【PD-95025AIRFR5305PbFIRFU5305PbFlllllll超低导通电阻表面贴装（】,IC型号IRFR5305TRPBF,IRFR5305TRPBF PDF资料,IRFR5305TRPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD-95025A

IRFR5305PbF

IRFU5305PbF

l

超低导通电阻

表面贴装（ IRFR5305 ）

直铅（ IRFU5305 ）

先进的工艺技术

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

D

V

DSS

= -55V

R

DS （ ON）

= 0.065

G

I

D

= -31A

S

描述

国际整流器第五代HEXFETs利用

先进的加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合

开关速度快和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计师用一个非常有效和可靠的设备

用于在多种应用中使用。

在D- Pak是专为使用蒸汽表面安装

相，红外，或波焊工艺。直

铅版（ IRFU系列）是通孔安装

应用程序。功耗水平达到1.5瓦特是

有可能在典型的表面贴装应用。

D- PAK

IRFR5305

I- PAK

IRFU5305

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ -10V

连续漏电流， V

GS

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

-31

-22

-110

110

0.71

± 20

280

-16

11

-5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境**

典型值。

–––

马克斯。

1.4

50

110

单位

° C / W

www.irf.com

1

12/13/04

IRFR/U5305PbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

g

fs

正向跨导

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

-55

––– –––

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

--- -0.034 --- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA

–––

––– 0.065

V

GS

= -10V ，我

D

= -16A

-2.0 ––– -4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

8.0

––– –––

S

V

DS

= -25V ，我

D

= -16A

–––

––– -25

V

DS

= -55V, V

GS

= 0V

A

–––

––– -250

V

DS

= -44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

–––

––– 100

V

GS

= 20V

nA

–––

––– -100

V

GS

= -20V

–––

63

I

D

= -16A

–––

13

nC

V

DS

= -44V

–––

29

V

GS

= -10V ，见图。 6和13

–––

14

–––

V

DD

= -28V

–––

66

–––

I

D

= -16A

ns

–––

39

–––

R

G

= 6.8

–––

63

–––

R

D

= 1.6Ω ，见图。 10

D

铅之间，

4.5 –––

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

7.5

–––

而中心的模具接触

S

––– 1200 –––

V

GS

= 0V

–––

520 –––

pF

V

DS

= -25V

–––

250 –––

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

71

170

-31

-110

-1.3

110

250

V

ns

nC

A

条件

D

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

S

T

J

= 25 ° C，I

S

= -16A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= -16A

的di / dt = -100A / μs的

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

这个被施加用于I -PAK ，L-

S

的D- PAK时之间测量

铅和模具联络中心。

使用IRF5305数据和试验条件。

V

DD

= -25V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 2.1mH

R

G

= 25, I

AS

= -16A 。（参见图12）

I

SD

≤

-16A ， di / dt的

≤

-280A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

**采用典型的插座安装。

2

www.irf.com

IRFR/U5305PbF

1000

VGS

- 15V

- 10V

- 8.0V

- 7.0V

- 6.0V

- 5.5V

- 5.0V

BOTTOM - 4.5V

顶部

1000

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

- 15V

- 10V

- 8.0V

- 7.0V

- 6.0V

- 5.5V

- 5.0V

BOTTOM - 4.5V

顶部

100

10

-4.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25°C

c

A

0.1

1

10

100

-4.5V

20μs的脉冲宽度

T

C

= 175°C

J

1

10

1

0.1

A

100

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= -27A

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

10

1.0

0.5

1

4

5

6

7

V

DS

= -25V

20μs的脉冲宽度

8

9

10

A

0.0

-60 -40 -20

0

20

40

60

V

GS

= -10V

80 100 120 140 160 180

A

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFR/U5305PbF

2500

2000

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

C

国际空间站

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

, C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

= -16A

V

DS

= -44V

V

DS

= -28V

16

C，电容（pF ）

1500

C

OSS

12

1000

8

C

RSS

500

4

0

1

10

100

A

0

10

20

30

测试电路

见图13

40

50

60

A

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

-I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

-I

D

，漏电流（ A）

100

100s

T

J

= 175°C

T

J

= 25°C

10

1ms

10

0.4

0.8

1.2

1.6

V

GS

= 0V

A

1

T

C

= 25°C

T

J

= 175°C

单脉冲

10

10ms

A

100

2.0

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRFR/U5305PbF

V

DS

35

R

D

V

GS

30

D.U.T.

+

-I

D

，漏电流（ A）

25

-10V

20

15

10

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

5

0

25

50

75

100

125

150

175

10%

T

C

，外壳温度（ ° C）

90%

V

DS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

P

DM

t

1

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

-

R

G

V

DD

5

PD-95025A

IRFR5305PbF

IRFU5305PbF

l

超低导通电阻

表面贴装（ IRFR5305 ）

直铅（ IRFU5305 ）

先进的工艺技术

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

D

V

DSS

= -55V

R

DS （ ON）

= 0.065

G

I

D

= -31A

S

描述

国际整流器第五代HEXFETs利用

先进的加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合

开关速度快和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计师用一个非常有效和可靠的设备

用于在多种应用中使用。

在D- Pak是专为使用蒸汽表面安装

相，红外，或波焊工艺。直

铅版（ IRFU系列）是通孔安装

应用程序。功耗水平达到1.5瓦特是

有可能在典型的表面贴装应用。

D- PAK

IRFR5305

I- PAK

IRFU5305

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ -10V

连续漏电流， V

GS

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

-31

-22

-110

110

0.71

± 20

280

-16

11

-5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境**

典型值。

–––

马克斯。

1.4

50

110

单位

° C / W

www.kersemi.com

1

12/13/04

IRFR/U5305PbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

g

fs

正向跨导

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

-55

––– –––

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

--- -0.034 --- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA

–––

––– 0.065

V

GS

= -10V ，我

D

= -16A

-2.0 ––– -4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

8.0

––– –––

S

V

DS

= -25V ，我

D

= -16A

–––

––– -25

V

DS

= -55V, V

GS

= 0V

A

–––

––– -250

V

DS

= -44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

–––

––– 100

V

GS

= 20V

nA

–––

––– -100

V

GS

= -20V

–––

63

I

D

= -16A

–––

13

nC

V

DS

= -44V

–––

29

V

GS

= -10V ，见图。 6和13

–––

14

–––

V

DD

= -28V

–––

66

–––

I

D

= -16A

ns

–––

39

–––

R

G

= 6.8

–––

63

–––

R

D

= 1.6Ω ，见图。 10

D

铅之间，

4.5 –––

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

7.5

–––

而中心的模具接触

S

––– 1200 –––

V

GS

= 0V

–––

520 –––

pF

V

DS

= -25V

–––

250 –––

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

71

170

-31

-110

-1.3

110

250

V

ns

nC

A

条件

D

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

S

T

J

= 25 ° C，I

S

= -16A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= -16A

的di / dt = -100A / μs的

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

这个被施加用于I -PAK ，L-

S

的D- PAK时之间测量

铅和模具联络中心。

使用IRF5305数据和试验条件。

V

DD

= -25V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 2.1mH

R

G

= 25, I

AS

= -16A 。（参见图12）

I

SD

≤

-16A ， di / dt的

≤

-280A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

2

www.kersemi.com

IRFR/U5305PbF

1000

VGS

- 15V

- 10V

- 8.0V

- 7.0V

- 6.0V

- 5.5V

- 5.0V

BOTTOM - 4.5V

顶部

1000

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

- 15V

- 10V

- 8.0V

- 7.0V

- 6.0V

- 5.5V

- 5.0V

BOTTOM - 4.5V

顶部

100

10

-4.5V

20μs的脉冲宽度

TC = 25°C

J

A

0.1

1

10

100

-4.5V

20μs的脉冲宽度

T

C

= 175°C

J

1

10

1

0.1

A

100

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= -27A

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

10

1.0

0.5

1

4

5

6

7

V

DS

= -25V

20μs的脉冲宽度

8

9

10

A

0.0

-60 -40 -20

0

20

40

60

V

GS

= -10V

80 100 120 140 160 180

A

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.kersemi.com

3

IRFR/U5305PbF

2500

2000

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

C

国际空间站

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

, C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

= -16A

V

DS

= -44V

V

DS

= -28V

16

C，电容（pF ）

1500

C

OSS

12

1000

8

C

RSS

500

4

0

1

10

100

A

0

10

20

30

测试电路

见图13

40

50

60

A

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

-I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

-I

D

，漏电流（ A）

100

100s

T

J

= 175°C

T

J

= 25°C

10

1ms

10

0.4

0.8

1.2

1.6

V

GS

= 0V

A

1

T

C

= 25°C

T

J

= 175°C

单脉冲

10

10ms

A

100

2.0

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.kersemi.com

IRFR/U5305PbF

V

DS

35

R

D

V

GS

30

D.U.T.

+

-I

D

，漏电流（ A）

25

-10V

20

15

10

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

5

0

25

50

75

100

125

150

175

10%

T

C

，外壳温度（ ° C）

90%

V

DS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

P

DM

t

1

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.kersemi.com

-

R

G

V

DD

5