–––
41
–––
–––
3.2
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 195A ，V
GS
= 0V
V
R
= 34V,
T
J
= 25°C
I
F
= 240A
T
J
= 125°C
的di / dt = 100A / μs的
T
J
= 25°C
g
g
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。键合线限流是240A 。需要注意的是电流
从可能发生的设备引线加热所产生的局限性
一些导致安装布置。
（参见AN- 1140 ）
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.01mH
R
G
= 25, I
AS
= 240A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
240A ， di / dt的
≤
740A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
R
θJC
所示的值是在零时间。
2
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1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
10
100
1
4.5V
0.1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
10
100
1000
0.1
4.5V
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 195A
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS = 10V
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
1.5
1.0
1
VDS = 25V
≤60s
脉冲宽度
3
4
5
6
7
8
0.1
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
ID = 180A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
CRSS
VDS = 32V
VDS = 20V
1000
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
50
100
150
200
250
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
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3
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1000
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1000
100sec
100
10
T J = 25°C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
T J = 175℃
100
1msec
10msec
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
0
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
DC
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
420
360
ID ，漏电流（ A）
图8 。
最大安全工作区
50
ID = 5毫安
48
不限按包
300
240
180
120
60
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
46
44
42
40
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
3.5
3.0
2.5
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
图10 。
漏极至源极击穿电压
1200
1000
800
600
400
200
0
ID
顶部
44A
80A
BOTTOM 240A
能量（ μJ ）
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-5
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
4
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1
热响应（Z thJC ）° C / W
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
0.01
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
1E-005
0.0001
0.001
τ
J
τ
J
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
C
τ
τ
1
τ
2
τ
3
τ
4
τ
4
RI（ ° C / W）
0.00757
0.06508
0.18313
0.14378
0.000006
0.000064
0.001511
0.009800
τi
（秒）
CI-
τi /日
次I /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
0.001
1E-006
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
1000
占空比=单脉冲
雪崩电流（ A）
100
0.01
0.05
0.10
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
-Tj
= 150 ℃，并
T开始= 25 ° C（单脉冲）
10
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
Τ
J = 25 ℃，并
T开始= 150℃。
1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
TAV （秒）
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
320
280
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
240
200
160
120
80
40
0
25
50
顶部
单脉冲
BOTTOM 1.0 ％占空比
ID = 240A
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
175
75
100
125
150
开始T J ，结温（ ° C）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
www.irf.com
5
QQ：2880707522 复制
