IRFR320 ， IRFU320
数据表
2002年1月
3.1A ， 400V ， 1.800 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关
变流器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高
功率双极开关需要高速的晶体管和
低栅极驱动电源。这些类型可以直接操作
从集成电路。
以前发育类型TA17404 。
特点
3.1A ， 400V
r
DS （ ON）
= 1.800
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
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组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRFR320
IRFU320
包
TO-252AA
TO-251AA
BRAND
IFR320
IFU320
符号
D
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得在磁带和卷轴，即IRFR3209A的TO- 252AA变种。
S
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
JEDEC TO- 252AA
门
漏
（法兰）
漏极（法兰）
漏
来源
2002仙童半导体公司
IRFR320 ， IRFU320版本B
IRFR320 ， IRFU320
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFR320 ， IRFU320
400
400
3.1
2.0
12
±20
50
0.4
190
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气规格
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
测量从排水
铅， 6.0毫米（ 0.25英寸） ，从
包到中心
模具
测量从
源铅， 6.0毫米
（ 0.25英寸），从包装到
来源粘合垫
修改MOSFET
符号显示的
内部寄存器
电感
D
L
D
G
L
S
S
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V时， （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
J
= 125
o
C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V,
（图7）
V
GS
=
±20V
I
D
= 1.7A ，V
GS
= 10V， （图8,9 ）
V
DS
≥
10V ，我
D
= 2.0A ， （图12）
V
DD
=
200V ，我
D
≈
3.1A ，R
GS
= 18, R
L
= 63,
V
GS
= 10V
MOSFET开关时间基本上是Indepen-
工作温度的凹痕
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.1A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS ，
I
G（ REF ）
= 1.5毫安， （图14）
栅极电荷基本上是独立的Operat-
ING温度
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V中，f = 1MHz时， （图11）
民
400
2.0
-
-
3.1
-
-
1.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
1.600
2.6
10
14
30
13
13
2.2
7.2
350
64
8.1
4.5
最大
-
4.0
25
250
-
±100
1.800
-
15
21
45
20
20
3.3
11
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
内部源极电感
L
S
-
7.5
-
nH
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
R
θJC
R
θJA
典型的焊接安装
-
-
-
-
2.5
110
o
C / W
o
C / W
2002仙童半导体公司
IRFR320 ， IRFU320版本B
IRFR320 ， IRFU320
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示在 -
tegral反向P -N
结整流器
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
3.1
12
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 3.1A ，V
GS
= 0V,
（图13）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 3.1A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 3.1A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
120
0.64
-
270
1.4
1.6
600
3.0
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 3.1mH ，R
GS
= 25Ω ，峰值I
AS
= 3.1A.
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
除非另有说明
4.0
I
D
，漏电流（ A）
125
50
75
100
T
C
，外壳温度（
o
C)
3.2
2.4
1.6
0.8
150
175
0
25
50
100
75
125
o
C)
T
C
，外壳温度（
150
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
，瞬态热阻抗
10
0.5
1
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-4
10
-3
10
-2
0.1
1
10
10
-2
10
-5
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.最大瞬态热阻抗
2002仙童半导体公司
IRFR320 ， IRFU320版本B
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