IRFR/U9214PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-250
-2.0
0.9
典型值。
-0.25
11
14
20
17
MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
3.0
V
GS
= -10V ，我
D
= -1.7A
-4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
S
V
DS
= -50V ，我
D
= -1.7A
-100
V
DS
= -250V, V
GS
= 0V
A
-500
V
DS
= -200V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
14
I
D
= -1.7A
3.1
NC V
DS
= -200V
6.8
V
GS
= -10V ，见图。 6和13
V
DD
= -125V
I
D
= -1.7A
ns
R
G
=21
R
D
= 70参见图。 10
D
铅之间，
4.5
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5
与模具接触中心？
S
220
V
GS
= 0V
75
pF
V
DS
= -25V
11
= 1.0MHz的，见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
-2.7
展示
A
G
整体反转
-11
p-n结二极管。
S
-5.8
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= -2.7A ，V
GS
= 0V
150 220
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.7A
870 --- 1300 NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L =分别按27MH
R
G
= 25, I
AS
= -2.7A 。 （参见图12）
I
SD
≤
-2.7A ， di / dt的
≤
600A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具呼叫中心
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
IRFR9214 ， IRFU9214 ， SiHFR9214 ， SiHFU9214
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
- 250
V
GS
= - 10 V
14
3.1
6.8
单身
S
特点
3.0
P沟道
表面贴装（ IRFR9214 / SiHFR9214 ）
直铅（ IRFU9214 / SiHFU9214 ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
D
P沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9214PbF
SiHFR9214-E3
IRFR9214
SiHFR9214
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9214TRLPbF
a
SiHFR9214TL-E3
a
IRFR9214TRL
a
SiHFR9214TL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9214TRPbF
a
SiHFR9214T-E3
a
IRFR9214TR
a
SiHFR9214T
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU9214PbF
SiHFU9214-E3
IRFU9214
SiHFU9214
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩
当前
a
T
C
= 25 °C
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复
dv / dt的
c
10秒
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 27 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 2.7 （见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 2.7 A， di / dt的
≤
600 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91282
S- 81392 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
1
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
- 250
± 20
- 2.7
- 1.7
- 11
0.40
100
- 2.7
5.0
50
- 5.0
- 55至+ 150
260
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
IRFR9214 ， IRFU9214 ， SiHFR9214 ， SiHFU9214
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
110
50
2.5
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
参考至25℃ ，我
D
= - 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 250 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 1.7 A
b
- 250
-
- 2.0
-
-
-
-
0.9
-
- 0.25
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
3.0
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= - 50 V，I
D
= - 1.7 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
220
75
11
-
-
-
11
14
20
17
4.5
7.5
-
-
-
14
3.1
6.8
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 1.7 A，V
DS
= - 200 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= - 125 V，I
D
= - 1.7 A,
R
G
= 21
Ω,
R
D
= 70
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
G
-
S
-
-
-
-
-
-
-
-
150
870
- 2.7
A
- 11
- 5.8
220
1300
V
ns
nC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 2.7 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 1.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91282
S- 81392 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
IRFR9214 ， IRFU9214 ， SiHFR9214 ， SiHFU9214
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
顶部
10
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
1
1
-4.5V
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
4
5
6
7
V DS = -50V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
10
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
顶部
2.5
I
D
= -2.7A
2.0
1.5
1
-4.5V
1.0
0.5
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
T
J
，结温（
°
C)
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91282
S- 81392 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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3
IRFR9214 ， IRFU9214 ， SiHFR9214 ， SiHFU9214
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400
I
SD
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
C，电容（pF ）
300
T
J
= 150
°
C
西塞
200
1
100
T
J
= 25
°
C
科斯
CRSS
1
10
100
0
0.1
1.0
V
GS
= 0 V
2.0
3.0
4.0
5.0
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
I
D
= -1.7 A
V
DS
=-200V
V
DS
=-125V
V
DS
=-50V
100
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
16
-I
D
，漏电流（ A）
I
10
12
100us
8
1
1ms
4
0
0
3
6
测试电路
见图13
9
12
15
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
10
100
10ms
1000
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 8 - 最高安全工作区
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4
文档编号： 91282
S- 81392 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
IRFR9214 ， IRFU9214 ， SiHFR9214 ， SiHFU9214
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R
D
V
DS
3.0
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
2.5
-I
D
，漏电流（ A）
- 10
V
2.0
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
1.5
图。 10A - 开关时间测试电路
1.0
0.5
t
D（上）
V
GS
10
%
t
r
t
D（关闭）
t
f
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
90
%
V
DS
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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