IRFR9N20D/IRFU9N20D
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
200 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.23 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.38
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.6A
3.0
––– 5.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– ––– 25
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 30V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
4.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
18
4.7
9.0
7.5
16
13
9.3
560
97
29
670
40
74
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 5.6A
27
I
D
= 5.6A
7.1
nC
V
DS
= 160V
14
V
GS
= 10V,
–––
V
DD
= 100V
–––
I
D
= 5.6A
ns
–––
R
G
= 11
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至160V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
100
5.6
8.6
单位
mJ
A
mJ
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） *
结到环境
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
典型值。
–––
–––
–––
分钟。典型值。马克斯。单位
马克斯。
1.75
50
110
单位
° C / W
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
条件
D
MOSFET符号
9.4
––– –––
展示
A
G
整体反转
38
––– –––
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 5.6A ，V
GS
= 0V
––– 130 –––
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 5.6A
––– 560 –––
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
2
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IRFR9N20D/IRFU9N20D
100
VGS
顶部
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
BOTTOM 5.5V
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
BOTTOM 5.5V
顶部
10
10
5.5V
1
1
5.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 9.4A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
10
T
J
= 175
°
C
2.0
1.5
T
J
= 25
°
C
1
1.0
0.5
0.1
4
6
8
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
10
12
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRFR9N20D/IRFU9N20D
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
200 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.23 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.38
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.6A
3.0
––– 5.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– ––– 25
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 30V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
4.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
18
4.7
9.0
7.5
16
13
9.3
560
97
29
670
40
74
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 5.6A
27
I
D
= 5.6A
7.1
NC V
DS
= 160V
14
V
GS
= 10V,
–––
V
DD
= 100V
–––
I
D
= 5.6A
ns
–––
R
G
= 11
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至160V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
100
5.6
8.6
单位
mJ
A
mJ
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） *
结到环境
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
典型值。
–––
–––
–––
分钟。典型值。马克斯。单位
马克斯。
1.75
50
110
单位
° C / W
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
条件
D
MOSFET符号
9.4
––– –––
展示
A
G
整体反转
38
––– –––
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 5.6A ，V
GS
= 0V
––– 130 –––
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 5.6A
––– 560 –––
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
2
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IRFR9N20D/IRFU9N20D
100
VGS
顶部
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
BOTTOM 5.5V
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
BOTTOM 5.5V
顶部
10
10
5.5V
1
1
5.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 9.4A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
10
T
J
= 175
°
C
2.0
1.5
T
J
= 25
°
C
1
1.0
0.5
0.1
4
6
8
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
10
12
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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