IRFM
机械数据
尺寸mm （英寸）
N沟道
功率MOSFET
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
IA
1 .2 7 (.0 5 0 )
1 .0 2 (.0 4 0 )
6 .6 0 (.2 6 0 )
6 .3 2 (.2 4 9 )
1 3 .8 4 (.5 4 5 )
1 3 .5 9 (.5 3 5 )
6 .9 1 (.2 7 2 )
6 .8 1 (.2 6 8 )
200V
27.4A
0.100
W
3 .7 8 (.1 4 9 )
3 .5 3 (.1 3 9 )
2 0 .3 2 (.8 0 0 )
2 0 .0 6 (.7 9 0 )
1 3 .8 4 (.5 4 5 )
1 3 .5 9 (.5 3 5 )
1 7 .4 0 (.6 8 5 )
1 6 .8 9 (.6 6 5 )
特点
N沟道MOSFET
高电压
积分保护二极管
，R 1 0.0 1 （ 0.0 4 0 ） M IN
克忒
S 0 ü RC ê
，D R A IN
1 .1 4 (.0 4 5 )
0 .8 9 (0 .3 5 )
保险业监督牛逼 P
3 L E A D s
4 .9 5 (.1 9 5 )
4 .1 9 (.1 6 5 )
3 0.8 1 （ 5 .1 0 ） B S·C
9 .5 2 (.3 7 5 )
8 .7 6 (.3 4 5 )
密封隔离，以-254 PAC
3 0.8 1 （ 5 .1 0 ） B S·C
陶瓷表面贴装PACK
选项
TO- 254封装金属
引脚1 - 漏极
2脚 - 来源
3脚 - 门
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
DM
P
D
I
L
dv / dt的
R
q
JC
R
q
JA
R
q
CS
T
J
, T
英镑
T
L
栅 - 源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
雪崩电流，钳位
1
峰值二极管恢复
2
热阻结 - 壳
热阻结 - 环境
热阻案例 - 水槽
工作结存储温度范围
焊接温度（从案例10秒1.6毫米）
@ T
C
= 25°C
@ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
@ V
GS
= 10V ，T
C
= 100°C
±20V
27.4A
17A
110A
150W
1.2W /°C的
27.4A
5.5V / ns的
0.83 ° C / W
48 ° C / W
0.21 ° C / W （典型值） 。
-55 ℃150℃
300°C
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