IRF130SMD05N
IRFN130SMD05
机械数据
尺寸mm （英寸）
7 .5 4 (0 .2 9 6 )
0 .7 6 (0 .0 3 0 )
M IN 。
2 .4 1 (0 .0 9 5 )
2 .4 1 (0 .0 9 5 )
0 .1 2 7 (0 .0 0 5 )
3 .1 7 5 (0 .1 2 5 )
M A X 。
N沟道
功率MOSFET
FOR HI- REL
应用
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
特点
3 .0 5 (0 .1 2 0 )
!
5 .7 2 (.2 2 5 )
100V
11A
0.19
W
0 .7 6
(0 .0 3 0 )
M IN 。
0 .1 2 7 (0 .0 0 5 )
1 6 P L （C S）
0 .5 0 (0 .0 2 0 )
7 .2 6 (0 .2 8 6 )
0 .1 2 7 (0 .0 0 5 )
1 0 .1 6 (0 .4 0 0 )
0 .5 0 (0 .0 2 0 )
0 .2 6 (0 .0 1 0 )
密封
简单的驱动要求
SMD 05
IRF130SMD05
PAD1 GATE =
PAD 2漏极
PAD3 SOURCE =
轻
筛选选项可用
所有引线分离CASE
IRFN130SMD05
PAD1 SOURCE =
垫2 - 漏
PAD3 GATE =
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
q
JC
栅 - 源电压
连续漏电流@ T
例
= 25°C
连续漏电流@ T
例
= 100°C
漏电流脉冲
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻结到外壳
±20V
11A
7A
44A
45W
0.36W/°C
-55 ℃150℃
2.8 ° C / W最大。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 ） 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 ） 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网站
http://www.semelab.co.uk
预赛。 10/00
IRF130SMD05N
IRFN130SMD05
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
BV
DSS
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
V
DS
15V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
V
GS
= –20V
V
GS
= 0
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
DS
= 0.5BV
DSS
I
D
= 11A
V
DS
= 0.5BV
DSS
V
DD
= 50V
I
D
= 11A
R
G
= 7.5
W
I
D
= 11A
I
D
= 7A
I
D
= 11A
I
D
= 250
m
A
I
DS
= 7A
V
DS
= 0.8BV
DSS
T
J
= 125°C
I
D
= 1毫安
分钟。
100
典型值。
马克斯。
单位
V
D
BV
DSS
温度COEF网络cient
D
T
J
击穿电压
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
正向跨导
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
参考至25℃
0.1
0.19
0.22
2
3
25
250
100
-100
650
240
44
12.8
1.0
3.8
28.5
6.3
16.6
30
75
40
45
11
43
4
V /°C的
W
V
)
W
(
S(
W
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
L
D
L
S
m
A
nA
pF
nC
nC
ns
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
封装特性
内部排水电感
内部源极电感
I
S
= 11A
V
GS
= 0
I
S
= 11A
T
J
= 25°C
d
i
/ d
t
100A/
m
s V
DD
50V
（从6mm向下漏极引线焊盘到模具的中心）
A
V
ns
T
J
= 25°C
1.5
300
3
8.7
8.7
m
C
nH
（从6mm下来源铅源焊盘中心）
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 ） 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 ） 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网站
http://www.semelab.co.uk
预赛。 10/00
IRF130SMD05N
IRFN130SMD05
机械数据
尺寸mm （英寸）
7 .5 4 (0 .2 9 6 )
0 .7 6 (0 .0 3 0 )
M IN 。
2 .4 1 (0 .0 9 5 )
2 .4 1 (0 .0 9 5 )
0 .1 2 7 (0 .0 0 5 )
3 .1 7 5 (0 .1 2 5 )
M A X 。
N沟道
功率MOSFET
FOR HI- REL
应用
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
特点
3 .0 5 (0 .1 2 0 )
!
5 .7 2 (.2 2 5 )
100V
11A
0.19
W
0 .7 6
(0 .0 3 0 )
M IN 。
0 .1 2 7 (0 .0 0 5 )
1 6 P L （C S）
0 .5 0 (0 .0 2 0 )
7 .2 6 (0 .2 8 6 )
0 .1 2 7 (0 .0 0 5 )
1 0 .1 6 (0 .4 0 0 )
0 .5 0 (0 .0 2 0 )
0 .2 6 (0 .0 1 0 )
密封
简单的驱动要求
SMD 05
IRF130SMD05
PAD1 GATE =
PAD 2漏极
PAD3 SOURCE =
轻
筛选选项可用
所有引线分离CASE
IRFN130SMD05
PAD1 SOURCE =
垫2 - 漏
PAD3 GATE =
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
q
JC
栅 - 源电压
连续漏电流@ T
例
= 25°C
连续漏电流@ T
例
= 100°C
漏电流脉冲
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻结到外壳
±20V
11A
7A
44A
45W
0.36W/°C
-55 ℃150℃
2.8 ° C / W最大。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 ） 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 ） 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网站
http://www.semelab.co.uk
预赛。 10/00
IRF130SMD05N
IRFN130SMD05
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
BV
DSS
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
V
DS
15V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
V
GS
= –20V
V
GS
= 0
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
DS
= 0.5BV
DSS
I
D
= 11A
V
DS
= 0.5BV
DSS
V
DD
= 50V
I
D
= 11A
R
G
= 7.5
W
I
D
= 11A
I
D
= 7A
I
D
= 11A
I
D
= 250
m
A
I
DS
= 7A
V
DS
= 0.8BV
DSS
T
J
= 125°C
I
D
= 1毫安
分钟。
100
典型值。
马克斯。
单位
V
D
BV
DSS
温度COEF网络cient
D
T
J
击穿电压
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
正向跨导
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
参考至25℃
0.1
0.19
0.22
2
3
25
250
100
-100
650
240
44
12.8
1.0
3.8
28.5
6.3
16.6
30
75
40
45
11
43
4
V /°C的
W
V
)
W
(
S(
W
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
L
D
L
S
m
A
nA
pF
nC
nC
ns
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
封装特性
内部排水电感
内部源极电感
I
S
= 11A
V
GS
= 0
I
S
= 11A
T
J
= 25°C
d
i
/ d
t
100A/
m
s V
DD
50V
（从6mm向下漏极引线焊盘到模具的中心）
A
V
ns
T
J
= 25°C
1.5
300
3
8.7
8.7
m
C
nH
（从6mm下来源铅源焊盘中心）
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 ） 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 ） 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网站
http://www.semelab.co.uk
预赛。 10/00
IRFNJ130N
IRFN130SMD05
机械数据
尺寸mm （英寸）
7.54 (0.296)
0.76 (0.030)
分钟。
2.41 (0.095)
2.41 (0.095)
0.127 (0.005)
3.175 (0.125)
马克斯。
N沟道
功率MOSFET
FOR HI- REL
应用
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
特点
3.05 (0.120)
1
3
10.16 (0.400)
5.72 (.225)
2
100V
11A
0.19
0.76
(0.030)
分钟。
0.127 (0.005)
16台PLC
0.50(0.020)
7.26 (0.286)
0.127 (0.005)
0.50 (0.020)
马克斯。
密封
简单的驱动要求
轻
筛选选项可用
SMD05 （TO- 276AA ）
IRFNJ130
PAD1 GATE =
PAD 2漏极
PAD3 SOURCE =
所有引线分离CASE
IRFN130SMD05
PAD1 SOURCE =
垫2 - 漏
PAD3 GATE =
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
θJC
栅 - 源电压
连续漏电流@ T
例
= 25°C
连续漏电流@ T
例
= 100°C
漏电流脉冲
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻结到外壳
±20V
11A
7A
44A
45W
0.36W/°C
-55 ℃150℃
2.8 ° C / W最大。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号5831
第1期
IRFNJ130N
IRFN130SMD05
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
BV
DSS
T
J
R
DS （ ON）
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
击穿电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
正向跨导
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
V
DS
≥
15V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
V
GS
= –20V
V
GS
= 0
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
DS
= 0.5BV
DSS
I
D
= 11A
V
DS
= 0.5BV
DSS
V
DD
= 50V
I
D
= 11A
R
G
= 7.5
I
D
= 11A
I
D
= 7A
I
D
= 11A
I
D
= 250A
I
DS
= 7A
V
DS
= 0.8BV
DSS
T
J
= 125°C
I
D
= 1毫安
分钟。
100
典型值。
马克斯。
单位
V
ΔBV
DSS
温度COEF网络cient
参考至25℃
0.1
0.19
0.22
2
3
25
250
100
-100
650
240
44
12.8
1.0
3.8
28.5
6.3
16.6
30
75
40
45
11
43
4
V /°C的
V
S(
A
nA
)
(
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
L
D
L
S
pF
nC
nC
ns
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
封装特性
内部排水电感
内部源极电感
I
S
= 11A
V
GS
= 0
I
S
= 11A
T
J
= 25°C
d
i
/ d
t
≤
100A / μs的V
DD
≤
50V
（从6mm向下漏极引线焊盘到模具的中心）
A
V
ns
C
T
J
= 25°C
1.5
300
3
8.7
8.7
nH
（从6mm下来源铅源焊盘中心）
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号5831
第1期
QQ：2880707522 复制
