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临时数据表号PD- 9.1547
HEXFET
功率MOSFET
100伏， 0.060Ω HEXFET
HEXFET技术是关键，国际整流器公司
先进的线路功率MOSFET晶体管。该艾菲
cient几何实现了非常低的导通电阻的COM
软硬件就可以为高跨导。
HEXFET晶体管还具有所有的精心建立
MOSFET的优点，例如电压控制，很
快速切换，易于并联和电参的
ETER温度稳定性。它们非常适合于应用程序
阳离子如开关电源，马达控制，
逆变器，砍砸器，音频放大器，以及高能量
脉冲电路。
表面贴装器件（ SMD - 1 ）代表包
在表面不断变化的又一步骤安装
技术。在SMD - 1将会给设计师多余的flex-
ibility他们需要增加电路板密度。之间
国家整流器公司设计的SMD - 1包
通过增加满足电力市场的具体需要
荷兰国际集团的终端垫的尺寸，从而增强
热性能和电气性能。
IRFN150
N沟道
产品概述
产品型号
IRFN150
BV
DSS
100V
R
DS （ ON）
0.060
I
D
34A
产品特点：
s
s
s
s
s
s
s
雪崩能量评级
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
IRFN150
34
21
136
150
1.2
±20
150
34
15
5.5
-55到150
300（ 5秒）
2.6 （典型值）
单位
A
W
W / K
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
TO ORDER
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IRFN150设备
指数
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电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
分钟。
100
—
—
—
2.0
9
—
—
—
—
50
8
15
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
—
0.13
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
—
—
0.060
0.070
4.0
—
25
250
100
-100
125
22
65
35
190
170
130
—
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， I D = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 21A
VGS = 10V ，ID = 34A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， I DS = 21A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 34A
VDS =最大。评分×0.5
参见图6和图13
VDD = 50V ， ID = 34A ，
RG = 2.35Ω ， VGS = 10V
见图10
测量从
修改MOSFET
漏极引线的6mm （ 0.25
符号显示的
英寸）从包
内部电感。
中心模具。
测量从
来源铅的6mm
（0.25 ）从包
到源焊盘。
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
ns
LS
内部源极电感
—
4.1
—
nH
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
3700
1100
200
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0 MHz的
参见图5
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
我SM
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
34
136
测试条件
示出了修改后的MOSFET符号
积分反向p-n结整流器。
A
VSD
吨RR
Q RR
T ON
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
—
—
—
—
—
—
1.8
500
2.9
V
ns
C
T
j
= 25 ° C， I S = 34A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 34A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
待定
0.83
—
K / W
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
TO ORDER
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IRFN150设备
指数
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图。 1 - 典型的输出特性
T
C
= 25°C
图。 2 - 典型的输出特性
T
C
= 150°C
I D = 34A
图。 3 - 典型的传输特性
图。 4 - 归通电阻Vs.Temperature
I D = 34A
图。 5 - 典型的电容比。漏 - 源
电压
图。 6 - 典型栅极电荷比。栅极 - 源
电压
TO ORDER
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IRFN150设备
指数
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1
0.50
热响应（Z
thJC
)
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值T = P
DM
X Z
thJC
+ T
C
J
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.001
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳比。脉冲持续时间
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
图。 12C - 马克斯。雪崩能量与电流
图。 13A - 栅极电荷测试电路
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