PD-94011A
开关电源MOSFET
应用
l
开关电源， UPS ，焊接和高速
V
DSS
电源开关
500V
好处
l
动态的dv / dt额定值
l
额定重复性雪崩
l
隔离区安装孔
l
快速开关
l
易于并联的
l
简单的驱动要求
l
焊锡镀leadformed表面贴装
描述
第三代HEXFET
国际整流器s提供
设计师与快速切换的最佳组合，坚固耐用
装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 247封装的首选商业工业
应用更高的功率水平排除使用的TO-220的
设备。该TO- 247类似，但优于早前TO- 218
包，因为它孤立的安装孔。它也提供
销之间更大的爬电距离，以满足要求的
最安全规范。
在TO- 247封装的这种镀leadformed版本允许
封装是表面安装的应用程序中。
IRFP460AS
HEXFET
功率MOSFET
RDS（ON）最大值
0.27
I
D
20A
SMD-247
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
安装torqe ， 6-32或M3螺丝
最高回流温度
马克斯。
20
13
80
280
2.2
± 30
3.8
-55到+ 150
10磅在（ 1.1N m）的
230 （以上时间183℃
应不超过100秒）
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
°C
典型SMPS拓扑：
l
全桥
l
PFC升压
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笔记
通过
是第8页
1
01/17/01
IRFP460AS
100000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
10000
V
的s
= 0V,
F = 100万赫兹
C
为s
= C
的s
+ C
克
, C
S
SHO RTED
C
RS s
= C
克
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
20A
I
D
= 19A
16
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
C，电容（pF ）
C
国际空间站
1000
12
C
SS
100
8
10
C
RSS
4
1
1
10
100
1000
A
0
0
20
40
测试电路
见图13
60
80
100
V
S
，D RA在对-S环境允许的V oltage （ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 150
°
C
100
10us
T
J
= 25
°
C
1
100us
10
1ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
10ms
1000
10000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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