IRFP15N60L ， SiHFP15N60L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
100
30
46
单身
D
特点
600
0.385
超快体二极管无需使用
在ZVS应用外部二极管
更低的栅极电荷结果简单驱动
需求
可用的
RoHS指令*
柔顺
增强的dV / dt能力提供了更好的耐用性
较高的栅极电压阈值提供了改进的噪声
免疫
铅（Pb） ，免费提供
TO-247
G
应用
零电压开关SMPS
电信和服务器电源
S
N沟道
MOSFET
S
D
G
不间断电源
电机控制应用
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFP15N60LPbF
SiHFP15N60L-E3
IRFP15N60L
SiHFP15N60L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
600
± 30
15
9.7
60
2.3
320
15
28
280
10
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩
当前
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 2.9 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 15 A，的dV / dt = 10 V / ns的（参见图12A） 。
C.我
SD
≤
15 A ， di / dt的
≤
340 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91204
S- Pedning -REV 。 B， 24军， 08
www.vishay.com
1
WORK -IN -PROGRESS
IRFP15N60L ， SiHFP15N60L
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.24
-
马克斯。
40
-
0.44
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容
有效输出电容
（能源相关）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.0 A
b
600
-
3.0
-
-
-
-
8.3
-
0.39
-
-
-
-
0.385
-
-
-
5.0
± 100
50
2.0
0.460
-
V
V /°C的
V
nA
A
mA
Ω
S
V
DS
= 50 V，I
D
= 9.0 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 0 V至480 V
c
-
-
-
-
-
-
2720
260
20
120
100
-
-
-
20
44
28
5.5
-
-
-
-
-
100
30
46
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A，V
DS
= 480 V,
参见图。 7和15
b
-
-
-
V
DD
= 300 V，I
D
= 15 A,
R
G
= 1.8
Ω,
V
GS
= 10 V,
参见图。 11a和11b
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
130
240
450
1080
5.8
15
A
60
1.5
200
360
670
1620
8.7
V
ns
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 15 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 15 A
T
J
= 125°C ，的di / dt = 100 A / μs的
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 15 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 125°C ，的di / dt = 100 A / μs的
b
T
J
= 25 °C
体二极管反向恢复电荷
反向恢复时间
向前开启时间
Q
rr
I
RRM
t
on
nC
A
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，其存储了相同的能量为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
www.vishay.com
2
文档编号： 91204
S- Pedning -REV 。 B， 24军， 08
IRFP15N60L ， SiHFP15N60L
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
1000
顶部
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
1000
ID ，漏极 - 源极电流（ Α ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
10
底部
10
T J = 150℃
1
0.1
5.0V
1
T J = 25°C
0.1
0.01
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.001
0.1
1
10
100
0.01
4
6
8
VDS = 50V
20μs的脉冲宽度
10
12
14
16
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
100
顶部
3.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
ID = 15A
2.5
VGS = 10V
2.0
（归一化）
5.0V
1
1.5
1.0
0.1
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
0.01
0.1
1
10
100
0.5
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性
T J ，结温（ ° C）
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91204
S- Pedning -REV 。 B， 24军， 08
www.vishay.com
3
IRFP15N60L ， SiHFP15N60L
Vishay Siliconix公司
100000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C GS + Cgd的，C DS短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
12.0
ID = 15A
10.0
VDS = 480V
VDS = 300V
VDS = 120V
8.0
C，电容（pF ）
西塞
1000
科斯
100
6.0
CRSS
10
4.0
2.0
1
1
10
100
1000
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
Q g总栅极电荷（ NC）
图。 7 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
25
100.00
ISD ，反向漏电流（ A）
20
10.00
T J = 150℃
能量（ μJ ）
15
10
1.00
T J = 25°C
5
0
0
100
200
300
400
500
600
700
VGS = 0V
0.10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD ，源极到漏极电压（V ）
图。 8 - 典型的源漏二极管正向电压
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图。 6 - 典型输出电容储能与V
DS
www.vishay.com
4
文档编号： 91204
S- Pedning -REV 。 B， 24军， 08
IRFP15N60L ， SiHFP15N60L
Vishay Siliconix公司
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
100μsec
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
1
10
100
1msec
10msec
1000
10000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图。 9 - 最高安全工作区
R
D
16
14
R
G
V
GS
V
DS
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
12
ID ，漏电流（ A）
10
8
图。 11A - 开关时间测试电路
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T C ，外壳温度（ ° C）
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
90
%
图。 10 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 11B - 开关时间波形
文档编号： 91204
S- Pedning -REV 。 B， 24军， 08
www.vishay.com
5
PD - 94415
开关电源MOSFET
IRFP15N60L
HEXFET
功率MOSFET
应用
零电压开关SMPS
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
TRR
典型值。
I
D
电信和服务器电源
不间断电源
385m
600V
为130ns 15A
电机控制应用
特点和优点
超快速体二极管省去了外部
二极管的ZVS应用。
更低的栅极更简单的驱动要求充电的效果。
增强的dv / dt的能力提供了更好的耐用性。
TO-247AC
较高的栅极电压阈值提供了改进的抗噪声性能
.
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
I
DM
马克斯。
15
9.7
60
280
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
c
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
d
2.3
±30
10
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
1.1(10)
牛顿米（磅英寸）
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
130
240
450
5.8
15
A
60
1.5
200
360
670
8.7
nC
A
V
ns
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
c
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 15A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 15A
T
J
= 125°C ，的di / dt = 100A / μs的
J
J
f
S
1080 1620
f
T = 25℃ I = 15A ，V = 0V
f
T = 125°C ，的di / dt = 100A / μs的
f
S
GS
T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
www.irf.com
1
02/14/03
IRFP15N60L
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
分钟。典型值。马克斯。单位
600
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.39
385
–––
–––
–––
–––
–––
0.79
–––
–––
460
5.0
50
2.0
100
-100
–––
V
m
V
A
mA
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 9.0A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
f
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
F = 1MHz时，漏极开路
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容
有效输出电容
（能源相关）
分钟。典型值。马克斯。单位
8.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
44
28
5.5
2720
260
20
120
100
–––
100
30
46
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
S
I
D
= 15A
条件
V
DS
= 50V ，我
D
= 9.0A
V
DS
= 480V
V
GS
= 10V ，参照图7 & 15
V
DD
= 300V
I
D
= 15A
R
G
= 1.8
V
GS
= 10V ，参照图11A & 11B
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
V
GS
= 0V,V
DS
= 0V至480V
f
f
g
雪崩特性
符号
E
AS
I
AR
E
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
320
15
28
单位
mJ
A
mJ
重复性雪崩能量
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.24
–––
马克斯。
0.44
–––
40
单位
° C / W
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 2.9mH ，R
G
= 25,
I
AS
= 15A ，的dv / dt = 10V / ns的。 （参见图12a ）
I
SD
≤
15A ， di / dt的
≤
340A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF的。 （ER）是一种固定电容，其存储了相同的能量
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
2
www.irf.com
PD - 94415
开关电源MOSFET
IRFP15N60L
HEXFET
功率MOSFET
应用
零电压开关SMPS
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
TRR
典型值。
I
D
电信和服务器电源
不间断电源
385m
600V
为130ns 15A
电机控制应用
特点和优点
超快速体二极管省去了外部
二极管的ZVS应用。
更低的栅极更简单的驱动要求充电的效果。
增强的dv / dt的能力提供了更好的耐用性。
TO-247AC
较高的栅极电压阈值提供了改进的抗噪声性能
.
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
I
DM
马克斯。
15
9.7
60
280
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
c
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
d
2.3
±30
10
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
1.1(10)
牛顿米（磅英寸）
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
130
240
450
5.8
15
A
60
1.5
200
360
670
8.7
nC
A
V
ns
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
c
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 15A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 15A
T
J
= 125°C ，的di / dt = 100A / μs的
J
J
f
S
1080 1620
f
T = 25℃ I = 15A ，V = 0V
f
T = 125°C ，的di / dt = 100A / μs的
f
S
GS
T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
www.irf.com
1
02/14/03
IRFP15N60L
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
分钟。典型值。马克斯。单位
600
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.39
385
–––
–––
–––
–––
–––
0.79
–––
–––
460
5.0
50
2.0
100
-100
–––
V
m
V
A
mA
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 9.0A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
f
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
F = 1MHz时，漏极开路
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容
有效输出电容
（能源相关）
分钟。典型值。马克斯。单位
8.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
44
28
5.5
2720
260
20
120
100
–––
100
30
46
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
S
I
D
= 15A
条件
V
DS
= 50V ，我
D
= 9.0A
V
DS
= 480V
V
GS
= 10V ，参照图7 & 15
V
DD
= 300V
I
D
= 15A
R
G
= 1.8
V
GS
= 10V ，参照图11A & 11B
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
V
GS
= 0V,V
DS
= 0V至480V
f
f
g
雪崩特性
符号
E
AS
I
AR
E
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
320
15
28
单位
mJ
A
mJ
重复性雪崩能量
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.24
–––
马克斯。
0.44
–––
40
单位
° C / W
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 2.9mH ，R
G
= 25,
I
AS
= 15A ，的dv / dt = 10V / ns的。 （参见图12a ）
I
SD
≤
15A ， di / dt的
≤
340A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF的。 （ER）是一种固定电容，其存储了相同的能量
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
2
www.irf.com
QQ：2880707522 复制
