IRFPC50 ， SiHFPC50
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
140
20
69
单身
D
特点
600
0.60
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
隔离区安装孔
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-247
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 247封装的首选商业工业
应用更高的功率水平排除使用
的TO-220的设备。该TO- 247类似，但优于
早期的隔离安装的TO- 218封装，因为
洞。它也提供了更大之间的爬电距离
销，以满足大多数安全技术规范的要求。
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFPC50PbF
SiHFPC50-E3
IRFPC50
SiHFPC50
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩
重复性雪崩
能源
b
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
当前
a
能源
a
dv / dt的
c
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
600
± 20
11
7.0
44
1.4
920
10
18
180
3.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
最大功率耗散
峰值二极管恢复
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 13 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 11 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
11 A， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91243
S- 81369 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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1
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热阻
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
0.24
-
马克斯。
40
-
0.65
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.0 A
b
V
DS
= 100 V，I
D
= 6.0 A
b
600
-
2.0
-
-
-
-
5.7
-
0.78
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
100
500
0.60
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
2700
300
61
-
-
-
18
37
88
36
5.0
13
-
-
-
140
20
69
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 11 A，V
DS
= 360 V
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 300 V，I
D
= 11 A,
R
G
= 6.2
Ω,
R
D
= 30
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
550
3.9
11
A
44
1.4
830
5.9
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 11 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 11 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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