【PD - 93911IRFPS3815HEXFET功率MOSFETllllll先进的工艺技术超低导通】,IC型号IRFPS3815,IRFPS3815 PDF资料,IRFPS3815经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第371页 > IRFPS3815

PD - 93911

IRFPS3815

HEXFET

功率MOSFET

l

l

l

l

l

l

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

D

V

DSS

= 150V

G

S

R

DS （ ON）

= 0.015

I

D

= 105A

描述

该HEXFET

从国际的功率MOSFET

整流器采用先进的加工技术，

实现极低的导通电阻每硅片面积。

这样做的好处，结合快速开关速度

和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

在一个非常有效和可靠的装置，用于使用

各种各样的应用程序。

Super-247

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

105

74

390

441

2.9

± 30

1610

58

38

3.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.24

–––

马克斯。

0.34

–––

40

单位

° C / W

www.irf.com

1

3/14/01

IRFPS3815

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

150

–––

–––

3.0

47

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.18

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

260

53

150

22

130

51

60

5.0

13

6810

1570

480

9820

670

1270

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.015

V

GS

= 10V ，我

D

= 63A

5.0

V

V

DS

= 10V ，我

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 58A

25

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 30V

nA

-100

V

GS

= -30V

390

I

D

= 58A

80

nC

V

DS

= 120V

230

V

GS

= 10V

–––

V

DD

= 75V

–––

I

D

= 58A

ns

–––

R

G

= 1.03

–––

V

GS

= 10V

D

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

而中心的模具接触

S

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 25V

–––

= 1.0MHz的，见图。五

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 120V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至120V

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 105

展示

A

G

整体反转

––– ––– 390

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 58A ，V

GS

= 0V

––– 270 410

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 58A

2990 --- 4490 NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.96mH

R

G

= 25, I

AS

= 58A 。（参见图12）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间

为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DSS

I

SD

≤

58A ， di / dt的

≤

450A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

2

www.irf.com

IRFPS3815

1000

100

10

1

5.0V

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

1000

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

顶部

5.0V

10

0.1

0.01

0.1

50μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

0.1

50μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

I

D

= 97A

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

T

J

= 175

°

C

100

2.0

T

J

= 25

°

C

10

1.5

1.0

0.5

1

5

6

7

8

V DS = 50V

50μs的脉冲宽度

9

10

11

12

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFPS3815

12000

20

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

I

D

= 58A

V

DS

= 120V

V

DS

= 75V

V

DS

= 30V

10000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

16

西塞

COSS = C + Cgd的

ds

C，电容（pF ）

8000

科斯

6000

12

8

4000

CRSS

2000

4

0

1

10

100

1000

0

0

100

200

测试电路

见图13

300

400

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

10000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

I

SD

，反向漏电流（ A）

T

J

= 175

°

C

I

D

，漏电流（ A）

100

1000

10us

100us

1ms

10

10ms

10

100

T

J

= 25

°

C

1

0.1

0.0

V

GS

= 0 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

1

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175 ° C

单脉冲

10

100

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRFPS3815

120

V

DS

100

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

80

-

V

DD

10V

60

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

40

20

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

1

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.1

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

P

DM

t

1

t

2

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

5

查看更多IRFPS3815PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IRFPS3815

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

IRFPS3815

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市金泽顺电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1101329890 复制

点击这里给我发消息

QQ：1803862608 复制

电话：0755-８２７８９２９６

联系人：朱先生／公司可以开13％的税

地址：深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。

IRFPS3815

IR.FSC

1545+

8600

TO-247

一级代理原装现货热卖!

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

IRFPS3815

IR

2443+

23000

TO247

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881501652 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

IRFPS3815

IR

24+

18650

TO247

全新原装现货，原厂代理。

昆山隆诚翔电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2885615943 复制

电话：0512-82613006

联系人：曾小姐

地址：昆山市朝阳东路99号4楼

IRFPS3815

infineon

19+

8800

标准封装

上海金庆电子科技京城市场部

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：729272152 复制

点击这里给我发消息

QQ：1484215649 复制

电话：021-51872165/51872561

联系人：陈小姐付先生

地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼

IRFPS3815

IR

20+

26000

TO247

全新原装货期两周

北京首天伟业科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

IRFPS3815

IR

14+

56000

TO-3P

全新原装正品/质量有保证

上海统盈电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：83415655 复制

电话：13311626995

联系人：易

地址：上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区

IRFPS3815

IR

21+

9

TO247

原装正品

深圳市嘉万骏科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：657995889 复制

电话：0755*83682918

联系人：林小姐

地址：深圳市福田区华强花园A座30E

IRFPS3815

IR

22+

16000

TO-247

原装正品自家库存

深圳市昌和盛利电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2360675383 复制

点击这里给我发消息

QQ：1551106297 复制

电话：0755-83679110 0755-23125986

联系人：朱生/李小姐

地址：█★◆█★◣█★█◆█★深圳福田区华强北海外装饰大厦B座7B-20（门市：新亚洲电子市场4楼)★【长期高价回收全新原装正品电子元器件】

IRFPS3815

IR【原装正品】

NEW

11444

SUPER-247

█◆★【专注原装正品现货】★价格最低★！量大可定！欢迎惠顾！(长期高价回收全新原装正品电子元器件)

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IRFPS3815

IR

2023+

700000

SO

柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分

查询更多IRFPS3815供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！