特点
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AUIRFR2307Z
D
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D（硅有限公司）
75V
16m
53A
42A
G
S
I
D（包装有限公司）
D
S
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这个额外的功能
设计是一个175 ° C的结温工作，
开关速度快和改进的重复ava-
拦车的评级。这些特性相结合，使该
设计一种非常有效和可靠的装置，用于
在汽车应用和各种用
其他应用程序。
D- PAK
AUIRFR2307Z
G
D
S
G
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
马克斯。
53
38
42
210
110
0.70
± 20
100
140
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
h
d
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
g
300
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
j
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.42
50
110
单位
° C / W
i
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1
07/23/2010
AUIRFR2307Z
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
75
–––
–––
2.0
30
–––
–––
–––
–––
–––
0.072
12.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
16
4.0
–––
25
250
200
-200
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 32A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
s V
DS
= 25V ，我
D
= 32A
μA V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
e
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
50
14
19
16
65
44
29
4.5
7.5
2190
280
150
1070
190
400
75
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 32A
V
DS
= 60V
V
GS
= 10V
V
DD
= 38V
I
D
= 32A
R
G
= 10
V
GS
= 10V
铅之间，
e
e
ns
D
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
pF
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 60V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
f
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
31
31
42
A
210
1.3
47
47
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 32A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 32A ，V
DD
= 38V
的di / dt = 100A / μs的
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
重复评价;脉冲宽度有限的
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型
重复雪崩性能。
从样品失效的人口决定了这个值，
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.197mH中，R
G
= 25, I
AS
= 32A,
V
GS
=10V.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术
请参考应用笔记AN ＃ -994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.197mH
R
G
= 25, I
AS
= 32A ，V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同
充电时间为C
OSS
而V
DS
从0上升到
80% V
DSS
.
2
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