IRFPS43N50K
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
500 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.60 --- V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安？
––– 0.078 0.090
V
GS
= 10V ，我
D
= 28A
3.0
––– 5.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– ––– 50
μA V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
––– ––– 250
μA V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
––– ––– 100
V
GS
= 30V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
23
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
25
140
55
74
8310
960
120
10170
240
440
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 28A
350
I
D
= 47A
85
nC
V
DS
= 400V
180
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 250V
–––
I
D
= 47A
ns
–––
R
G
= 1.0
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
反向RecoveryCurrent
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
47
A
190
––– ––– 1.5
V
––– 620 940
ns
––– 14
21
C
––– 38 –––
A
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 47A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 47A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.82mH ，R
G
= 25,
I
AS
= 47A （参见图12a ） 。
I
SD
≤
47A ， di / dt的
≤
230A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C.
2
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IRFPS43N50K ， SiHFPS43N50K
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
350
85
180
单身
D
特点
500
0.078
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
低R
DS （ ON）
铅（Pb） ，免费提供
SUPER-247
TM
G
S
D
G
应用
开关模式电源（SMPS ）
·不间断电源
S
N沟道
MOSFET
高速电源开关
硬开关和高频电路
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
SUPER-247
TM
IRFPS43N50KPbF
SiHFPS43N50K-E3
IRFPS43N50K
SiHFPS43N50K
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩
当前
a
T
C
= 25 °C
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
500
± 30
47
29
190
4.3
910
47
54
540
9.0
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.82 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 47 A（参见图12C ） 。
C.我
SD
≤
47 A， di / dt的
≤
230 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
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S- 81367 -REV 。 B， 21 -JUL- 08
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.24
-
马克斯。
40
-
0.23
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
体二极管的恢复电流
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
T
J
= 25 ° C，I
F
= 47 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 28 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 28 A
500
-
3.0
-
-
-
-
23
-
0.60
-
-
-
-
0.078
-
-
-
5.0
± 100
50
250
0.090
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
c
I
D
= 47 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
b
V
GS
= 10 V
V
DD
= 250 V，I
D
= 47 A,
R
G
= 1.0
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8310
960
120
10170
240
440
-
-
-
25
140
55
74
-
-
-
-
-
-
350
85
180
-
-
-
-
ns
nC
pF
-
-
-
-
-
-
-
-
-
620
14
38
47
A
190
1.5
940
21
-
V
ns
C
A
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 47 A，V
GS
= 0 V
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
400微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1000
100
T
J
= 150
°
C
10
10
1
T
J
= 25
°
C
1
0.1
4.5V
20μs的脉冲
宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.01
0.1
0.1
V
DS = 50V
20μs的脉冲
宽度
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 1 - 典型的输出特性
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
图。 3 - 典型的传输特性
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM4.5V
顶部
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
1000
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
D
= 48A
10
4.5V
1
0.1
0.1
20μs的脉冲
宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60
80
100 120 140 160
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 2 - 典型的输出特性
T
J
，结温（
°
C)
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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1000000
1000
100000
C，电容（pF ）
COSS =硫化镉+ Cgd的
10000
I
SD
，反向漏电流（ A）
V
GS = 0V中，f = 1兆赫
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
100
T
J
= 150
°
C
10
西塞
1000
科斯
100
T
J
= 25
°
C
1
CRSS
10
1
10
100
1000
0.1
0.2
V
GS
= 0
V
0.7
1.2
1.7
2.2
V
DS ，漏 - 源
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
V
SD
，源极到漏极
电压
(V)
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
1000
I
D
=
48A
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
15
I
D
，漏电流（ A）
100
10us
10
100us
10
1ms
5
0
0
50
100
150
200
250
300
350
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
10
100
10ms
1000
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 8 - 最高安全工作区
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V
DS
R
D
50
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
40
I
D
，漏电流（ A）
30
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
20
V
DS
90
%
10
0
25
50
75
100
125
150
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
1
图。 10B - 开关时间波形
热响应（Z
thJC
)
0.1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.001
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
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