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开关电源MOSFET
PD- 95906
IRFPS30N60KPbF
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
开关模式电源(SMPS )
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
LEAD -FREE
好处
l
低栅极电荷Qg结果简单
驱动要求
l
改进的门,雪崩和动态
的dv / dt坚固
l
充分界定电容和
雪崩电压和电流
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
( 1.6毫米的情况下)
V
DSS
600V
R
DS ( ON)
典型值。
160m
I
D
30A
Super-247
马克斯。
30
19
120
450
3.6
± 30
13
-55到+ 150
300
单位
A
W
W / ℃,
V
V / ns的
°C
雪崩特性
符号
E
AS
I
AR
E
AR
参数
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
520
30
45
单位
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.24
–––
马克斯。
0.28
–––
40
单位
° C / W
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1
09/15/04
IRFPS30N60KPbF
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
600
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.66
160
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安?
190
毫欧V
GS
= 10V ,我
D
= 18A
5.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
50
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
100
V
GS
= 30V
nA
-100
V
GS
= -30V
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ,我
D
= 18A
220
I
D
= 30A
64
nC
V
DS
= 480V
110
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 300V
–––
I
D
= 30A
ns
–––
R
G
= 3.9
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V , = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 480V , = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
动态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
16
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
29
120
56
50
5870
530
54
6920
140
270
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
反向RecoveryCurrent
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
30
A
120
––– ––– 1.5
V
––– 640 960
ns
––– 11
16
C
––– 31 –––
A
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 30A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 30A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容,赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
DSS
起始物为
J
= 25℃时,L = 1.1mH ,R
G
= 25,
I
AS
= 30A
I
SD
30A , di / dt的
630A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
150°C
R
θ
测定在T
J
约90℃的
2
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IRFPS30N60KPbF
100
100
VGS
顶部
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
ID ,漏极 - 源极电流(A )
10
ID ,漏极 - 源极电流(A )
10
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
顶部
1
5.0V
1
0.1
5.0V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
0.1
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100.0
3.0
I
D
= 30A
ID ,漏 - 源电流
(
A)
T J = 150℃
10.0
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
2.5
2.0
(归一化)
1.5
1.0
T J = 25°C
1.0
0.1
5.0
6.0
VDS = 50V
20μs的脉冲宽度
7.0
8.0
9.0
0.5
V
GS
= 10V
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
VGS ,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温
(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRFPS30N60KPbF
1000000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
国际空间站
= C GS + Cgd的,
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
20
DS
ID = 30A
100000
VGS ,栅 - 源极电压( V)
16
VDS = 480V
VDS = 300V
VDS = 120V
C,电容(pF )
10000
西塞
12
1000
8
科斯
100
4
CRSS
10
1
10
100
1000
0
0
40
80
120
160
200
240
Q g总栅极电荷( NC)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100.0
1000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
100
10.0
TJ = 150℃
10
100sec
1.0
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
100
10msec
T J = 25°C
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VGS = 0V
1.2
1.4
0.1
1000
10000
VSD ,源toDrain电压( V)
VDS ,漏toSource电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRFPS30N60KPbF
30
V
DS
V
GS
R
D
24
R
G
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
-
V
DD
I
D
,漏电流( A)
18
12
图10A 。
开关时间测试电路
6
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度
( °C)
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
(Z
thJC
)
D = 0.50
0.1
0.20
热响应
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
单脉冲
(热反应)
t
1
t
2
注意事项:
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
/ t
2
+T
C
1
0.01
J
= P
DM
X Z
thJC
0.1
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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