PD -93862
IRFR2407
IRFU2407
表面贴装（ IRFR2407 ）
l
直铅（ IRFU2407 ）
l
先进的工艺技术
l
动态的dv / dt额定值
l
快速开关
l
全额定雪崩
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 75V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.026
I
D
= 42A
第七代HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计，
HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了
设计师用一种极其有效和可靠的
装置，用于在各种各样的应用中使用。
在D- Pak是专为使用表面安装
气相，红外，或波焊工艺。
直引线型（ IRFU系列）是吞吐量
孔安装的应用程序。功耗水平
达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
D- PAK
IRFR2407
I- PAK
IRFU2407
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
42
29
170
110
0.71
± 20
130
25
11
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） *
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.4
50
110
单位
° C / W
*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
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1
3/1/00
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电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
75
–––
–––
2.0
27
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
0.078 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.0218 0.026
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
––– 4.0
V
V
DS
= 10V ，我
D
= 250A
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 25A
––– 20
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
A
––– 250
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– 200
V
GS
= 20V
nA
––– -200
V
GS
= -20V
74 110
I
D
= 25A
13
19
nC
V
DS
= 60V
22
34
V
GS
= 10V
16 –––
V
DD
= 38V
90 –––
I
D
= 25A
ns
65 –––
R
G
= 6.8
66 –––
V
GS
= 10V
D
铅之间，
4.5 –––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5 –––
而中心的模具接触
S
2400 –––
V
GS
= 0V
340 –––
pF
V
DS
= 25V
77 –––
= 1.0MHz的，见图。五
15700 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
220 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 60V ， = 1.0MHz的
220 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 42
展示
A
G
整体反转
––– ––– 170
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 25A ，V
GS
= 0V
––– 100 150
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 25A
––– 400 600
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.42mH
R
G
= 25, I
AS
= 25A.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为30A
I
SD
≤
25A ， di / dt的
≤
290A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
2
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IRFR/U2407
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
10
10
4.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
I
D
= 42A
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
100
2.0
T
J
= 175
°
C
1.5
T
J
= 25
°
C
10
1.0
0.5
1
4.0
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
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20
4000
I
D
= 25A
V
DS
= 60V
V
DS
= 37V
V
DS
= 15V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + Cgd的
ds
16
3000
C，电容（pF ）
西塞
2000
12
8
1000
科斯
CRSS
0
1
10
100
4
0
0
20
40
60
测试电路
见图13
80
100
120
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
100
I
D
，漏电流（ A）
100
10us
T
J
= 175
°
C
100us
10
1ms
10
T
J
= 25
°
C
1
0.4
V
GS
= 0 V
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
1
1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 175 ° C
单脉冲
10
10ms
100
1000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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50
不限按包
V
DS
V
GS
R
D
40
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
R
G
-
V
DD
30
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
20
图10A 。
开关时间测试电路
10
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
P
DM
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
75
–––
–––
2.0
27
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
0.078 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.0218 0.026
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
––– 4.0
V
V
DS
= 10V ，我
D
= 250A
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 25A
––– 20
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
A
––– 250
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– 200
V
GS
= 20V
nA
––– -200
V
GS
= -20V
74 110
I
D
= 25A
13
19
NC V
DS
= 60V
22
34
V
GS
= 10V
16 –––
V
DD
= 38V
90 –––
I
D
= 25A
ns
65 –––
R
G
= 6.8
66 –––
V
GS
= 10V
D
铅之间，
4.5 –––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5 –––
而中心的模具接触
S
2400 –––
V
GS
= 0V
340 –––
pF
V
DS
= 25V
77 –––
= 1.0MHz的，见图。五
15700 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
220 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 60V ， = 1.0MHz的
220 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 42
展示
A
G
整体反转
––– ––– 170
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 25A ，V
GS
= 0V
––– 100 150
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 25A
––– 400 600
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.42mH
R
G
= 25, I
AS
= 25A.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为30A
I
SD
≤
25A ， di / dt的
≤
290A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
2
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IRFR/U2407
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
10
10
4.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
I
D
= 42A
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
100
2.0
T
J
= 175
°
C
1.5
T
J
= 25
°
C
10
1.0
0.5
1
4.0
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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