【PD - 93905A开关电源MOSFET应用l高频DC- DC转换器好处l低栅极 - 漏极电荷降低】,IC型号IRFR13N15D,IRFR13N15D PDF资料,IRFR13N15D经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 93905A

开关电源MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

IRFR13N15D

IRFU13N15D

HEXFET

功率MOSFET

V

DSS

150V

R

DS （ ON）

最大

0.18

I

D

14A

D- PAK

IRFR13N15D

I- PAK

IRFU13N15D

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

14

9.8

56

86

0.57

± 30

3.8

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

典型SMPS拓扑

l

电信48V输入有源钳位正激变换器

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

6/29/00

IRFR13N15D/IRFU13N15D

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

150

–––

3.0

–––

典型值。

–––

0.17

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.18

V

GS

= 10V ，我

D

= 8.3A

5.5

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

25

V

DS

= 150V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 120V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 30V

nA

-100

V

GS

= -30V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

5.0

–––

典型值。

–––

19

5.5

9.4

8.0

26

12

11

620

130

38

780

62

110

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 8.3A

29

I

D

= 8.3A

8.2

nC

V

DS

= 120V

14

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 75V

–––

I

D

= 8.3A

ns

–––

R

G

= 11

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 120V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至120V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

马克斯。

130

8.3

8.6

单位

mJ

A

mJ

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

典型值。

–––

分钟。典型值。马克斯。单位

马克斯。

1.75

50

110

单位

° C / W

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

条件

D

MOSFET符号

14

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– –––

56

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 8.3A ，V

GS

= 0V

––– 110 –––

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 8.3A

––– 520 –––

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

www.irf.com

IRFR13N15D/IRFU13N15D

100

VGS

顶部

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

100

10

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

顶部

10

1

5.0V

1

0.1

5.0V

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.0

I

D

= 14A

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

T

J

= 175

°

C

10

2.0

1.5

T

J

= 25

°

C

1

1.0

0.5

0.1

5

6

7

8

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

9

10

11

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFR13N15D/IRFU13N15D

20

10000

I

D

= 8.3A

V

DS

= 120V

V

DS

= 75V

V

DS

= 30V

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + C

ds

gd

16

C，电容（pF ）

1000

西塞

12

100

科斯

8

CRSS

4

10

1

10

100

1000

0

5

10

15

测试电路

见图13

20

25

30

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

I

SD

，反向漏电流（ A）

10

I

D

，漏电流（ A）

T

J

= 175

°

C

100

10us

10

100us

T

J

= 25

°

C

1

1ms

1

10ms

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.1

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175 ° C

单脉冲

10

100

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRFR13N15D/IRFU13N15D

14

V

DS

V

GS

R

G

R

D

12

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

10

-

V

DD

8

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

6

4

2

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( °C)

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

5

IRFR/U13N15D

开关电源MOSFET

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

V

DSS

150V

R

DS （ ON）

最大

0.18

I

D

14A

D- PAK

IRFR13N15D

I- PAK

IRFU13N15D

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

14

9.8

56

86

0.57

± 30

3.8

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

典型SMPS拓扑

l

电信48V输入有源钳位正激变换器

1 / 10

www.freescale.net.cn

IRFR/U13N15D

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

150

–––

3.0

–––

典型值。

–––

0.17

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.18

V

GS

= 10V ，我

D

= 8.3A

5.5

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

25

V

DS

= 150V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 120V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 30V

nA

-100

V

GS

= -30V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

5.0

–––

典型值。

–––

19

5.5

9.4

8.0

26

12

11

620

130

38

780

62

110

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 8.3A

29

I

D

= 8.3A

8.2

nC

V

DS

= 120V

14

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 75V

–––

I

D

= 8.3A

ns

–––

R

G

= 11

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 120V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至120V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

马克斯。

130

8.3

8.6

单位

mJ

A

mJ

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

典型值。

–––

分钟。典型值。马克斯。单位

马克斯。

1.75

50

110

单位

° C / W

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

条件

D

MOSFET符号

14

––– –––

展示

A

G

整体反转

56

––– –––

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 8.3A ，V

GS

= 0V

––– 110 –––

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 8.3A

––– 520 –––

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

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100

10

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

顶部

10

1

5.0V

1

0.1

5.0V

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.0

I

D

= 14A

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

T

J

= 175

°

C

10

2.0

1.5

T

J

= 25

°

C

1

1.0

0.5

0.1

5

6

7

8

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

9

10

11

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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20

10000

I

D

= 8.3A

V

DS

= 120V

V

DS

= 75V

V

DS

= 30V

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + C

ds

gd

16

C，电容（pF ）

1000

西塞

12

100

科斯

8

CRSS

4

10

1

10

100

1000

0

5

10

15

测试电路

见图13

20

25

30

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

I

SD

，反向漏电流（ A）

10

I

D

，漏电流（ A）

T

J

= 175

°

C

100

10us

10

100us

T

J

= 25

°

C

1

1ms

1

10ms

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.1

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175 ° C

单脉冲

10

100

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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14

V

DS

V

GS

R

G

R

D

12

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

10

-

V

DD

8

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

6

4

2

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( °C)

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

5 / 10

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开关电源MOSFET

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

V

DSS

150V

R

DS （ ON）

最大

0.18

I

D

14A

D- PAK

IRFR13N15D

I- PAK

IRFU13N15D

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

14

9.8

56

86

0.57

± 30

3.8

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

典型SMPS拓扑

l

电信48V输入有源钳位正激变换器

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静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

150

–––

3.0

–––

典型值。

–––

0.17

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.18

V

GS

= 10V ，我

D

= 8.3A

5.5

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

25

V

DS

= 150V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 120V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 30V

nA

-100

V

GS

= -30V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

5.0

–––

典型值。

–––

19

5.5

9.4

8.0

26

12

11

620

130

38

780

62

110

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 8.3A

29

I

D

= 8.3A

8.2

nC

V

DS

= 120V

14

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 75V

–––

I

D

= 8.3A

ns

–––

R

G

= 11

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 120V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至120V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

马克斯。

130

8.3

8.6

单位

mJ

A

mJ

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

典型值。

–––

分钟。典型值。马克斯。单位

马克斯。

1.75

50

110

单位

° C / W

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

条件

D

MOSFET符号

14

––– –––

展示

A

G

整体反转

56

––– –––

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 8.3A ，V

GS

= 0V

––– 110 –––

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 8.3A

––– 520 –––

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

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100

10

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

顶部

10

1

5.0V

1

0.1

5.0V

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.0

I

D

= 14A

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

T

J

= 175

°

C

10

2.0

1.5

T

J

= 25

°

C

1

1.0

0.5

0.1

5

6

7

8

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

9

10

11

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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20

10000

I

D

= 8.3A

V

DS

= 120V

V

DS

= 75V

V

DS

= 30V

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + C

ds

gd

16

C，电容（pF ）

1000

西塞

12

100

科斯

8

CRSS

4

10

1

10

100

1000

0

5

10

15

测试电路

见图13

20

25

30

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

I

SD

，反向漏电流（ A）

10

I

D

，漏电流（ A）

T

J

= 175

°

C

100

10us

10

100us

T

J

= 25

°

C

1

1ms

1

10ms

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.1

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175 ° C

单脉冲

10

100

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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14

V

DS

V

GS

R

G

R

D

12

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

10

-

V

DD

8

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

6

4

2

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( °C)

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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