PD -96207A
IRFR4620PbF
IRFU4620PbF
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高效率同步整流开关电源
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频电路
好处
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
l
LEAD -FREE
D
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
D
D
200V
64m
:
78m
:
24A
S
G
G
D
S
DPAK
IRFR4620PbF
G
D
IPAK
IRFU4620PbF
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
马克斯。
24
17
100
144
0.96
± 20
54
-55 + 175
300
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
c
e
°C
雪崩特性
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
c
d
c
i
113
参见图。 14，15， 22A，22B，
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
j
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.045
50
110
单位
° C / W
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笔记
通过
在第11页
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1
06/08/09
IRFR/U4620PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G（ INT ）
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
分钟。典型值。马克斯。单位
200
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
条件
–––
0.23
64
–––
–––
–––
–––
–––
2.6
–––
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 5毫安
78
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
5.0
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
20
A
250
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
V
GS
= 20V
nA
V
GS
= -20V
-100
f
–––
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
37
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
25
8.2
7.9
17
13.4
22.4
25.4
14.8
1710
125
30
113
317
–––
38
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
条件
有效的输出电容（能源相关）
有效的输出电容（时间相关）
g
h
V
DS
= 50V ，我
D
= 15A
I
D
= 15A
V
DS
= 100V
nC
V
GS
= 10V
I
D
= 15A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 130V
I
D
= 15A
ns
R
G
= 7.3
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
pF的 = 1.0MHz的（参见图5 ）
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至160V （参见图11 ）
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至160V
f
f
h
g
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
24
A
100
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
––– –––
1.3
V
–––
78
–––
ns
–––
99
–––
––– 294 –––
nC
T
J
= 125°C
––– 432 –––
–––
7.6
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 15A ，V
GS
= 0V
V
R
= 100V,
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
F
= 15A
的di / dt = 100A / μs的
T
J
= 25°C
f
f
2
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IRFR/U4620PbF
1000
顶部
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
1000
顶部
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
底部
10
底部
10
5.0V
1
5.0V
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.01
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
图2 。
典型的输出特性
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
ID = 15A
VGS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
TJ = 175℃
T J = 25°C
10
1
VDS = 50V
≤60s
脉冲宽度
0.1
2
4
6
8
10
12
14
16
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
ID = 15A
10000
C，电容（pF ）
VDS = 160V
VDS = 100V
VDS = 40V
1000
西塞
科斯
100
CRSS
10
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
5
10
15
20
25
30
35
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
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3
IRFR/U4620PbF
100
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
100sec
1msec
T J = 175℃
10
T J = 25°C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
10
10msec
DC
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
100
1000
VGS = 0V
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD ，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
30
25
ID ，漏电流（ A）
图8 。
最大安全工作区
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
260
ID = 5毫安
250
240
230
220
210
200
190
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，温度（° C）
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
3.0
图10 。
漏极至源极击穿电压
500
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
2.5
2.0
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
ID
顶部
2.05A
2.94A
BOTTOM 15A
能量（ μJ ）
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
0
50
100
150
200
125
150
175
图11 。
典型的C
OSS
储能
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
4
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10
热响应（Z thJC ）° C / W
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
（热反应）
1E-005
0.0001
0.001
0.1
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
τ
RI（ ° C / W）
0.456
0.589
τi
（秒）
0.000311
0.003759
τ
1
τ
2
CI-
τi /日
次I /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
0.001
1E-006
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
100
占空比=单脉冲
雪崩电流（ A）
10
0.01
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
-Tj
= 150 ℃，并
T开始= 25 ° C（单脉冲）
0.05
0.10
1
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
Τ
J = 25 ℃，并
T开始= 150℃。
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
TAV （秒）
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ，结温（ ° C）
顶部
单脉冲
BOTTOM 1.0 ％占空比
ID = 15A
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
www.irf.com
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
5
QQ：2881677436 复制
