【PD - 93936A开关电源MOSFETIRFR3706IRFU3706HEXFET功率MOSFE】,IC型号IRFR3706,IRFR3706 PDF资料,IRFR3706经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 93936A

开关电源MOSFET

IRFR3706

IRFU3706

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频隔离DC- DC

转换器的同步整流

对于电信和工业应用

l

高频降压转换器的

计算机处理器电源

好处

l

V

DSS

20V

R

DS （ ON）

最大

9.0m

I

D

75A

超低栅极阻抗

非常低的RDS（on ），在4.5V V

GS

充分界定雪崩电压

和电流

D- PAK

IRFR3706

I- PAK

IRFU3706

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 100°C

T

J

, T

英镑

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

结温和存储温度范围

马克斯。

20

± 12

75

53

280

88

44

0.59

-55 + 175

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.7

50

110

单位

° C / W

*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

7/6/00

IRFR/U3706

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

20

–––

0.6

–––

典型值。

–––

0.021

6.9

8.1

11.5

–––

MAX 。单位

––– V

--- V /°C的

9.0

11 m

23

2.0

V

20

A

100

200

nA

-200

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

GS

= 10V ，我

D

= 36A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 28A

V

GS

= 2.8V ，我

D

= 18A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 12V

V

GS

= -12V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

输出栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

53

–––

典型值。

–––

23

8.0

5.5

16

6.8

87

17

4.8

2410

1070

140

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 16V ，我

D

= 57A

35

I

D

= 28A

12

NC V

DS

= 10V

8.3

V

GS

= 4.5V

24

V

GS

= 0V, V

DS

= 10V

–––

V

DD

= 10V

–––

I

D

= 28A

ns

–––

R

G

= 1.8

–––

V

GS

= 4.5V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 10V

–––

pF

= 1.0MHz的

雪崩特性

符号

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

220

28

单位

mJ

A

二极管的特性

符号

I

S

I

SM

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向

恢复时间

恢复电荷

恢复时间

恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

0.88

0.82

45

65

49

78

75

A

280

1.3

–––

68

98

74

120

V

ns

nC

ns

nC

V

SD

t

rr

Q

rr

t

rr

Q

rr

条件

D

MOSFET符号

展示

G

整体反转

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 36A ，V

GS

= 0V

T

J

≤ 125 ° C，I

S

= 36A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 36A ，V

R

=20V

的di / dt = 100A / μs的

T

J

≤ 125 ° C，I

F

= 36A ，V

R

=20V

的di / dt = 100A / μs的

2

www.irf.com

IRFR/U3706

1000

VGS

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

2.7V

BOTTOM 2.5V

顶部

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

2.7V

BOTTOM 2.5V

顶部

100

2.5V

10

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

10

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

I

D

= 71A

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25

°

C

T

J

= 175

°

C

1.5

100

1.0

0.5

10

2.5

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

3.5

4.5

5.5

6.5

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFR/U3706

100000

10

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + Cgd的

ds

I

D

=

28A

V

DS

= 16V

V

DS

= 10V

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

8

10000

C，电容（pF ）

西塞

1000

6

科斯

4

100

CRSS

2

10

1

10

100

0

10

20

30

40

50

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10us

100

T

J

= 175

°

C

I

D

，漏电流（ A）

100

100us

10

1ms

10

10ms

T

J

= 25

°

C

1

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.6

1.0

1.4

1.8

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175 ° C

单脉冲

10

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRFR/U3706

80

不限按包

V

DS

V

GS

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

60

R

G

-

V

DD

4.5V

40

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

20

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

5

PD - 93936A

开关电源MOSFET

IRFR3706

IRFU3706

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频隔离DC- DC

转换器的同步整流

对于电信和工业应用

l

高频降压转换器的

计算机处理器电源

好处

l

V

DSS

20V

R

DS （ ON）

最大

9.0m

I

D

75A

超低栅极阻抗

非常低的RDS（on ），在4.5V V

GS

充分界定雪崩电压

和电流

D- PAK

IRFR3706

I- PAK

IRFU3706

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 100°C

T

J

, T

英镑

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

结温和存储温度范围

马克斯。

20

± 12

75

53

280

88

44

0.59

-55 + 175

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.7

50

110

单位

° C / W

www.kersemi.com

1

7/6/00

IRFR/U3706

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

20

–––

0.6

–––

典型值。

–––

0.021

6.9

8.1

11.5

–––

MAX 。单位

––– V

--- V /°C的

9.0

11 m

23

2.0

V

20

A

100

200

nA

-200

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

GS

= 10V ，我

D

= 36A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 28A

V

GS

= 2.8V ，我

D

= 18A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 12V

V

GS

= -12V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

输出栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

53

–––

典型值。

–––

23

8.0

5.5

16

6.8

87

17

4.8

2410

1070

140

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 16V ，我

D

= 57A

35

I

D

= 28A

12

NC V

DS

= 10V

8.3

V

GS

= 4.5V

24

V

GS

= 0V, V

DS

= 10V

–––

V

DD

= 10V

–––

I

D

= 28A

ns

–––

R

G

= 1.8

–––

V

GS

= 4.5V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 10V

–––

pF

= 1.0MHz的

雪崩特性

符号

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

220

28

单位

mJ

A

二极管的特性

符号

I

S

I

SM

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向

恢复时间

恢复电荷

恢复时间

恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

0.88

0.82

45

65

49

78

75

A

280

1.3

–––

68

98

74

120

V

ns

nC

ns

nC

V

SD

t

rr

Q

rr

t

rr

Q

rr

条件

D

MOSFET符号

展示

G

整体反转

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 36A ，V

GS

= 0V

T

J

≤ 125 ° C，I

S

= 36A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 36A ，V

R

=20V

的di / dt = 100A / μs的

T

J

≤ 125 ° C，I

F

= 36A ，V

R

=20V

的di / dt = 100A / μs的

2

www.kersemi.com

IRFR/U3706

1000

VGS

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

2.7V

BOTTOM 2.5V

顶部

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

2.7V

BOTTOM 2.5V

顶部

100

2.5V

10

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

10

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

I

D

= 71A

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25

°

C

T

J

= 175

°

C

1.5

100

1.0

0.5

10

2.5

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

3.5

4.5

5.5

6.5

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.kersemi.com

3

IRFR/U3706

100000

10

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + Cgd的

ds

I

D

=

28A

V

DS

= 16V

V

DS

= 10V

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

8

10000

C，电容（pF ）

西塞

1000

6

科斯

4

100

CRSS

2

10

1

10

100

0

10

20

30

40

50

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10us

100

T

J

= 175

°

C

I

D

，漏电流（ A）

100

100us

10

1ms

10

10ms

T

J

= 25

°

C

1

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.6

1.0

1.4

1.8

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175 ° C

单脉冲

10

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.kersemi.com

IRFR/U3706

80

不限按包

V

DS

V

GS

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

60

R

G

-

V

DD

4.5V

40

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

20

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.kersemi.com

5