【PD - 9.1507A初步lllllllIRFR/U9120NHEXFET功率MOSFETD超低导】,IC型号IRFR9120N,IRFR9120N PDF资料,IRFR9120N经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 9.1507A

初步

l

IRFR/U9120N

HEXFET

功率MOSFET

D

超低导通电阻

P沟道

表面贴装（ IRFR9120N ）

直铅（ IRFU9120N ）

先进的工艺技术

快速开关

全额定雪崩

V

DSS

= -100V

R

DS （ ON）

= 0.48

G

S

I

D

= -6.6A

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

在D- Pak是专为使用蒸汽表面安装

相，红外，或波焊工艺。直

铅版（ IRFU系列）是通孔安装

应用程序。功耗水平达到1.5瓦特是

有可能在典型的表面贴装应用。

-P AK

T O服务-2 52 A A

I-P AK

T O服务-25 1 A A

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ -10V

连续漏电流， V

GS

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

-6.6

-4.2

-26

40

0.32

± 20

100

-6.6

4.0

-5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

3.1

50

110

单位

° C / W

3/16/98

IRFR/U9120N

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

g

fs

正向跨导

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

-100

–––

-2.0

1.4

–––

典型值。

–––

-0.11

–––

14

47

28

31

4.5

7.5

350

110

70

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA

0.48

V

GS

= -10V ，我

D

= -3.9A

-4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

–––

S

V

DS

= -50V ，我

D

= -4.0A

-25

V

DS

= -100V, V

GS

= 0V

A

-250

V

DS

= -80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

27

I

D

= -4.0A

5.0

nC

V

DS

= -80V

15

V

GS

= -10V ，见图。 6和13

–––

V

DD

= -50V

–––

I

D

= -4.0A

ns

–––

R

G

=

12

–––

R

D

=12

,

参见图。 10

D

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

与模具接触中心？

S

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= -25V

–––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– -6.6

展示

A

G

整体反转

––– ––– -26

p-n结二极管。

S

––– ––– -1.6

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= -3.9A ，V

GS

= 0V

––– 100 150

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= -4.0A

––– 420 630

nC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

起始物为

J

= 25℃时，L = 13mH

R

G

= 25, I

AS

= -3.9A 。（参见图12）

I

SD

≤

-4.0A ， di / dt的

≤

300A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

这个被施加用于I -PAK ，L-

S

的D- PAK时之间测量

铅和模具呼叫中心

使用IRF9520N数据和试验条件。

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994

IRFR/U9120N

100

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

-15V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

BOTTOM -4.5V

VGS

-15V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

BOTTOM -4.5V

顶部

10

1

-4.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

-4.5V

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.1

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.5

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= -6.7A

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.0

10

T

J

= 25

°

C

T

J

= 150

°

C

1.5

1.0

1

0.5

0.1

4

5

6

7

V DS = -50V

20μs的脉冲宽度

8

9

10

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= -10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRFR/U9120N

800

20

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

I

D

= -4.0 A

16

V

DS

=-80V

V

DS

=-50V

V

DS

=-20V

C，电容（pF ）

600

西塞

12

400

科斯

CRSS

8

200

4

0

1

10

100

0

5

10

测试电路

见图13

15

20

25

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

-I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10us

10

T

J

= 150

°

C

T

J

= 25

°

C

-I

D

，漏电流（ A）

I

10

100us

1ms

1

10ms

1

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.8

1.4

2.0

2.6

0.1

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

10

100

1000

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRFR/U9120N

8.0

V

DS

V

GS

R

D

D.U.T.

+

-I

D

，漏电流（ A）

-10V

4.0

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

2.0

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

10%

0.0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

90%

V

DS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

1

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

-

6.0

R

G

V

DD

IRFR/U9120N

HEXFET

功率MOSFET

l

超低导通电阻

P沟道

表面贴装（ IRFR9120N ）

直铅（ IRFU9120N ）

先进的工艺技术

快速开关

全额定雪崩

D

V

DSS

= -100V

R

DS （ ON）

= 0.48

G

S

I

D

= -6.6A

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

在D- Pak是专为使用蒸汽表面安装

相，红外，或波焊工艺。直

铅版（ IRFU系列）是通孔安装

应用程序。功耗水平达到1.5瓦特是

有可能在典型的表面贴装应用。

-P AK

T O服务-2 52 A A

I-P AK

T O服务-25 1 A A

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ -10V

连续漏电流， V

GS

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

-6.6

-4.2

-26

40

0.32

± 20

100

-6.6

4.0

-5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

3.1

50

110

单位

° C / W

1 / 10

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IRFR/U9120N

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

g

fs

正向跨导

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

-100

–––

-2.0

1.4

–––

典型值。

–––

-0.11

–––

14

47

28

31

4.5

7.5

350

110

70

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA

0.48

V

GS

= -10V ，我

D

= -3.9A

-4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

–––

S

V

DS

= -50V ，我

D

= -4.0A

-25

V

DS

= -100V, V

GS

= 0V

A

-250

V

DS

= -80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

27

I

D

= -4.0A

5.0

nC

V

DS

= -80V

15

V

GS

= -10V ，见图。 6和13

–––

V

DD

= -50V

–––

I

D

= -4.0A

ns

–––

R

G

=

12

–––

R

D

=12

,

参见图。 10

D

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

与模具接触中心？

S

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= -25V

–––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– -6.6

展示

A

G

整体反转

––– ––– -26

p-n结二极管。

S

––– ––– -1.6

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= -3.9A ，V

GS

= 0V

––– 100 150

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= -4.0A

––– 420 630

nC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

起始物为

J

= 25℃时，L = 13mH

R

G

= 25, I

AS

= -3.9A 。（参见图12）

I

SD

≤

-4.0A ， di / dt的

≤

300A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

这个被施加用于I -PAK ，L-

S

的D- PAK时之间测量

铅和模具呼叫中心

使用IRF9520N数据和试验条件。

2 / 10

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IRFR/U9120N

100

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

-15V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

BOTTOM -4.5V

VGS

-15V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

BOTTOM -4.5V

顶部

10

1

-4.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

-4.5V

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.1

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.5

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= -6.7A

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.0

10

T

J

= 25

°

C

T

J

= 150

°

C

1.5

1.0

1

0.5

0.1

4

5

6

7

V DS = -50V

20μs的脉冲宽度

8

9

10

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= -10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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IRFR/U9120N

800

20

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

I

D

= -4.0 A

16

V

DS

=-80V

V

DS

=-50V

V

DS

=-20V

C，电容（pF ）

600

西塞

12

400

科斯

CRSS

8

200

4

0

1

10

100

0

5

10

测试电路

见图13

15

20

25

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

-I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10us

10

T

J

= 150

°

C

T

J

= 25

°

C

-I

D

，漏电流（ A）

I

10

100us

1ms

1

10ms

1

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.8

1.4

2.0

2.6

0.1

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

10

100

1000

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4 / 10

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IRFR/U9120N

8.0

V

DS

V

GS

R

D

D.U.T.

+

-I

D

，漏电流（ A）

-10V

4.0

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

2.0

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

10%

0.0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

90%

V

DS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

1

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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-

6.0

R

G

V

DD