IRFP244 ， SiHFP244
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
63
12
39
单身
D
特点
250
0.28
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
隔离中心安装孔
快速开关
简单的驱动要求
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 247封装的首选商业工业
应用更高的功率水平排除使用
的TO-220的设备。该TO- 247类似，但优于
早期的隔离安装的TO- 218封装，因为
洞。它也提供了更大之间的爬电距离
销，以满足大多数安全技术规范的要求。
TO-247
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFP244PbF
SiHFP244-E3
IRFP244
SiHFP244
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
250
± 20
15
9.7
60
1.2
550
15
15
150
4.8
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 3.9 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 15 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
15 A ， di / dt的
≤
150 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91211
S-挂起-REV 。 A， 24军08
www.vishay.com
1
WORK -IN -PROGRESS
IRFP244 ， SiHFP244
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平，脂
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.24
-
马克斯。
40
-
0.83
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.0 A
b
A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 9.0
250
-
2.0
-
-
-
-
6.7
-
0.37
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.28
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
1400
320
73
-
-
-
14
49
42
24
5.0
13
-
-
-
63
12
39
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 11 A，V
DS
= 200 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 125 V，I
D
= 11 A ,
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 11
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
290
3.1
15
A
60
1.8
570
6.3
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 15 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 11 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
www.vishay.com
2
文档编号： 91211
S-挂起-REV 。 A， 24军08
半导体
IRFP244 ， IRFP245 ，
IRFP246 ， IRFP247
图15A和14A， 275V和250V， 0.28和0.34欧姆，
N沟道功率MOSFET
描述
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关转换
器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高功率
双极开关晶体管需要高速和低
栅极驱动电源。这些类型可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA17423 。
1998年7月
特点
15A和14A， 275V和250V
r
DS （ ON）
= 0.28Ω和0.34Ω
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
275V ，额定250VDC ， 120VAC线系统操作
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
IRFP244
IRFP245
IRFP246
IRFP247
包
TO-247
TO-247
TO-247
TO-247
BRAND
IRFP244
IRFP245
IRFP246
IRFP247
G
S
注：订购时，包括整个零件编号。
包装
JEDEC风格-247
来源
漏
门
漏
（法兰）
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
2211.2
5-1
IRFP244 ， IRFP245 ， IRFP246 ， IRFP247
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFP244
250
250
15
9.7
60
±20
150
1.2
550
-55到150
300
260
IRFP245
250
250
14
8.8
56
±20
150
1.2
550
-55到150
300
260
IRFP246
275
275
15
9.7
60
±20
150
1.2
550
-55到150
300
260
IRFP247
275
275
14
8.8
56
±20
150
1.2
550
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA （图10）
250
275
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125
o
C
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
25
250
V
V
V
A
A
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
IRFP244 ， IRFP245
IRFP246 ， IRFP247
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
IRFP244 ， IRFP246
IRFP245 ， IRFP247
门源漏
漏极至源极导通电阻（注2 ）
IRFP244 ， IRFP246
IRFP245 ， IRFP247
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
I
D（上）
V
DS
＆ GT ;我
D（ ON ）×
r
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V
（图7）
15
14
-
-
-
-
-
±100
A
A
nA
I
GSS
r
DS （ ON）
V
GS
=
±20V
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A（图8,9 ）
-
-
-
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 10V ，我
D
= 15A ，V
DS
= 0.8×额定
BV
DSS
, I
G（ REF ）
= 1.5毫安（图14 ， 19 ， 20 ）
栅极电荷基本上是独立的
工作温度
V
DS
≥
50V ，我
D
= 10A （图12）
V
DD
= 125V ，我
D
≈
15A ，R
G
= 9.1, V
GS
= 10V,
R
L
= 8Ω （图17,18 ） MOSFET的开关
时间基本上是独立的
工作温度
6.7
-
-
-
-
-
0.20
0.24
11
16
67
53
49
39
0.28
0.34
-
24
100
80
74
59
S
ns
ns
ns
ns
nC
-
-
6.6
20
-
-
nC
nC
5-2
IRFP244 ， IRFP245 ， IRFP246 ， IRFP247
电气连接特定的阳离子
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
测量从
漏极引线的6mm
（ 0.25英寸）从封装
年龄的中心
DIE
测量从
来源铅的6mm
（0.25英寸），从
标题，来源
焊盘
修改MOSFET
符号显示的
内部设备
电感
D
L
D
G
L
S
S
测试条件
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
（图11）
民
-
-
-
-
典型值
1300
320
69
5.0
最大
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
nH
内部源极电感
L
S
-
12.5
-
nH
结到外壳
结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
0.83
30
o
C / W
o
C / W
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示的
整体反转
P-N结二极管
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
15
60
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 15A ，V
GS
= 0V （图13）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 14A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 14A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
150
1.6
-
300
3.4
1.8
640
7.2
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 4.0μH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 15A 。参见图15，图16 。
5-3
IRFP244 ， IRFP245 ， IRFP246 ， IRFP247
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
除非另有规定编
15
12
IRFP244 ， IRFP246
0.8
0.6
0.4
0.2
0
9
IRFP245 ， IRFP247
6
3
0
0
50
100
150
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
10
Z
θJC
归一化
热阻抗
1
0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
10
-2
单脉冲
10
-3
10
-5
P
DM
t
1
t
2
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
0.1
1
10
10
-4
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
10
3
操作在此
区域被限定
由R
DS （ ON）
10
2
IRFP244/246
IRFP245/247
IRFP244/246
10
IRFP245/247
1ms
1
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
单脉冲
0.1
1
IRFP244,
IRFP245
10ms
DC
IRFP246,
IRFP247
10
3
10s
100s
25
V
GS
= 10V
脉冲持续时间为80μs =
V
GS
= 6.0V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
20
15
V
GS
= 5.5V
10
V
GS
= 5.0V
5
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
0
0
25
50
75
100
125
V
DS
，漏源极电压（ V）
10
2
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
图4.正向偏置安全工作区
图5.输出特性
5-4
IRFP244 ， IRFP245 ， IRFP246 ， IRFP247
典型性能曲线
25
脉冲持续时间为80μs =
20
V
GS
= 10V
V
GS
= 6.0V
除非另有规定编
（续）
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
100
V
DS
≥
50V
脉冲持续时间为80μs =
I
D
，漏电流（ A）
10
15
V
GS
= 5.5V
10
V
GS
= 5.0V
5
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
T
J
= 150
o
C
1
T
J
= 25
o
C
0.1
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图6.饱和特性
2.5
图7.传热特性
脉冲持续时间为80μs =
归一漏极至源极
抗性
3.0
I
D
= 10A
V
GS
= 10V
2.4
r
DS （ ON）
，漏极到源极
2.0
导通电阻（ Ω ）
V
GS
= 10V
1.5
1.8
1.0
1.2
0.5
V
GS
= 20V
0.6
0
0
15
30
45
60
75
I
D
，漏电流（ A）
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
注：为2μs脉冲加热效果甚微。
T
J
，结温（
o
C)
图8.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
1.25
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
1.15
C，电容（pF ）
3000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
2400
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
1.05
1800
0.95
1200
C
OSS
0.85
600
C
RSS
0.75
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图11.电容VS漏源极电压
5-5
QQ：2880707522 复制
