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PD - 9.1506
初步
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IRFR/U9024N
HEXFET
功率MOSFET
D
超低导通电阻
P沟道
表面贴装( IRFR9024N )
直铅( IRFU9024N )
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
V
DSS
= -55V
R
DS ( ON)
= 0.175
G
S
I
D
= -11A
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处,结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率
MOSFET是众所周知的,为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置,用于使用
在各种各样的应用中。
在D- Pak是专为使用表面安装
气相,红外,或波焊工艺。
直引线型( IRFU系列)是吞吐量
孔安装的应用程序。功耗水平
达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
-P A K
T O服务-2 52 A A
I-P第k
为-2 5 1 A A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ -10V
连续漏电流, V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
-11
-8
-44
38
0.30
± 20
62
-6.6
3.8
-10
-55到+ 150
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.3
50
110
单位
° C / W
6/26/97
IRFR/U9024N
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
V
( BR ) DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-55
–––
–––
-2.0
2.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
-0.05
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
55
23
37
4.5
7.5
350
170
92
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA
0.175
V
GS
= -10V ,我
D
= -6.6A
-4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -25V ,我
D
= -7.2A
-25
V
DS
= -55V, V
GS
= 0V
A
-250
V
DS
= -44V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
19
I
D
= -7.2A
5.1
NC V
DS
= -44V
10
V
GS
= -10V ,见图。 6和13
–––
V
DD
= -28V
–––
I
D
= -7.2A
ns
–––
R
G
= 24
–––
R
D
= 3.7Ω ,参照图10
D
铅之间,
–––
6毫米(0.25英寸)。
nH
G
从包
–––
与模具接触中心?
S
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -25V
–––
= 1.0MHz的,见图。 5 ?
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– -11
展示
A
G
整体反转
––– ––– -44
p-n结二极管。
S
––– ––– -1.6
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= -7.2A ,V
GS
= 0V
––– 47
71
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= -7.2A
––– 84 130
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
起始物为
J
= 25℃时,L = 2.8mH
R
G
= 25, I
AS
= -6.6A 。 (参见图12)
I
SD
-6.6A , di / dt的
240A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
150°C
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
这个被施加用于I -PAK ,L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具呼叫中心
使用IRF9Z24N数据和试验条件。
**当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料) 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994
IRFR/U9024N
100
顶部
-I D,漏极 - 源极电流(A )
底部
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-4.5V
100
顶部
10
底部
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-4.5V
10
1
-4.5V
-4.5V
1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
10
100
-VDS ,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.5
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= -11A
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
2.0
T
J
= 25
°
C
10
T
J
= 150
°
C
1.5
1.0
1
0.5
0.1
4
5
6
7
V DS = -25V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRFR/U9024N
700
20
-V
的s
,G一德以诚-S ü RC è V LTA克E( V)
600
V
GS
C
为s
C
RS s
C
OS s
=
=
=
=
0V ,
F = 1MH
C
gs
+ C
, C
ds
SH或TED
C
gd
C
ds
+ C
gd
I
D
= -7 .2A
V
DS
= -44 V
V
DS
= -28 V
16
C,C的P是C ITA N c个E( P F)
500
C
为s
C
OS s
12
400
300
8
200
C
RS s
4
100
0
1
10
100
A
0
0
5
10
FOR TE ST ℃红外 ú IT
SE ê图ú 1 3
15
20
25
A
V
S
,漏 - 源V oltage ( V)
Q
G
,共有摹吃哈耶( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
-I
SD
,反向漏电流( A)
-I
D
,漏电流( A)
I
T
J
= 150
°
C
10
100
10us
T
J
= 25
°
C
10
100us
1
1ms
1
10ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.6
0.9
1.3
1.6
0.1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
10
100
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
IRFR/U9024N
12.0
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
-I
D
,漏电流( A)
-10V
6.0
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
3.0
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
10%
0.0
25
50
75
100
125
150
90%
V
DS
T
C
,外壳温度
( ° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10
图10B 。
开关时间波形
热响应(Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
(热反应)
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
-
9.0
R
G
V
DD
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