添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第90页 > IRFR4105PBF
PD - 95550A
IRFR4105PbF
IRFU4105PbF
超低导通电阻
l
表面贴装（ IRFR4105 ）
l
直铅（ IRFU4105 ）
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.045
I
D
= 27A
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以在很宽的一个非常有效的装置，用于使用
各种应用程序。
在D- Pak是专为使用表面安装
气相，红外，或波焊工艺。
直引线型（ IRFU系列）是吞吐量
孔安装的应用程序。功耗水平
达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
D- PAK
TO-252AA
I- PAK
TO-251AA
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
27
19
100
68
0.45
± 20
65
16
6.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
2.2
50
110
单位
° C / W
www.irf.com
1
1/7/05
IRFR/U4105PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
55
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.052 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.045
V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
2.0
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
6.5
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 16A
––– ––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 20V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -20V
––– ––– 34
I
D
= 16A
––– ––– 6.8
nC
V
DS
= 44V
––– ––– 14
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
7.0 –––
V
DD
= 28V
–––
49 –––
I
D
= 16A
ns
–––
31 –––
R
G
= 18
–––
40 –––
R
D
= 1.8Ω ，见图。 10
铅之间，
–––
4.5
–––
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
与模具接触中心？
––– 700 –––
V
GS
= 0V
––– 240 –––
pF
V
DS
= 25V
––– 100 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 27
展示
A
G
整体反转
––– ––– 100
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.6
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16A ，V
GS
= 0V
––– 57
86
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A
––– 130 200
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 410μH
R
G
= 25, I
AS
= 16A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
基于最大允许结计算的连续电流
温度;套餐限制电流= 20A
这是适用于I- PAK ， D- PAK的LS是铅的测定
I
SD
≤
图16A ， di / dt的
≤
420A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
模具联络中心
T
J
≤
175°C
使用IRFZ34N数据和测试条件
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
2
www.irf.com
IRFR/U4105PbF
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
我，漏 - 源电流（A ）
D
我，漏 - 源电流（A ）
D
100
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
10
4.5V
4.5V
1
1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
C
= 25°C
1
10
A
100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
C
= 175°C
1
10
100
A
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
100
2.4
I
D
= 26A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
T
J
= 25°C
T
J
= 175°C
1.6
10
1.2
0.8
0.4
ction
1
4
5
6
7
V
DS
= 25V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V
GS
= 10V
80 100 120 140 160 180
A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFR/U4105PbF
1200
20
1000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
国际空间站
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
I
D
= 16A
V
DS
= 44V
V
DS
= 28V
16
C，电容（pF ）
800
C
OSS
600
12
8
400
C
RSS
200
4
0
1
10
100
A
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
A
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
100
I
D
，漏电流（ A）
100
10s
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
100s
10
1ms
10
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V
GS
= 0V
A
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
单脉冲
10
2.0
A
100
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRFR/U4105PbF
30
不限按包
25
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
20
-
V
DD
5.0V
15
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
10
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
5
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
P
DM
单脉冲
（热反应）
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.02
0.01
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.irf.com
5
PD - 95550A
IRFR4105PbF
IRFU4105PbF
超低导通电阻
l
表面贴装（ IRFR4105 ）
l
直铅（ IRFU4105 ）
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.045
I
D
= 27A
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以在很宽的一个非常有效的装置，用于使用
各种应用程序。
在D- Pak是专为使用表面安装
气相，红外，或波焊工艺。
直引线型（ IRFU系列）是吞吐量
孔安装的应用程序。功耗水平
达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
D- PAK
TO-252AA
I- PAK
TO-251AA
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
27
19
100
68
0.45
± 20
65
16
6.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
2.2
50
110
单位
° C / W
www.kersemi.com
1
1/7/05
IRFR/U4105PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
55
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.052 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.045
V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
2.0
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
6.5
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 16A
––– ––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 20V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -20V
––– ––– 34
I
D
= 16A
––– ––– 6.8
nC
V
DS
= 44V
––– ––– 14
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
7.0 –––
V
DD
= 28V
–––
49 –––
I
D
= 16A
ns
–––
31 –––
R
G
= 18
–––
40 –––
R
D
= 1.8Ω ，见图。 10
铅之间，
–––
4.5
–––
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
与模具接触中心？
––– 700 –––
V
GS
= 0V
––– 240 –––
pF
V
DS
= 25V
––– 100 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 27
展示
A
G
整体反转
––– ––– 100
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.6
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16A ，V
GS
= 0V
––– 57
86
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A
––– 130 200
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 410μH
R
G
= 25, I
AS
= 16A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
基于最大允许结计算的连续电流
温度;套餐限制电流= 20A
这是适用于I- PAK ， D- PAK的LS是铅的测定
I
SD
≤
图16A ， di / dt的
≤
420A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
模具联络中心
T
J
≤
175°C
使用IRFZ34N数据和测试条件
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
2
www.kersemi.com
IRFR/U4105PbF
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
我，漏 - 源电流（A ）
D
我，漏 - 源电流（A ）
D
100
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
10
4.5V
4.5V
1
1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
C
= 25°C
1
10
A
100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
C
= 175°C
1
10
100
A
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
100
2.4
I
D
= 26A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
T
J
= 25°C
T
J
= 175°C
1.6
10
1.2
0.8
0.4
ction
1
4
5
6
7
V
DS
= 25V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V
GS
= 10V
80 100 120 140 160 180
A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.kersemi.com
3
IRFR/U4105PbF
1200
20
1000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
国际空间站
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
I
D
= 16A
V
DS
= 44V
V
DS
= 28V
16
C，电容（pF ）
800
C
OSS
600
12
8
400
C
RSS
200
4
0
1
10
100
A
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
A
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
100
I
D
，漏电流（ A）
100
10s
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
100s
10
1ms
10
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V
GS
= 0V
A
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
单脉冲
10
2.0
A
100
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.kersemi.com
IRFR/U4105PbF
30
不限按包
25
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
20
-
V
DD
5.0V
15
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
10
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
5
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
P
DM
单脉冲
（热反应）
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.02
0.01
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.kersemi.com
5
PD - 95550A
IRFR4105PbF
IRFU4105PbF
超低导通电阻
l
表面贴装（ IRFR4105 ）
l
直铅（ IRFU4105 ）
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.045
I
D
= 27A
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以在很宽的一个非常有效的装置，用于使用
各种应用程序。
在D- Pak是专为使用表面安装
气相，红外，或波焊工艺。
直引线型（ IRFU系列）是吞吐量
孔安装的应用程序。功耗水平
达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
D- PAK
TO-252AA
I- PAK
TO-251AA
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
27
19
100
68
0.45
± 20
65
16
6.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
2.2
50
110
单位
° C / W
www.kersemi.com
1
1/7/05
IRFR/U4105PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
55
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.052 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.045
V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
2.0
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
6.5
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 16A
––– ––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 20V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -20V
––– ––– 34
I
D
= 16A
––– ––– 6.8
nC
V
DS
= 44V
––– ––– 14
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
7.0 –––
V
DD
= 28V
–––
49 –––
I
D
= 16A
ns
–––
31 –––
R
G
= 18
–––
40 –––
R
D
= 1.8Ω ，见图。 10
铅之间，
–––
4.5
–––
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
与模具接触中心？
––– 700 –––
V
GS
= 0V
––– 240 –––
pF
V
DS
= 25V
––– 100 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 27
展示
A
G
整体反转
––– ––– 100
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.6
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16A ，V
GS
= 0V
––– 57
86
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A
––– 130 200
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 410μH
R
G
= 25, I
AS
= 16A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
基于最大允许结计算的连续电流
温度;套餐限制电流= 20A
这是适用于I- PAK ， D- PAK的LS是铅的测定
I
SD
≤
图16A ， di / dt的
≤
420A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
模具联络中心
T
J
≤
175°C
使用IRFZ34N数据和测试条件
2
www.kersemi.com
IRFR/U4105PbF
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
我，漏 - 源电流（A ）
D
我，漏 - 源电流（A ）
D
100
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
10
4.5V
4.5V
1
1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
C
= 25°C
1
10
A
100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
C
= 175°C
1
10
100
A
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
100
2.4
I
D
= 26A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
T
J
= 25°C
T
J
= 175°C
1.6
10
1.2
0.8
0.4
ction
1
4
5
6
7
V
DS
= 25V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V
GS
= 10V
80 100 120 140 160 180
A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.kersemi.com
3
IRFR/U4105PbF
1200
20
1000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
国际空间站
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
I
D
= 16A
V
DS
= 44V
V
DS
= 28V
16
C，电容（pF ）
800
C
OSS
600
12
8
400
C
RSS
200
4
0
1
10
100
A
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
A
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
100
I
D
，漏电流（ A）
100
10s
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
100s
10
1ms
10
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V
GS
= 0V
A
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
单脉冲
10
2.0
A
100
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.kersemi.com
IRFR/U4105PbF
30
不限按包
25
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
20
-
V
DD
5.0V
15
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
10
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
5
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
P
DM
单脉冲
（热反应）
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.02
0.01
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.kersemi.com
5
查看更多IRFR4105PBFPDF信息
推荐型号
IRKLF102-06CK
IRKLF111-06DK
IRKUF112-06DP
ICD2042ASC24
IDT54FCT241CLB
IDT7016L20GGI
ICL7641ECSA
IDT74FCT377TLB
IDT54FCT825BL
IDT5V995PFGI
IDT72225LB25PF
ISL88706IB831Z
IRKUF111-08EK
ICM7218AIJI
IPD80N06S3-09
IDT7M856S65CB
IRKHF111-02HL
IRKVF111-08FP
IP137ASMD
ICS830154AMI-08LF
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRFR4105PBF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRFR4105PBF
Infineon Technologies
2415+
3000
DPAK-3 (TO-252-3)
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IRFR4105PBF
Infineon Technologies
24+
5000
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
原装正品现货
深圳市楷瑞达科技电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1294342618 复制 点击这里给我发消息 QQ：2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ：1363272801 复制

电话：13528893675
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
IRFR4105PBF
IR
22+
9600
DPAK
全新原装现货热卖可长期供货
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院
IRFR4105PBF
International Rectifier
㊣10/11+
10007
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
IRFR4105PBF
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8436
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IRFR4105PBF
IR
21+22+
62710
TO-252-3
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IRFR4105PBF
IR
1822+
2749
TO-252-3
原装正品，支持实单
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
IRFR4105PBF
IR
25+23+
21500
DPAK
绝对全新原装现货！原装原标原包渠道优势！
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IRFR4105PBF
IRF
24+
8420
DPAK
全新原装现货，原厂代理。
深圳市深科创科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3350142453 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885393564 复制

电话：0755-83247290
联系人：吴先生/吴小姐/李小姐
地址：深圳市福田区航都大厦17F1
IRFR4105PBF
IR
23+
64770
原厂标准封装
绝对进口原装，公司现货
查询更多IRFR4105PBF供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！