IRFP17N50L
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
500 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
–––
--- 0.6 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
––– 0.28 0.32
V
GS
= 10V ，我
D
= 9.9A
3.0
––– 5.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– ––– 50
μA V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
––– ––– 2.0
毫安V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
––– ––– 100
V
GS
= 30V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -30V
分钟。
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
21
51
50
28
2760
325
37
3690
84
159
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 9.9A
130
I
D
= 16A
33
nC
V
DS
= 400V
59
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 250V
–––
I
D
= 16A
ns
–––
R
G
= 7.5
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
雪崩特性
符号
E
AS
I
AR
E
AR
参数
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
390
16
22
单位
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
注意事项：
参数
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.56
–––
62
单位
° C / W
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
起始物为
J
= 25℃时，L = 3.0mH ，R
G
= 25,
I
AS
= 16A.
I
SD
≤
图16A ， di / dt的
≤
347A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
2
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IRFP17N50L ， SiHFP17N50L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
130
33
59
单身
D
特点
500
0.28
超快速体二极管消除极品
外部二极管的ZVS应用
低栅极电荷结果简单驱动
需求
增强的dV / dt功能提供了改进的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
较高的栅极电压阈值提供了改进的噪声
免疫
铅（Pb） ，免费提供
TO-247
应用
G
零电压开关SMPS
电信和服务器电源
·不间断电源
S
N沟道MOSFET
S
D
G
电机控制应用
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFP17N50LPbF
SiHFP17N50L-E3
IRFP17N50L
SiHFP17N50L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
500
± 30
16
11
64
1.8
390
16
22
220
13
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25℃时，L = 3.0毫亨，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 16 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
16 A ， di / dt的
≤
347 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91205
S-挂起-REV 。 A， 16军08
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1
WORK -IN -PROGRESS
IRFP17N50L ， SiHFP17N50L
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
0.56
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
有效输出电容
（能源相关）
内部栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复电流
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
=1 25 °C
T
J
= 25 °C
I
F
= 16 A,
的di / dt = 100 A / μs的
b
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
d
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.9 A
b
A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 9.9
500
-
3.0
-
-
-
-
11
-
-
-
-
-
-
-
0.60
-
-
-
-
0.28
-
2760
325
37
3690
84
159
120
1.4
-
-
-
21
51
50
28
-
-
5.0
± 100
50
2.0
0.32
-
-
-
-
-
-
-
-
-
130
33
59
-
-
-
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V至400 V
F = 1MHz时，漏极开路
I
D
= 16 A，V
DS
= 400 V
参见图。 7和15
b
pF
-
-
-
Ω
V
GS
= 10 V
-
-
-
nC
V
DD
= 250 V，I
D
= 16 A
R
G
= 7.5
Ω,
V
GS
= 10 V
参见图。 14A & 14B
b
-
-
-
ns
-
-
-
-
-
170
220
470
810
7.3
16
A
64
1.5
250
330
710
1210
11
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16 A，V
GS
= 0 V
b
-
-
-
-
-
-
向前开启时间
t
on
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升的FOM为0 80 ％的V
DS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，其存储了相同的能量为C
OSS
而V
DS
上升的FOM为0 80 ％的V
DS
.
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2
文档编号： 91205
S-挂起-REV 。 A， 16军08
QQ：2880707522 复制
