以前的数据表
指数
下一页数据表
临时数据表号PD- 9.1554
HEXFET
功率MOSFET
-200伏， 0.51Ω HEXFET
HEXFET技术是关键，国际整流器公司
先进的线路功率MOSFET晶体管。该艾菲
cient几何实现了非常低的导通电阻的COM
软硬件就可以为高跨导。
HEXFET晶体管还具有所有的精心建立
MOSFET的优点，例如电压控制，很
快速切换，易于并联和电参的
ETER温度稳定性。它们非常适合于应用程序
阳离子如开关电源，马达控制，
逆变器，砍砸器，音频放大器，以及高能量
脉冲电路。
表面贴装器件（ SMD - 1 ）代表包
在表面不断变化的又一步骤安装
技术。在SMD - 1将会给设计师多余的flex-
ibility他们需要增加电路板密度。之间
国家整流器公司设计的SMD - 1包
通过增加满足电力市场的具体需要
荷兰国际集团的终端垫的尺寸，从而增强
热性能和电气性能。
IRFN9240
N沟道
产品概述
产品型号
IRFN9240
BV
DSS
-200V
R
DS （ ON）
0.51
I
D
-11A
产品特点：
s
s
s
s
s
s
s
雪崩能量评级
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -10V ， TC = 25℃连续漏电流
ID @ V GS = -10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
IRFN9240
-11
-7
-44
125
1.0
±20
500
-11
12.5
-5.5
-55到150
300（ 5秒）
2.6 （典型值）
单位
A
W
W / K
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
TO ORDER
以前的数据表
IRFN9240设备
指数
下一页数据表
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
分钟。
-200
—
—
—
-2.0
4.0
—
—
—
—
28
3.0
4.5
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
—
-0.20
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
—
—
0.51
0.52
-4.0
—
-25
-250
-100
100
60
15
38
35
85
85
65
—
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -10V ， I D = -7A
VGS = -10V ，ID = -11A
VDS = V GS ， ID = -250μA
VDS > -15V ， IDS = -7A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -10V ，ID = -11A
VDS =最大。评分×0.5
参见图6和图13
VDD = -100V ， ID = -11A ，
RG = 9.1Ω ， VGS = -10V
见图10
测量从
修改MOSFET
漏极引线的6mm （ 0.25
符号显示的
英寸）从包
内部电感。
中心模具。
测量从
来源铅的6mm
（0.25 ）从包
到源焊盘。
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
ns
LS
内部源极电感
—
6.5
—
nH
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1200
570
81
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0 MHz的
参见图5
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
我SM
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
-11
-44
测试条件
示出了修改后的MOSFET符号
积分反向p-n结整流器。
A
VSD
吨RR
Q RR
T ON
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
—
—
—
—
—
—
-4.6
440
7.2
V
ns
C
T
j
= 25°C ， IS = -11A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -11A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
待定
1.0
—
K / W
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
TO ORDER
以前的数据表
IRFN9240设备
指数
下一页数据表
图。 1 - 典型的输出特性
T
C
= 25°C
图。 2 - 典型的输出特性
T
C
= 150°C
ID = -11A
图。 3 - 典型的传输特性
图。 4 - 归通电阻Vs.Temperature
ID = -11A
图。 5 - 典型的电容比。漏 - 源
电压
图。 6 - 典型栅极电荷比。栅极 - 源
电压
TO ORDER
以前的数据表
IRFN9240设备
10
指数
下一页数据表
热响应（Z
thJC
)
1
0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值T = P
DM
X Z
thJC
+ T
C
J
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳比。脉冲持续时间
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
图。 12C - 马克斯。雪崩能量与电流
图。 13A - 栅极电荷测试电路
TO ORDER
IRF9240
IRFN9240
IRF9240SMD
机械数据
尺寸mm （英寸）
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
P- CHANNEL
功率MOSFET
IRF9240
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
D
22.23
(0.875)
马克斯。
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
G
S
特点
P沟道功率MOSFET
3 .6 0 (0 .1 4 2 )
M A X 。
TO- 3封装
(TO-204AA)
引脚1 - 门
2脚 - 来源
0 .8 9
(0 .0 3 5 )
M IN 。
3 .7 0 (0 .1 4 6 )
3 .7 0 (0 .1 4 6 )
3 .4 1 (0 .1 3 4 )
3 .4 1 (0 .1 3 4 )
4 .1 4 (0 .1 6 3 )
3 .8 4 (0 .1 5 1 )
3脚 - 漏
IRFN9240SMD
高电压
积分保护二极管
提供TO - 3 （ TO- 204AA ）和
陶瓷表面贴装SMD1
(TO276AB)PACKAGE
1
3
0 .7 6
(0 .0 3 0 )
M IN 。
1 0 .6 9 (0 .4 2 1 )
1 0 .3 9 (0 .4 0 9 )
2
9 .6
9 .3
1 1 .5
1 1 .2
7 (0
8 (0
8 (0
8 (0
.3 8
.3 6
.4 5
.4 4
1 )
9 )
6 )
4 )
1 6 .0 2 (0 .6 3 1 )
1 5 .7 3 (0 .6 1 9 )
0 .5 0 (0 .0 2 0 )
0 .2 6 (0 .0 1 0 )
SMD1 （ TO276AB ）
引脚1 - 门
PIN 2 - 漏
PIN 3 - 来源
注意：
IRF9240SMD也可与
引脚1和3逆转的SMD 1
封装。
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
T
英镑
漏 - 源极电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20K)
栅 - 源电压
连续漏电流
@ T
例
= 25°C
@ T
例
= 100°C
漏电流脉冲
马克斯。功耗
@ T
例
= 25°C
线性降额因子
工作结
存储温度范围
–200V
–200V
±20V
–11A
–7.0A
–44A
125W
1W /°C的
-55 ℃150℃
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号3345
问题2
IRF9240
IRFN9240
IRF9240SMD
电气额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
特征
漏极 - 源极击穿电压
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流（正向）
门 - 源极漏电流（反向）
零栅极电压漏极电流
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250A
V
GS
= –20V
V
GS
= 20V
V
DS
= -160V , V
GS
= 0V
I
DSS
V
DS
= -160V
V
GS
= 0V ，T
例
= 125°C
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
在国家漏极电流1
静态漏 - 源极导通电阻
正向跨导1
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
分钟。
（ TO- 3封装）
（ TO- 3封装）
测试条件
分钟。
300
典型值。
马克斯。
–11
–44
V
GS
= 0V时，我
S
= – 11A
T
例
= 25°C
I
F
= -11A ， DL
F
/ DT = 100A / μs的
T
j
= 25°C
I
F
= -11A ， DL
F
/ DT = 100A / μs的
T
j
= 25°C
270
2.0
–4.6
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
最大
V
GS
= –10V
V
GS
= -10V ，我
D
= –7A
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
最大
I
D
= –7A
V
GS
= 0V
V
DS
= –25V
F = 1MHz的
V
GS
= –10V
I
D
= –11A
V
DS
= -100V
V
DD
= -100V
I
D
= –11A
Z
O
= 9.1
5.0
12.5
典型值。
28
3.0
4.5
4
–11
0.35
6
1200
570
81
60
15
38
35
85
85
65
nH
nH
MAX 。 UNIT
1.0 ° C / W
30
° C / W
°C
单位
A
V
ns
C
ns
nC
pF
0.5
分钟。
–200
–2
典型值。
马克斯。
–4
–100
100
–25
–1
单位
V
V
nA
nA
A
mA
A
S
热特性
特征
R
θJC
结到外壳
R
θJA
T
L
结到环境
马克斯。从案例10秒焊接温度0.063 “ 。
源 - 漏二极管额定值和特性
特征
连续源电流（体二极管）
I
S
I
脉冲源当前第（体二极管）
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
二极管的正向电压2
反向恢复时间
反向恢复电荷
1 ）脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比
≤
2%
2 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号3345
问题2
QQ：2881677436 复制
