【PD - 90495G功率MOSFET直通孔（ TO- 254AA ）产品概述产品型号IRFM914】,IC型号IRFM9140,IRFM9140 PDF资料,IRFM9140经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 90495G

功率MOSFET

直通孔（ TO- 254AA ）

产品概述

产品型号

IRFM9140

DS （ ON）

0.20

-18A

IRFM9140

JANTX2N7236

JANTXV2N7236

JANS2N7236

REF ： MIL -PRF-五百九十五分之一万九千五

100V ， P- CHANNEL

HEXFET

MOSFET技术

HEXFET

MOSFET技术的关键在于国际

IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。该

高效的几何设计实现的状态非常低电阻

tance结合高跨导。

HEXFET

转录

电阻取值也配备了所有的既定优势

MOSFET的诸如电压控制的，非常快速的切换，

易于并联和电参数的温度

稳定。它们非常适合用于诸如开关

荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，砍砸器，

音频放大器，高能量脉冲电路，而且几乎

在需要高可靠性的应用程序。该

HEXFET

晶体管的完全隔离封装消除了

需要用于设备之间的附加绝缘材料

和散热器。这提高了热效率和

降低了漏极电容。

TO-254AA

产品特点：

简单的驱动要求

易于并联的

密封式

电气隔离

动态的dv / dt额定值

重量轻

绝对最大额定值

参数

ID @ VGS = -10V ， TC = 25°C

ID @ VGS = -10V ， TC = 100℃

IDM

PD @ TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv / dt的

T英镑

连续漏电流

漏电流脉冲

马克斯。功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度

重量

对于脚注参考最后一页

-18

-11

-72

125

1.0

±20

500

-18

12.5

-5.5

-55到150

300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）

9.3 （典型值）

单位

W / ℃，

V / ns的

www.irf.com

09/22/03

IRFM9140

电气特性

@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）

参数

BVDSS

漏极至源极击穿电压

ΔBV

细数DSS / ΔT 温度系数

电压

RDS （ ON）

静态漏 - 源极导通状态

阻力

VGS （ TH）

栅极阈值电压

克FS

正向跨导

IDSS

零栅极电压漏极电流

民

-100

—

-2.0

6.2

—

典型值最大值单位

—

-0.087

—

6.8

—

0.20

0.22

-4.0

—

-25

-250

-100

100

35.2

—

V /°C的

S( )

测试条件

VGS = 0V ，ID = -1.0mA

参考至25℃ ， n = -1.0mA

VGS = -10V ，ID = -11A

VGS = -10V ，ID = -18A

VDS = VGS ，ID = -250μA

VDS > -15V ， IDS = -11A

VDS = -80V ， VGS = 0V

VDS = -80V

VGS = 0V ， TJ = 125°C

VGS = -20V

VGS = 20V

VGS = -10V ，ID = -18A

VDS = -50V

VDD = -50V ， ID = -11A

RG = 9.1Ω ， VGS = -10V

IGSS

Q GS

Q GD

（上）

（关闭）

LS + LD

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总电感

从漏极引线测量（6毫米/

0.25英寸从包中）源

铅（6毫米/ 0.25英寸从包中）

VGS = 0V ， VDS = -25V

F = 1.0MHz的

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

1400

600

200

—

源极 - 漏极二极管额定值和特性

参数

ISM

VSD

TRR

Q RR

吨

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

最小典型最大单位

—

-18

-72

-5.0

280

3.6

测试条件

= 25°C ， IS = -18A ， VGS = 0V

TJ = 25°C ， IF = -18A ， di / dt的

≤-100A/s

VDD

≤

-50V

固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。

热阻

参数

RthJC

RthCS

RthJA

结到外壳

外壳到散热器

结到环境

最小典型最大

—

0.21

—

1.0

—

单位

° C / W

测试条件

典型的插座安装

注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。

对于脚注参考最后一页

www.irf.com

IRFM9140

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

IRFM9140

13A & B

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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IRFM9140

D.U.T.

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

D（上）

D（关闭）

10%

90%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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