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指数
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临时数据表号PD- 9.1549
HEXFET
功率MOSFET
200伏， 0.100Ω HEXFET
HEXFET技术是关键，国际整流器公司
先进的线路功率MOSFET晶体管。该艾菲
cient几何实现了非常低的导通电阻的COM
软硬件就可以为高跨导。
HEXFET晶体管还具有所有的精心建立
MOSFET的优点，例如电压控制，很
快速切换，易于并联和电参的
ETER温度稳定性。它们非常适合于应用程序
阳离子如开关电源，马达控制，
逆变器，砍砸器，音频放大器，以及高能量
脉冲电路。
表面贴装器件（ SMD - 1 ）代表包
在表面不断变化的又一步骤安装
技术。在SMD - 1将会给设计师多余的flex-
ibility他们需要增加电路板密度。之间
国家整流器公司设计的SMD - 1包
通过增加满足电力市场的具体需要
荷兰国际集团的终端垫的尺寸，从而增强
热性能和电气性能。
IRFN250
N沟道
产品概述
产品型号
IRFN250
BV
DSS
200V
R
DS （ ON）
0.100
I
D
27.4A
产品特点：
s
s
s
s
s
s
s
雪崩能量评级
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
IRFN250
27.4
17
110
150
1.2
±20
500
27.4
15.0
5.0
-55到150
300（ 5秒）
2.6 （典型值）
单位
A
W
W / K
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
TO ORDER
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IRFN250设备
指数
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电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
分钟。
200
—
—
—
2.0
9.0
—
—
—
—
55
8.0
30
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
—
0.29
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
—
—
0.100
0.105
4.0
—
25
250
100
-100
115
22
60
35
190
170
130
—
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， I D = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 17A
VGS = 10V ， I D = 27.4A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， I DS = 17A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ， I D = 27.4A
VDS =最大。评分×0.5
参见图6和图13
VDD = 100V ， ID = 27.4A ，
RG = 2.35Ω ， VGS = 10V
见图10
测量从
修改MOSFET
漏极引线的6mm （ 0.25
符号显示的
英寸）从包
内部电感。
中心模具。
测量从
来源铅的6mm
（0.25 ）从包
到源焊盘。
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
ns
LS
内部源极电感
—
6.5
—
nH
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
3500
700
110
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0 MHz的
参见图5
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
我SM
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
27.4
110
测试条件
示出了修改后的MOSFET符号
积分反向p-n结整流器。
A
VSD
吨RR
Q RR
T ON
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
—
—
—
—
—
—
1.9
950
9.0
V
ns
C
T
j
= 25°C ， IS = 27.4A ， VGS = 0V
TJ = 25 ° C， IF = 27.4A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
待定
0.83
—
K / W
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
TO ORDER
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IRFN250设备
指数
下一页数据表
图。 1 - 典型的输出特性
T
C
= 25°C
图。 2 - 典型的输出特性
T
C
= 150°C
ID = 27.4A
图。 3 - 典型的传输特性
图。 4 - 归通电阻Vs.Temperature
ID = 27.4A
图。 5 - 典型的电容比。漏 - 源
电压
图。 6 - 典型栅极电荷比。栅极 - 源
电压
TO ORDER
以前的数据表
IRFN250设备
1
0.50
指数
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热响应（Z
thJC
)
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值T = P
DM
X Z
thJC
+ T
C
J
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.001
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳比。脉冲持续时间
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
图。 12C - 马克斯。雪崩能量与电流
图。 13A - 栅极电荷测试电路
TO ORDER
IRFN250
2N7225U1
机械数据
尺寸mm （英寸）
0 .8 9
(0 .0 3 5 )
M IN 。
3 .7 0 (0 .1 4 6 )
3 .7 0 (0 .1 4 6 )
3 .4 1 (0 .1 3 4 )
3 .4 1 (0 .1 3 4 )
4 .1 4 (0 .1 6 3 )
3 .8 4 (0 .1 5 1 )
N沟道
功率MOSFET
3 .6 0 (0 .1 4 2 )
M A X 。
1
3
0 .7 6
(0 .0 3 0 )
M IN 。
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
特点
200V
27.4A
0.100
1 0 .6 9 (0 .4 2 1 )
1 0 .3 9 (0 .4 0 9 )
2
1 6 .0 2 (0 .6 3 1 )
1 5 .7 3 (0 .6 1 9 )
密封面
贴装封装
占地面积小 - 的有效使用
PCB空间。
9 .6
9 .3
1 1 .5
1 1 .2
7 (0
8 (0
8 (0
8 (0
.3 8
.3 6
.4 5
.4 4
1 )
9 )
6 )
4 )
0 .5 0 (0 .0 2 0 )
0 .2 6 (0 .0 1 0 )
简单的驱动要求
轻
高的封装密度
1贴片封装（ TO- 276AB ）
垫1 - 来源
垫2 - 漏
垫3 - 门
注意：
IRF250SMD也可与
引脚1和3逆转。
±20V
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
R
θJC
栅 - 源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
峰值二极管恢复
3
工作和存储温度范围
包安装面温度（ 5秒）
热阻结到外壳
(V
GS
= 0 , T
例
= 25°C)
(V
GS
= 0 , T
例
= 100°C)
27.4A
17A
110A
150W
1.2W/°C
500mJ
5.0V/ns
-55 ℃150℃
300°C
0.83°C/W
笔记
1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300ms,
δ ≤
2%
2) @ V
DD
= 25V ，L
≥
1.3mH ，峰值I
L
= 27.4A ，起始物为
J
= 25°C
3) @ I
SD
≤
27.5A ， di / dt的
≤
190A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
≤
150°C
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号3352
问题2
IRFN250
2N7225U1
电气特性
（环境温度Tamb = 25° C除非另有说明）
参数
BV
DSS
T
J
R
DS （ ON）
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
击穿电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
1
正向跨导
1
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
1
栅 - 源电荷
1
门 - 漏极（ “米勒” ）费
1
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
V
DS
≥
15V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
V
GS
= –20V
V
GS
= 0
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
DS
= 0.5BV
DSS
I
D
= 22A
V
DS
= 0.5BV
DSS
V
DD
= 100V
I
D
= 27.4A
R
G
= 2.35
V
GS
= 10V
I
D
= 22A
I
D
= 17A
I
D
= 27.4A
I
D
= 250A
I
DS
= 17A
V
DS
= 0.8BV
DSS
T
J
= 125°C
I
D
= 1毫安
分钟。
200
典型值。
马克斯。
单位
V
ΔBV
DSS
温度COEF网络cient
参考至25℃
0.29
0.100
0.105
2
9
25
250
100
–100
3500
700
110
55
8
30
115
22
60
35
190
170
130
27.4
110
4
V /°C的
V
S(
A
nA
)
(
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
pF
nC
nC
ns
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
2
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
= 27.4A
V
GS
= 0
I
F
= 27.4A
T
J
= 25°C
微不足道
d
i
/ d
t
≤
100A / μs的V
DD
≤
30V
T
J
= 25°C
A
V
ns
C
1.9
950
9.0
笔记
1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300ms,
δ ≤
2%
2 ）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号3352
问题2
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