【PD - 94505HEXFET功率MOSFET应用l高频DC- DC转换器好处l低栅极 - 漏极电】,IC型号IRFR3410,IRFR3410 PDF资料,IRFR3410经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94505

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

IRFR3410

IRFU3410

I

D

31A

V

DSS

100V

R

DS （ ON）

最大

39m

D- PAK

IRFR3410

I- PAK

IRFU3410

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

A

= 25°C

dv / dt的

T

J

T

英镑

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲？

最大功率耗散

线性降额因子

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

100

± 20

31

22

125

110

3.0

0.71

15

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

V

A

W

毫瓦°

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.4

40

110

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

9/23/02

IRFR/U3410

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

100

–––

2.0

–––

典型值。

–––

0.11

34

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

39

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 18A

4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

20

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

200

V

GS

= 20V

nA

-200

V

GS

= -20V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

33

–––

典型值。

–––

37

10

11

12

27

40

13

1690

220

26

1640

130

250

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 18A

56

I

D

= 18A

–––

NC V

DS

= 50V

–––

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 50V

–––

I

D

= 18A

ns

–––

R

G

= 9.1

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 80V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至80V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

140

18

单位

mJ

A

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 31

展示

A

G

整体反转

––– ––– 125

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 18A ，V

GS

= 0V

––– 84 –––

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 18A

––– 260 –––

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

www.irf.com

IRFR/U3410

1000

顶部

V

GS

100

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

V

GS

4.5V

10

4.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

ID = 30A

VGS = 10V

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

100

2.0

10

T J = 25°C

（归一化）

T J = 175℃

1.0

1

4.0

5.0

6.0

VDS = 50V

20μs的脉冲宽度

7.0

8.0

9.0

0.0

-60 -40 -20

0

20

40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFR/U3410

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，光盘短路

gs

CRSS = C

gd

科斯

=硫化镉+ Cgd的

20

ID = 18A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

16

10000

VDS = 80V

VDS = 50V

VDS = 20V

C，电容（pF ）

12

西塞

1000

科斯

100

8

CRSS

4

10

1

10

100

0

10

20

30

40

50

60

Q g总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限制根据RDS （ ON）

100.0

TJ = 175℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

100sec

10

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0.1

1

10

10msec

1.0

TJ = 25°C

VGS = 0V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VSD ，源toDrain电压（ V）

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRFR/U3410

32

不限按包

28

ID ，漏电流（ A）

V

DS

V

GS

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

R

D

D.U.T.

+

24

20

16

12

8

4

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

-

V

DD

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

0.01

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

5

PD - 94505

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

IRFR3410

IRFU3410

I

D

31A

V

DSS

100V

R

DS （ ON）

最大

39m

D- PAK

IRFR3410

I- PAK

IRFU3410

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

A

= 25°C

dv / dt的

T

J

T

英镑

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲？

最大功率耗散

线性降额因子

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

100

± 20

31

22

125

110

3.0

0.71

15

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

V

A

W

毫瓦°

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.4

40

110

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

9/23/02

IRFR/U3410

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

100

–––

2.0

–––

典型值。

–––

0.11

34

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

39

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 18A

4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

20

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

200

V

GS

= 20V

nA

-200

V

GS

= -20V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

33

–––

典型值。

–––

37

10

11

12

27

40

13

1690

220

26

1640

130

250

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 18A

56

I

D

= 18A

–––

NC V

DS

= 50V

–––

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 50V

–––

I

D

= 18A

ns

–––

R

G

= 9.1

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 80V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至80V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

140

18

单位

mJ

A

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 31

展示

A

G

整体反转

––– ––– 125

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 18A ，V

GS

= 0V

––– 84 –––

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 18A

––– 260 –––

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

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IRFR/U3410

1000

顶部

V

GS

100

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

V

GS

4.5V

10

4.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

ID = 30A

VGS = 10V

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

100

2.0

10

T J = 25°C

（归一化）

T J = 175℃

1.0

1

4.0

5.0

6.0

VDS = 50V

20μs的脉冲宽度

7.0

8.0

9.0

0.0

-60 -40 -20

0

20

40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，光盘短路

gs

CRSS = C

gd

科斯

=硫化镉+ Cgd的

20

ID = 18A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

16

10000

VDS = 80V

VDS = 50V

VDS = 20V

C，电容（pF ）

12

西塞

1000

科斯

100

8

CRSS

4

10

1

10

100

0

10

20

30

40

50

60

Q g总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限制根据RDS （ ON）

100.0

TJ = 175℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

100sec

10

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0.1

1

10

10msec

1.0

TJ = 25°C

VGS = 0V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VSD ，源toDrain电压（ V）

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRFR/U3410

32

不限按包

28

ID ，漏电流（ A）

V

DS

V

GS

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

R

D

D.U.T.

+

24

20

16

12

8

4

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

-

V

DD

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

0.01

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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IRFR/U3410

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

V

DSS

100V

R

DS （ ON）

最大

39m

I

D

31A

D- PAK

IRFR3410

I- PAK

IRFU3410

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

A

= 25°C

dv / dt的

T

J

T

英镑

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲？

最大功率耗散

线性降额因子

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

100

± 20

31

22

125

110

3.0

0.71

15

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

V

A

W

5W

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.4

40

110

单位

° C / W

1 / 10

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IRFR/U3410

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

100

–––

2.0

–––

典型值。

–––

0.11

34

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

39

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 18A

4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

20

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

200

V

GS

= 20V

nA

-200

V

GS

= -20V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

33

–––

典型值。

–––

37

10

11

12

27

40

13

1690

220

26

1640

130

250

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 18A

56

I

D

= 18A

–––

nC

V

DS

= 50V

–––

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 50V

–––

I

D

= 18A

ns

–––

R

G

= 9.1

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 80V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至80V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

140

18

单位

mJ

A

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 31

展示

A

G

整体反转

––– ––– 125

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 18A ，V

GS

= 0V

––– 84 –––

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 18A

––– 260 –––

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2 / 10

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IRFR/U3410

1000

顶部

V

GS

100

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

V

GS

4.5V

10

4.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

1

10

100

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

ID = 30A

VGS = 10V

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

100

10

T J = 25°C

（归一化）

T J = 175℃

2.0

1.0

1

4.0

5.0

6.0

VDS = 50V

20μs的脉冲宽度

7.0

8.0

9.0

0.0

-60 -40 -20

0

20

40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

3 / 10

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IRFR/U3410

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，光盘短路

gs

CRSS = C

gd

科斯

=硫化镉+ Cgd的

20

ID = 18A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

16

10000

VDS = 80V

VDS = 50V

VDS = 20V

C，电容（pF ）

西塞

1000

12

科斯

100

8

CRSS

4

10

1

10

100

0

10

20

30

40

50

60

Q g总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限制根据RDS （ ON）

100.0

TJ = 175℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

10

100sec

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

10msec

1.0

TJ = 25°C

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VSD ，源toDrain电压（ V）

VGS = 0V

0.1

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4 / 10

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32

28

ID ，漏电流（ A）

不限按包

V

DS

V

GS

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

R

D

24

20

16

12

8

4

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

D.U.T.

+

-

V

DD

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

0.01

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

V

DSS

100V

R

DS （ ON）

最大

39m

I

D

31A

D- PAK

IRFR3410

I- PAK

IRFU3410

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

A

= 25°C

dv / dt的

T

J

T

英镑

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲？

最大功率耗散

线性降额因子

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

100

± 20

31

22

125

110

3.0

0.71

15

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

V

A

W

5W

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.4

40

110

单位

° C / W

1 / 10

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静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

100

–––

2.0

–––

典型值。

–––

0.11

34

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

39

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 18A

4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

20

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

200

V

GS

= 20V

nA

-200

V

GS

= -20V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

33

–––

典型值。

–––

37

10

11

12

27

40

13

1690

220

26

1640

130

250

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 18A

56

I

D

= 18A

–––

nC

V

DS

= 50V

–––

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 50V

–––

I

D

= 18A

ns

–––

R

G

= 9.1

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 80V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至80V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

140

18

单位

mJ

A

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 31

展示

A

G

整体反转

––– ––– 125

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 18A ，V

GS

= 0V

––– 84 –––

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 18A

––– 260 –––

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

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1000

顶部

V

GS

100

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

V

GS

4.5V

10

4.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

1

10

100

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

ID = 30A

VGS = 10V

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

100

10

T J = 25°C

（归一化）

T J = 175℃

2.0

1.0

1

4.0

5.0

6.0

VDS = 50V

20μs的脉冲宽度

7.0

8.0

9.0

0.0

-60 -40 -20

0

20

40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，光盘短路

gs

CRSS = C

gd

科斯

=硫化镉+ Cgd的

20

ID = 18A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

16

10000

VDS = 80V

VDS = 50V

VDS = 20V

C，电容（pF ）

西塞

1000

12

科斯

100

8

CRSS

4

10

1

10

100

0

10

20

30

40

50

60

Q g总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限制根据RDS （ ON）

100.0

TJ = 175℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

10

100sec

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

10msec

1.0

TJ = 25°C

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VSD ，源toDrain电压（ V）

VGS = 0V

0.1

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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ID ，漏电流（ A）

不限按包

V

DS

V

GS

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

R

D

24

20

16

12

8

4

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

D.U.T.

+

-

V

DD

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

0.01

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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