IRFP450A ， SiHFP450A
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
64
16
26
单身
D
特点
500
0.40
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
全
特征
电容
雪崩电压和电流
有效的C
OSS
特定网络版
铅（Pb） ，免费提供
和
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-247
应用
开关模式电源（SMPS ）
G
不间断电源
高速电源开关
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
典型SMPS拓扑
双管正激
半桥，全桥
PFC升压
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFP450APbF
SiHFP450A-E3
IRFP450A
SiHFP450A
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
500
± 30
14
8.7
56
1.5
760
14
19
190
4.1
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 7.8 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 14 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
14 A， di / dt的
≤
130 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91230
S- 81271 -REV 。 A， 16军08
www.vishay.com
1
IRFP450A ， SiHFP450A
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.24
-
马克斯。
40
-
0.65
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 8.4 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 8.4 A
b
500
-
2.0
-
-
-
-
7.8
-
0.58
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.40
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
GS
= 0 V; V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 0 V至400 V
c
-
-
-
2038
307
10
2859
81
96
-
-
-
pF
-
V
GS
= 10 V
I
D
= 14 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 250 V，I
D
= 14 A,
R
G
= 6.2
Ω,
R
D
= 17
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
-
15
36
35
29
64
16
26
-
-
-
-
ns
nC
-
-
-
-
-
-
-
-
487
3.9
14
A
56
1.4
731
5.8
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 14 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 14 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
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2
文档编号： 91230
S- 81271 -REV 。 A， 16军08
IRFP450A
100000
10000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
=
C
为s
=
C
RS s
=
C
OSS
=
0V,
F = 1MHz的
C
的s
+ C
克
, C
S
SHORTE
C
gd
C
ds
+ C
gd
20
I
D
=
14A
13A
16
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
C，电容（pF ）
C
国际空间站
1000
12
C
OSS
100
8
10
C
RSS
4
1
1
10
100
1000
A
0
0
15
30
测试电路
见图13
45
60
75
V
S
，D RA在对-S环境允许的V oltage （ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 150
°
C
10us
T
J
= 25
°
C
1
10
100us
1ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
10ms
1000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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