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PD - 95355A

开关电源MOSFET

应用

高频DC- DC转换器

LEAD -FREE

好处

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

充分界定雪崩电压

和电流

HEXFET

功率MOSFET

IRFR15N20DPbF

IRFU15N20DPbF

17A

DSS

200V

DS （ ON）

最大

0.165

D- PAK

IRFR15N20D

I- PAK

IRFU15N20D

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

功耗*

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

140

3.0

0.96

± 30

8.3

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.04

110

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1/17/05

IRFR/U15N20DPbF

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

GS （ TH）

栅极阈值电压

DSS

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

200

–––

3.0

–––

典型值。

–––

0.26

–––

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

0.165

= 10V ，我

= 10A

5.5

= V

, I

= 250A

= 200V, V

= 0V

250

= 160V, V

= 0V ，T

= 150°C

100

= 30V

-100

= -30V

动态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

4.0

–––

典型值。

–––

6.9

9.7

8.9

910

170

1380

150

MAX 。单位

条件

–––

= 50V ，我

= 10A

NC V

= 160V

= 10V,

–––

= 100V

–––

= 10A

–––

= 6.8

–––

= 10V

–––

= 0V

–––

= 25V

–––

= 1.0MHz的

–––

= 0V, V

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

= 0V, V

= 160V ， = 1.0MHz的

–––

= 0V, V

= 0V至160V

雪崩特性

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

马克斯。

260

单位

二极管的特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

––– –––

展示

整体反转

––– –––

p-n结二极管。

––– ––– 1.5

= 25 ° C，I

= 10A ，V

= 0V

––– 130 200

= 25 ° C，I

= 10A

––– 610 920

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

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100

VGS

顶部

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

100

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

顶部

5.0V

0.1

5.0V

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

= 175

100

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.5

= 175

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= 17A

，漏极 - 源极电流（A ）

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-60 -40 -20 0

= 25

0.1

0.01

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + C ，C

DS短路

CRSS = C

COSS = C + C

= 10A

= 160V

= 100V

= 40V

，栅 - 源极电压（ V）

C，电容（pF ）

1000

西塞

100

科斯

CRSS

100

1000

测试电路

见图13

VDS ，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

= 175

，反向漏电流（ A）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

100sec

= 25

1msec

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

100

0.1

0.0

= 0 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

10msec

1000

0.1

，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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，漏电流（ A）

D.U.T.

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

90%

100

125

150

175

，外壳温度（ ° C）

10%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

0.0001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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