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PD - 91749
初步
P沟道
l
175 ° C工作温度
l
表面贴装( IRFR6215 )
l
直铅( IRFU6215 )
l
先进的工艺技术
l
快速开关
l
全额定雪崩
描述
l
IRFR/U6215
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= -150V
R
DS ( ON)
= 0.295
G
I
D
= -13A
S
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
益处,结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率
MOSFET是众所周知的,为设计者提供
以在很宽的一个非常有效的装置,用于使用
各种应用程序。
在D- Pak是专为使用表面安装
气相,红外,或波焊工艺。
直引线型( IRFU系列)是吞吐量
孔安装的应用程序。功耗水平
达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
-P A K
T O服务-252 A A
I-P第k
T O服务-25 1A一
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
-13
-9.0
-44
110
0.71
± 20
310
-6.6
11
5.0
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.4
50
110
单位
° C / W
www.irf.com
1
5/11/98
IRFR/U6215
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-150
–––
–––
–––
-2.0
3.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
-0.20
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
36
53
37
4.5
7.5
860
220
130
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA
0.295
V
GS
= -10V ,我
D
= -6.6A
0.58
V
GS
= -10V ,我
D
= -6.6A
T
J
= 150°C
-4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -50V ,我
D
= -6.6A
-25
V
DS
= -150V, V
GS
= 0V
A
-250
V
DS
= -120V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
66
I
D
= -6.6A
8.1
NC V
DS
= -120V
35
V
GS
= -10V ,见图。 6和13
–––
V
DD
= -75V
–––
I
D
= -6.6A
ns
–––
R
G
= 6.8
–––
R
D
= 12Ω ,见图。 10
D
铅之间,
–––
6毫米(0.25英寸)。
nH
G
从包
–––
与模具接触中心?
S
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -25V
–––
= 1.0MHz的,见图。 5 ?
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
-13
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– –––
-44
p-n结二极管。
S
––– ––– -1.6
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= -6.6A ,V
GS
= 0V
––– 160 240
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= -6.6A
––– 1.2 1.7
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
起始物为
J
= 25℃时,L = 14mH
R
G
= 25, I
AS
= -6.6A 。 (参见图12)
T
J
175°C
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%
这个被施加用于I -PAK ,L-
S
D- PAK的是铅和测量之间
模具联络中心
I
SD
≤-6.6A,
的di / dt
-620A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
使用IRF6215数据和测试条件
**当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料)
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994
2
www.irf.com
IRFR/U6215
100
顶部
-ID ,D雨来-S环境允许光凭目前 (A )
10
-ID ,漏极 - 源极电流(A )
VGS
- 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
100
VGS
- 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
顶部
10
-4 .5V
2 0μ S·P ü LS东西TH ID
T
C
= 1 75 °C
1
10
-4 .5 V
1
1
10
20 μ S·P ü L南东西TH ID
T C = 25°C
A
100
1
100
A
-VD S,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
-VD S,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.5
R
S(上)
,漏到-S环境允许 n个电阻
(N ORM alized )
I
D
= -11 A
-I
D
,D雨来 - SO URC式C urre NT (A )
2.0
T
J
= 2 5 °C
T
J
= 1 7 5 °C
10
1.5
1.0
0.5
1
4
5
6
7
V
S
= -5 0 V
2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
8
9
10
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= -1 0V
100 120 140 160 180
A
-V
的s
,G一德以诚-S ü RC è V LTA克E( V)
T
J
,结牛逼EM perature ( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFR/U6215
2000
1600
-V
的s
,G吃了对-S环境允许的V oltage ( V)
V
GS
C
为s
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
的s
+ C
, C
S
中文 T E
C
gd
C
S
+ C
gd
20
I
D
= -6 .6 A
16
V
S
= -12 0V
V
S
= -75 V
V
S
= -30 V
C,电容(pF )
C
国际空间站
1200
12
C
OSS
800
8
C
RSS
400
4
0
1
10
100
A
0
0
20
40
FO TE S T CIR ú IT
性S E ê图ú 1 3
60
80
A
-V
S
,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
Q
G
,共有摹吃哈耶( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
-I
SD
,反向雨电流(A )
P·E R A TIO N IN TH IS A R ê A L IM ITE
B Y形
S(O N)
10 s
10
T
J
= 17 5 °C
T
J
= 2 5°C
-I
D
,D雨光凭目前 (A )
10
100 s
1
1米s
0.1
0.2
0.6
1.0
1.4
V
的s
= 0 V
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
10
100
10米s
A
1000
1.8
-V
S.D。
,S ourc E-到-D雨V oltage ( V)
-V
S
,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRFR/U6215
R
D
14
V
DS
V
GS
R
G
12
D.U.T.
+
-I
D
,漏电流( A)
10
8
-10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
6
图10A 。
开关时间测试电路
4
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
2
V
GS
10%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度( ° C)
90%
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
V
DS
图10B 。
开关时间波形
10
千卡人 ES ponse (Z
THJ
)
1
D = 0 .5 0
0 .2 0
0 .1 0
0 .0 5
P
D M
0.1
0 .0 2
0 .0 1
S IN摹L E P ü L性S E
(T ^ h é R M一L R (E S) P 2 O北南E)
N 2 O TE S:
1 。 ü TY F交流与r D =吨
/t
t
1
t2
1
2
0.01
0.00001
2 。 P·E A K TJ = P D M X Z第j个C + T C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,R ê CTA体中ü拉; R P ULS E D U比N( SE C)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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-
V
DD
A
1
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    -
    -
    -
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联系人:刘先生
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