PD - 97229
PDP开关
特点
l
先进的工艺技术
l
优化的PDP关键参数
维持，能量回收和通
开关应用
l
低辐射
脉冲
等级达到降低功耗
耗散PDP延，能源
恢复和旁路开关的应用
l
低Q
G
快速响应
l
高重复峰值电流能力
可靠运行
l
短期回落&上升时间的快速切换
l
175 ° C的工作结温
提高耐用性
l
重复雪崩能力的
鲁棒性和可靠性
IRFP4228PbF
主要参数
150
180
12
170
175
D
V
DS
民
V
DS （雪崩）
典型值。
R
DS （ ON）
（典型值） 。 @ 10V
I
RP
最大@ T
C
= 100°C
T
J
最大
D
V
V
m
:
A
°C
G
S
S
D
G
TO-247AC
G
D
S
门
漏
来源
描述
这
HEXFET
功率MOSFET
是专门为设计延;能量回收&旁路开关
应用在等离子显示面板。这
MOSFET
采用最新的加工技术，以实现
每硅片面积和低辐射低导通电阻
脉冲
投资评级。这个额外的功能
MOSFET
在175℃
工作结温，高重复峰值电流能力。这些功能结合起来，
使这
MOSFET
一个高效，健壮和可靠的装置，用于PDP驱动的应用程序。
绝对最大额定值
参数
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
I
RP
@ T
C
= 100°C
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
重复峰值电流
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
±30
78
55
330
170
310
150
2.0
-40 + 175
300
单位
V
A
c
g
W
W / ℃，
°C
10磅在（ 1.1N M）
典型值。
–––
0.24
–––
马克斯。
0.49
–––
40
x
x
N
单位
° C / W
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
f
参数
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
06/26/06
IRFP4228PbF
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
底部
1
5.0V
0.1
10
5.0V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
3.5
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
ID = 50A
VGS = 10V
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
1
VDS = 25V
≤60s
脉冲宽度
0.1
3
4
5
6
7
8
9
10
11
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
120
110
100
L = 220nH
C = 0.3μF
100°C
25°C
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
120
110
100
L = 220nH
C =变量
100°C
25°C
每个脉冲的能量（ μJ ）
每个脉冲的能量（ μJ ）
100 105 110 115 120 125
90
80
70
60
50
40
30
20
85
90
80
70
60
50
40
30
20
10
90
95
60
65
70
75
80
85
90
95 100 105
图5 。
典型ê
脉冲
与漏 - 源极电压
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图6 。
典型ê
脉冲
与漏电流
ID ，峰值漏极电流（ A）
www.irf.com
3
IRFP4228PbF
140
L = 220nH
120
ISD ，反向漏电流（ A）
1000
每个脉冲的能量（ μJ ）
100
80
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
C = 0.1μF
C = 0.3μF
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
C = 0.2μF
1
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD ，源极到漏极电压（V ）
温度（℃）
图7 。
典型ê
脉冲
vs.Temperature
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图8 。
典型的源漏二极管正向电压
12.0
ID = 50A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
10000
C，电容（pF ）
VDS = 120V
VDS = 75V
VDS = 30V
西塞
1000
科斯
CRSS
100
10
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
10
20
30
40
50
60
70
80
QG ，总栅极电荷（ NC）
图9 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
90
80
70
ID ，漏电流（ A）
图10 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T J ，结温（ ° C）
100
100sec
10msec
1msec
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图11 。
最大漏极电流与外壳温度
图12 。
最大安全工作区
4
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